| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1176041 | STP30NM30N | N-канальный 300V - 0.078Ohm - 30A - К-220 | ST Microelectronics |
| 1176042 | STP30NS15L | N-CHANNEL 150V - 0.085 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 10A TO-220FP | ST Microelectronics |
| 1176043 | STP30NS15LFP | N-CHANNEL 150V - 0.085 ОМА - MOSFET
СИЛЫ ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 10A TO-220FP | ST Microelectronics |
| 1176044 | STP310N10F7 | N-канальный 100 В, 2,3 мОм ном., 180 STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1176045 | STP315N10F7 | Автомобильная класса N-канальный 100 В, 2,3 мОм ном., 180 STripFET F7 питания MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1176046 | STP31N65M5 | N-канальный 650 В, 0,124 Ом, 22 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1176047 | STP32N05L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176048 | STP32N05L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176049 | STP32N05L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176050 | STP32N05LFI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176051 | STP32N06 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | ST Microelectronics |
| 1176052 | STP32N06 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | ST Microelectronics |
| 1176053 | STP32N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176054 | STP32N06L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176055 | STP32N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176056 | STP32N06LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176057 | STP32N06LFI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176058 | STP32N06LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176059 | STP32N65M5 | N-канальный 650 В, 0,095 Ом, 24, MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 | ST Microelectronics |
| 1176060 | STP32NM50N | N-канальный 500 В, 0,1 Ом тип., 22 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220 пакет | ST Microelectronics |
| 1176061 | STP33N10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176062 | STP33N10 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176063 | STP33N10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176064 | STP33N10FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176065 | STP33N10FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176066 | STP33N10FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176067 | STP33N60M2 | N-канальный 600 В, 0,108 Ом тип., 26 MDmesh II Plus (TM) низкая Qg Полевые транзисторы в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1176068 | STP34N65M5 | N-канальный 650 В, 0,09 Ом, 28 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1176069 | STP34NM60N | N-канальный 600 В, 0,092 Ом, 29, MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220 | ST Microelectronics |
| 1176070 | STP34NM60ND | N-канальный 600 В, 0,097 Ом, 29 FDmesh (TM) II Мощность MOSFET (с быстрым диодом) TO-220 | ST Microelectronics |
| 1176071 | STP35N65M5 | N-канальный 650 В, 0,085 Ом, 27, MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 | ST Microelectronics |
| 1176072 | STP35NF10 | MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА
40A TO-220/D2PAK N-CHANNEL 100V 0 030
НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1176073 | STP35NF10 | MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА
40A TO-220/D2PAK N-CHANNEL 100V 0 030
НИЗКИЙ | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176074 | STP360N4F6 | N-канальный 40 V, 120 STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1176075 | STP36N05L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176076 | STP36N05L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176077 | STP36N05L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176078 | STP36N05LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1176079 | STP36N05LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1176080 | STP36N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| | | |
