| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 401721 | EN29LV800JT-70T | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 70 нс. Топ сектор. | Eon Silicon Solution |
| 401722 | EN29LV800JT-70TI | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 70 нс. Топ сектор. | Eon Silicon Solution |
| 401723 | EN29LV800JT-90T | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 90ns. Топ сектор. | Eon Silicon Solution |
| 401724 | EN29LV800JT-90TI | 8 Мегабит (1024k х 8-бит / 512 х 16-бит) Flach память. Загрузочный флэш-памяти сектор, CMOS 3.0 вольт только. Скорость 90ns. Топ сектор. | Eon Silicon Solution |
| 401725 | EN29LV800T70RS | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401726 | EN29LV800T70RSI | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401727 | EN29LV800T70RSIP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401728 | EN29LV800T70RSP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401729 | EN29LV800T70RT | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401730 | EN29LV800T70RTI | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401731 | EN29LV800T70RTIP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401732 | EN29LV800T70RTP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401733 | EN29LV800T90S | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401734 | EN29LV800T90SI | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401735 | EN29LV800T90SIP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401736 | EN29LV800T90SP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401737 | EN29LV800T90T | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401738 | EN29LV800T90TI | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401739 | EN29LV800T90TIP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401740 | EN29LV800T90TP | память вспышки участка ботинка памяти 8 мегабитов
(1024K x 8ого-разрядн/512K x
шестнадцатиразрядного) внезапная, cmos 3.0
Vol6ta-tol6ko | Eon Silicon Solution |
| 401741 | EN3025 | Биполярные транзисторы,-50V,-1A, Низкое VCE (СБ), PNP Одноместный NMP | ON Semiconductor |
| 401742 | EN3026 | Биполярные транзисторы,-50V,-2А, Низкий VCE (СБ), PNP Одноместный NMP | ON Semiconductor |
| 401743 | EN3088 | PIN-диод, 50V, 50mA, RS = 5 Ом (тип), двойной СР | ON Semiconductor |
| 401744 | EN3093 | Биполярные транзисторы, (-) 50V, (-) 3А, Низкий VCE (СБ), (PNP) NPN Одноместный NMP | ON Semiconductor |
| 401745 | EN3094 | Биполярные транзисторы, (-) 100, (-) 1A, Низкий VCE (СБ), (PNP) NPN Одноместный NMP | ON Semiconductor |
| 401746 | EN3096 | Биполярные транзисторы, (-) 100, (-) 2А, Низкий VCE (СБ), (PNP) NPN Одноместный NMP | ON Semiconductor |
| 401747 | EN3235 | Биполярные транзисторы, 20В, 5А, Низкий VCE (СБ), NPN Одноместный NMP | ON Semiconductor |
| 401748 | EN3240 | Диод Шотки, 5В, 30 мА, 0.69pF, двойной СР | ON Semiconductor |
| 401749 | EN3309 | 5W усилитель мощности с очень немногими внешних частей для аудио автомобиля | ON Semiconductor |
| 401750 | EN3578 | Биполярные транзисторы, (-) 160V, (-) 1,5, Низкий VCE (СБ), (PNP) NPN Одноместный NMP | ON Semiconductor |
| 401751 | EN3582 | Биполярные транзисторы,-180V,-160A, Низкий VCE (СБ) PNP холост NMP | ON Semiconductor |
| 401752 | EN3906 | PIN-диод, 50V, 50mA, RS = 5 Ом (тип), двойной MCP | ON Semiconductor |
| 401753 | EN4401 | PIN-диод, 50V, 50mA, RS = макс 4,5 Ом, двойной MCP | ON Semiconductor |
| 401754 | EN4403 | PIN-диод, 50V, 50mA, RS = макс 4,5 Ом, двойной СР | ON Semiconductor |
| 401755 | EN4423 | N-Channnel Двойной ворота MOSFET, 15В, 30 мА, PG = 21дБ, NF = 1.1dB, Р4 | ON Semiconductor |
| 401756 | EN4510 | PIN-диод, 50V, 50mA, RS = 2,5 Ом (тип), Одноместный MCP | ON Semiconductor |
| 401757 | EN4511 | PIN-диод, 50V, 50mA, RS = 2,5 Ом (тип), двойной MCP | ON Semiconductor |
| 401758 | EN4514 | PIN-диод, 50V, 50mA, RS = 2,5 Ом (тип), двойной СР | ON Semiconductor |
| 401759 | EN4715 | Высокопроизводительный FM интерфейс для автомобильных радиоприемников | ON Semiconductor |
| 401760 | EN4839 | N-канал JFET, 15В, от 6 до 32 мА, 38мс, СР | ON Semiconductor |
| | | |
