| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 331401 | CSB649AC | 20.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 160V VCEO, 1.500A Ic, 100 - 200 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331402 | CSB649B | 20.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 120 VCEO, 1.500A Ic, 60 - 120 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331403 | CSB649C | 20.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 120 VCEO, 1.500A Ic, 100 - 200 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331404 | CSB649D | 20.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 120 VCEO, 1.500A Ic, 160 - 320 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331405 | CSB772 | 10.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 30В VCEO, 3.000A Ic, 60 - 400 HFE. Дополнительные CSD882 | Continental Device India Limited |
| 331406 | CSB772E | 10.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 30В VCEO, 3.000A Ic, 200 - 400 HFE. Дополнительные CSD882E | Continental Device India Limited |
| 331407 | CSB772P | 10.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 30В VCEO, 3.000A Ic, 160 - 320 HFE. Дополнительные CSD882P | Continental Device India Limited |
| 331408 | CSB772Q | 10.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 30В VCEO, 3.000A Ic, 100 - 200 HFE. Дополнительные CSD882Q | Continental Device India Limited |
| 331409 | CSB772R | 10.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 30В VCEO, 3.000A Ic, 60 - 120 HFE. Дополнительные CSD882R | Continental Device India Limited |
| 331410 | CSB810 | 2.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 110 VCEO, 8.000A Ic, 1000 - 20000 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331411 | CSB817F | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 331412 | CSB817F | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 331413 | CSB817OF | 90.000W питания PNP Пластиковые выводами транзистора. 140В VCEO, 12.000A Ic, 60 - 120 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331414 | CSB817QF | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 331415 | CSB817QF | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 331416 | CSB817YF | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 331417 | CSB817YF | Транзистор CDIL Пакета TO-3P Польностью
Изолированный Пластичный | Continental Device India Limited |
| 331418 | CSB834 | 30.000W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60 - 200 HFE. Дополнительные CSD880 | Continental Device India Limited |
| 331419 | CSB834O | 30.000W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60 - 120 HFE. Дополнительные CSD880O | Continental Device India Limited |
| 331420 | CSB834Y | 30.000W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 200 HFE. Дополнительные CSD880Y | Continental Device India Limited |
| 331421 | CSB856 | 25.000W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 3.000A Ic, 35 - 200 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331422 | CSB856A | 25.000W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 3.000A Ic, 35 - 70 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331423 | CSB856B | 25.000W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 3.000A Ic, 60 - 120 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331424 | CSB856C | 25.000W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 200 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331425 | CSB857 | 40.000W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 4.000A Ic, 60 - 320 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331426 | CSB857B | 40.000W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 4.000A Ic, 60 - 120 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331427 | CSB857C | 40.000W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 4.000A Ic, 100 - 200 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331428 | CSB857D | 40.000W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 50V VCEO, 4.000A Ic, 160 - 320 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331429 | CSB858 | 40.000W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60 - 320 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331430 | CSB858B | 40.000W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60 - 120 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331431 | CSB858C | 40.000W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 4.000A Ic, 100 - 200 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331432 | CSB858D | 40.000W Низкочастотный PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 4.000A Ic, 160 - 320 HFE. | Continental Device India Limited |
| 331433 | CSBFB1M00J58 | Single-Chip Microcontrollers 8-Bit | NEC |
| 331434 | CSBFB1M00J58 | Single-Chip Microcontrollers 8-Bit | NEC |
| 331435 | CSBLA1M | Технически данные керамического резонатора | etc |
| 331436 | CSBLA1M | Технически данные керамического резонатора | etc |
| 331437 | CSBLA1M00J58 | Single-Chip Microcontrollers 8-Bit | NEC |
| 331438 | CSBLA1M00J58 | Single-Chip Microcontrollers 8-Bit | NEC |
| 331439 | CSC | Сети резистора плотной пленки, одиночные в линии,
coated sip, элементах резистора защищенных покрытием Груб
Epoxy конформным, имеющихся в мешке или пакете пробки | Vishay |
| 331440 | CSC1008 | ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЯ NPN/PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ
ПЛОСКОСТНЫЕ | Continental Device India Limited |
| | | |
