Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
260201 | BFS460L6 | ЕСД-Zatverdetye РФ-Dvuxpol4rnye транзисторы
NPN в стандартных пакетах SOT343 и TSLP-3 (одиночного)
& TSLP-6 (двойного) Leadless | Infineon |
260202 | BFS460L6E6327 | РФ-Dvuxpol4rno - двойной транзистор rf
кремния NPN в пакете TSLP-3 идеально для низких усилителей
шума и модулей VCO | Infineon |
260203 | BFS466L6 | ЕСД-Zatverdetye РФ-Dvuxpol4rnye транзисторы
NPN в стандартных пакетах SOT343 и TSLP-3 (одиночного)
& TSLP-6 (двойного) Leadless | Infineon |
260204 | BFS466L6E6327 | РФ-Dvuxpol4rno - двойной транзистор rf
кремния NPN в пакете TSLP-3 идеально для низких усилителей
шума и модулей VCO | Infineon |
260205 | BFS469L6 | ЕСД-Zatverdetye РФ-Dvuxpol4rnye транзисторы
NPN в стандартных пакетах SOT343 и TSLP-3 (одиночного)
& TSLP-6 (двойного) Leadless | Infineon |
260206 | BFS469L6E6327 | РФ-Dvuxpol4rno - двойной транзистор rf
кремния NPN в пакете TSLP-3 идеально для низких усилителей
шума и модулей VCO | Infineon |
260207 | BFS480 | РФ-Dvuxpol4rno - блок транзистора rf кремния
NPN двойной (2xBFR180W) для низкого шума, низких усилителей
силы | Infineon |
260208 | BFS480 | Транзистор rf кремния NPN (для низкого шума,
малоэнергичных усилителей в передвижных системах связи) | Siemens |
260209 | BFS481 | РФ-Dvuxpol4rno - блок транзистора rf кремния
NPN двойной (2xBFR181W) для низкого шума, усилителей
высокого увеличения широкополосных | Infineon |
260210 | BFS481 | Транзистор rf кремния NPN (для малошумного,
high-gain широкополосного усилителя на течениях сборника от
0.5 до 12 mA) | Siemens |
260211 | BFS482 | Транзистор rf кремния NPN для низкого
noi... | Infineon |
260212 | BFS482 | Транзистор rf кремния NPN (для малошумных,
high-gain широкополосных усилителей на течениях сборника от
1mA к 20mA.) | Siemens |
260213 | BFS483 | РФ-Dvuxpol4rno - блок транзистора rf кремния
NPN двойной (2xBFR183W) для низкого шума, усилителей
высокого увеличения широкополосных | Infineon |
260214 | BFS483 | Транзистор rf кремния NPN (для малошумного,
high-gain широкополосного усилителя на течении colector от
2mA к 28mA) | Siemens |
260215 | BFS505 | NPN транзисторы wideband 9 гигагерцев | Philips |
260216 | BFS505 | NPN 9 ГГц широкополосные транзистор | NXP Semiconductors |
260217 | BFS520 | NPN транзисторы wideband 9 гигагерцев | Philips |
260218 | BFS520 | NPN 9 ГГц широкополосные транзистор | NXP Semiconductors |
260219 | BFS540 | NPN транзисторы wideband 9 гигагерцев | Philips |
260220 | BFS540 | NPN 9 ГГц широкополосные транзистор | NXP Semiconductors |
260221 | BFS89 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
260222 | BFS95 | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
260223 | BFT12 | ТРАНЗИСТОР RF КРЕМНИЯ NPN ШИРОКОПОЛОСНЫЙ | Siemens |
260224 | BFT25 | NPN транзистор wideband 2 гигагерцев | Philips |
260225 | BFT25 | NPN 2 ГГц широкополосные транзистор | NXP Semiconductors |
260226 | BFT25A | NPN транзисторы wideband 5 гигагерцев | Philips |
260227 | BFT25A | NPN 5 ГГц широкополосные транзистор | NXP Semiconductors |
260228 | BFT28C | Освинцованное Малое General purpose
Транзистора Сигнала | Central Semiconductor |
260229 | BFT31 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO18. | SemeLAB |
260230 | BFT31 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO18. | SemeLAB |
260231 | BFT32 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO39. | SemeLAB |
260232 | BFT32 | Двухполярное приспособление NPN в герметично
загерметизированном пакете металла TO39. | SemeLAB |
260233 | BFT33A | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN | SemeLAB |
260234 | BFT34 | Двухполярное Приспособление NPN. | SemeLAB |
260235 | BFT34 | Двухполярное Приспособление NPN. | SemeLAB |
260236 | BFT36A | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | SemeLAB |
260237 | BFT37 | BFT37 | SemeLAB |
260238 | BFT37 | BFT37 | SemeLAB |
260239 | BFT44 | Транзисторы Высокого напряжения Кремния PNP | Philips |
260240 | BFT44 | Транзистор Кремния PNP | SemeLAB |
| | | |