| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 259521 | BF998R | MOS-FETs Н-kanala кремния двузатворные | Philips |
| 259522 | BF998R | Тетрод MOS‐Fieldeffect Строба Н-Kanala
Двойной, Режим Расхода | Vishay |
| 259523 | BF998R | RF-MOSFET - VDS=8V, gfs=24mS,
Gps=28dB, F=1dB | Infineon |
| 259524 | BF998R | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (транзистор
Скоро-kanala с высоким фактором качества S/C) | Siemens |
| 259525 | BF998R | N-канальный МОП-транзистор с двумя воротами | NXP Semiconductors |
| 259526 | BF998RA | Режим Расхода Тетрода MOS-Fieldeffect-Fieldeffect
Строба Н-Kanala Двойной | Vishay |
| 259527 | BF998RAW | Режим Расхода Тетрода MOS-Fieldeffect-Fieldeffect
Строба Н-Kanala Двойной | Vishay |
| 259528 | BF998RB | Режим Расхода Тетрода MOS-Fieldeffect-Fieldeffect
Строба Н-Kanala Двойной | Vishay |
| 259529 | BF998RBW | Режим Расхода Тетрода MOS-Fieldeffect-Fieldeffect
Строба Н-Kanala Двойной | Vishay |
| 259530 | BF998RW | Тетрод MOS‐Fieldeffect Строба Н-Kanala
Двойной, Режим Расхода | Vishay |
| 259531 | BF998W | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (транзистор
Скоро-kanala с высоким фактором качества S/C) | Siemens |
| 259532 | BF998W | Тетрод mosfet Н-Kanala кремния (для низкого
шума, входной сигнал высокого увеличения controlled ставит до
рабочего потенциала 5V 1GHz) | Infineon |
| 259533 | BF998WR | mOS-FETs Н-kanala двузатворные | Philips |
| 259534 | BF998WR | N-канальный МОП-транзистор с двумя воротами | NXP Semiconductors |
| 259535 | BF999 | RF-MOSFET - VDS=15V, gfs=16mS,
Gp=25dB, F=1dB | Infineon |
| 259536 | BF999 | Триод Mosfet Н-Kanala Кремния | Infineon |
| 259537 | BF999 | Триод mosfet канала н кремния (для высокочастотных
этапов up to 300 мегациклов, предпочтительн в
применениях FM) | Siemens |
| 259538 | BFAP15 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 259539 | BFAP57 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 259540 | BFAP58 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 259541 | BFAP59 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 259542 | BFAP80 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 259543 | BFAP83 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 259544 | BFC13 | 4-ЫЕ MOSFET ПОКОЛЕНИЯ | SemeLAB |
| 259545 | BFC13 | 4-ЫЕ MOSFET ПОКОЛЕНИЯ | SemeLAB |
| 259546 | BFC40 | MOSFETS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N?CHANNEL
ИЗОЛИРОВАННЫЕ ВЫСОКИМ НАПРЯЖЕНИЕМ | SemeLAB |
| 259547 | BFC43 | 4-ЫЕ MOSFET ПОКОЛЕНИЯ | SemeLAB |
| 259548 | BFC50 | 4-ЫЕ MOSFET ПОКОЛЕНИЯ | SemeLAB |
| 259549 | BFC50 | 4-ЫЕ MOSFET ПОКОЛЕНИЯ | SemeLAB |
| 259550 | BFC505 | Транзистор cascode NPN широкополосный | Philips |
| 259551 | BFC51 | 4-ЫЕ MOSFET ПОКОЛЕНИЯ | SemeLAB |
| 259552 | BFC520 | Транзистор cascode NPN широкополосный | Philips |
| 259553 | BFC60 | MOSFETS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL
ИЗОЛИРОВАННЫЕ ВЫСОКИМ НАПРЯЖЕНИЕМ | SemeLAB |
| 259554 | BFC61 | 4-ЫЕ MOSFET ПОКОЛЕНИЯ | SemeLAB |
| 259555 | BFC61 | 4-ЫЕ MOSFET ПОКОЛЕНИЯ | SemeLAB |
| 259556 | BFE214 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 259557 | BFE214R | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 259558 | BFE215 | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 259559 | BFE215R | Wielkiej cz?otliwo.ci Tranzystor
specjalny | Ultra CEMI |
| 259560 | BFE505 | Транзистор NPN широкополосный дифференциальный | Philips |
| | | |
