| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 50161 | 2SA1135 | 2SA1135 | Unknow |
| 50162 | 2SA1135 | 2SA1135 | Unknow |
| 50163 | 2SA1141 | 2SA1141 2SC2681 | Unknow |
| 50164 | 2SA1141 | 2SA1141 2SC2681 | Unknow |
| 50165 | 2SA1142 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP 7 АМПЕРОВ
70 ВОЛЬТОВ 34 ВАТТА | NEC |
| 50166 | 2SA1142 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP 7 АМПЕРОВ
70 ВОЛЬТОВ 34 ВАТТА | NEC |
| 50167 | 2SA1145 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ТИПА
КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) | TOSHIBA |
| 50168 | 2SA1150 | Применения усилителя низкой частотности типа кремния
PNP транзистора эпитаксиальные (процесса pct) | TOSHIBA |
| 50169 | 2SA1153 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | NEC |
| 50170 | 2SA1153 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | NEC |
| 50171 | 2SA1156 | ТРАНЗИСТОР СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP 7 АМПЕРОВ
70 ВОЛЬТОВ 34 ВАТТА | NEC |
| 50172 | 2SA1160 | ПРИМЕНЕНИЙ СТРОБА ТИПА КРЕМНИЯ PNP ТРАНЗИСТОРА
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ (ПРОЦЕССА PCT)
СРЕДСТВ | TOSHIBA |
| 50173 | 2SA1162 | Применения усилителя этапа водителя применений
усилителя тональнозвуковой частоты типа кремния PNP транзистора
эпитаксиальные (процесса pct) общего назначения | TOSHIBA |
| 50174 | 2SA1162GT1 | Общего назначения усилителя Транзисторы | ON Semiconductor |
| 50175 | 2SA1163 | Применения усилителя этапа водителя применений
усилителя тональнозвуковой частоты типа кремния PNP транзистора
эпитаксиальные (процесса pct) общего назначения | TOSHIBA |
| 50176 | 2SA1170 | 2SA1170 | Unknow |
| 50177 | 2SA1170 | 2SA1170 | Unknow |
| 50178 | 2SA1171 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 50179 | 2SA1171 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 50180 | 2SA1171 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 50181 | 2SA1175 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | NEC |
| 50182 | 2SA1175 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | NEC |
| 50183 | 2SA1177 | Применения Hf Ампера | SANYO |
| 50184 | 2SA1179N | 2SA1179N | SANYO |
| 50185 | 2SA1182 | Применения усилителя этапа водителя применений усилителя
силы тональнозвуковой частоты кремния PNP транзистора
эпитаксиальные (процесс pct) низкие переключая применения | TOSHIBA |
| 50186 | 2SA1186 | СИЛА TRANSISTORS(10A, 150v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 50187 | 2SA1186 | DC УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(AUDIO
PNP ПЛОСКОСТНОЙ К КОНВЕРТЕРУ DC) | Wing Shing Computer Components |
| 50188 | 2SA1186 | Кремний PNP эпитаксиальное плоскостное
Transistor(Audio и general purpose) | Sanken |
| 50189 | 2SA1188 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 50190 | 2SA1188 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 50191 | 2SA1188 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 50192 | 2SA1189 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 50193 | 2SA1190 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 50194 | 2SA1190 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 50195 | 2SA1190 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 50196 | 2SA1191 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 50197 | 2SA1191 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 50198 | 2SA1193 | Кремний PNP Эпитаксиальный, Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 50199 | 2SA1193 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 50200 | 2SA1193(K) | Транзистор Кремния PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| | | |
