Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
252321 | BC856C | Двойное General purpose
Transistors(NPN/PNP Удваивает) | ON Semiconductor |
252322 | BC856C | Слабый сигнал транзистора (PNP) | General Semiconductor |
252323 | BC856CMTF | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
252324 | BC856CW-G | Слабый сигнал транзистора, V СВО = -80V, V CEO = -65V, V EBO = -5, я C = -0.1A | Comchip Technology |
252325 | BC856F | Транзистор кремния PNP (общего назначения
применение переключения применения) | AUK Corp |
252326 | BC856F | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
252327 | BC856S | Транзистор PNP общего назначения двойной | Philips |
252328 | BC856S | Общего назначения транзисторы - блок транзистора
af кремния PNP для af input этапы и водители | Infineon |
252329 | BC856S | Блок транзистора af кремния PNP (для этапов
входного сигнала af и напряжения тока сатурации коллектор-
эмиттера в настоящее время увеличения применений водителя высокого
низкого) | Siemens |
252330 | BC856S | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
252331 | BC856S | 65 В, 100 мА PNP / PNP общего назначения транзистор | NXP Semiconductors |
252332 | BC856T | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
252333 | BC856T | Транзисторы af кремния NPN (высокое
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время
увеличения низкое) | Infineon |
252334 | BC856U | Общего назначения транзисторы - блок транзистора
af кремния PNP для af input этапы и водители | Infineon |
252335 | BC856U | Транзистор кремния PNP (общего назначения
применение переключения применения) | AUK Corp |
252336 | BC856UF | Транзистор кремния PNP (общего назначения
применение переключения применения) | AUK Corp |
252337 | BC856W | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
252338 | BC856W | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
252339 | BC856W | Общего назначения Транзисторы | Korea Electronics (KEC) |
252340 | BC856W | Транзисторы af кремния NPN (высокое
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время
увеличения низкое) | Infineon |
252341 | BC856W | PNP транзисторы общего назначения | NXP Semiconductors |
252342 | BC856W | Surface Mount Si-эпитаксиальных PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
252343 | BC856W-BC860W | Транзисторы af кремния PNP (для этапов
входного сигнала af и напряжения тока сатурации коллектор-
эмиттера в настоящее время увеличения применений водителя высокого
низкого) | Siemens |
252344 | BC857 | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
252345 | BC857 | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
252346 | BC857 | Транзистор Кремния PNP Эпитаксиальный -
Высоковольтный Транзистор | Fairchild Semiconductor |
252347 | BC857 | Общего назначения Транзисторы | Korea Electronics (KEC) |
252348 | BC857 | Малые Транзисторы Сигнала (PNP) | Vishay |
252349 | BC857 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ SOT23 NPN ПЛОСКОСТНЫЕ
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Zetex Semiconductors |
252350 | BC857 | Малые Транзисторы Сигнала (PNP) | General Semiconductor |
252351 | BC857 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА PNP В TO-5 | SGS Thomson Microelectronics |
252352 | BC857 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА PNP В TO-5 | SGS Thomson Microelectronics |
252353 | BC857 | Транзистор кремния PNP (общего назначения
применение переключения применения) | AUK Corp |
252354 | BC857 | Поверхностный держатель Кремни-3pitaksial6noe
PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
252355 | BC857 | Транзисторы af кремния NPN (высокое
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время
увеличения низкое) | Infineon |
252356 | BC857 | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА PNP В TO-5 | ST Microelectronics |
252357 | BC857 | PNP транзисторы общего назначения | NXP Semiconductors |
252358 | BC857 | 0.250W общего назначения PNP SMD транзистор. 45V VCEO, 0.100A Ic, 125 - 800 HFE. Дополнительные BC847 | Continental Device India Limited |
252359 | BC857A | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
252360 | BC857A | Транзисторы general purpose PNP | Philips |
| | | |