| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 501801 | HN1A01FE | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 501802 | HN1A01FU | Применения Усилителя Тональнозвуковой Частоты Типа
Кремния PNP Транзистора Эпитаксиальные (Процесса Pct)
Общего назначения | TOSHIBA |
| 501803 | HN1A02F | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 501804 | HN1A07F | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 501805 | HN1A26FS | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 501806 | HN1B01F | Применения Усилителя Тональнозвуковой Частоты Типа
Кремния NPN Типа Кремния PNP Транзистора Эпитаксиальные
(Процесса Pct) Эпитаксиальные (Процесса Pct) Общего
назначения | TOSHIBA |
| 501807 | HN1B01FDW1T1 | Дополнительные Двойной Общего назначения Усилитель Транзистор | ON Semiconductor |
| 501808 | HN1B01FDW1T1-D | Комплементарный двойной общего назначения транзистор
PNP усилителя и поверхность NPN держатель | ON Semiconductor |
| 501809 | HN1B01FU | Применения Усилителя Тональнозвуковой Частоты Типа
Кремния NPN Типа Кремния PNP Транзистора Эпитаксиальные
(Процесса Pct) Эпитаксиальные (Процесса Pct) Общего
назначения | TOSHIBA |
| 501810 | HN1B04F | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 501811 | HN1B04FE | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 501812 | HN1B04FU | Применения Усилителя Тональнозвуковой Частоты Типа
Кремния PNP Типа Кремния NPN Транзистора Эпитаксиальные
(Процесса Pct) Эпитаксиальные (Процесса Pct) Общего
назначения | TOSHIBA |
| 501813 | HN1B26FS | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 501814 | HN1C01F | Применения Усилителя Тональнозвуковой Частоты Типа
Кремния NPN Транзистора Эпитаксиальные (Процесса Pct)
Общего назначения | TOSHIBA |
| 501815 | HN1C01FE | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 501816 | HN1C01FU | Применения Усилителя Тональнозвуковой Частоты Типа
Кремния NPN Транзистора Эпитаксиальные (Процесса Pct)
Общего назначения | TOSHIBA |
| 501817 | HN1C03F | Тип Кремния NPN Транзистора Эпитаксиальный
(Процесс Pct) Для Приглушая И Переключая Применений | TOSHIBA |
| 501818 | HN1C03FU | Тип Npn кремния транзистора эпитаксиальный
(процесс pct) для приглушая и переключая применений | TOSHIBA |
| 501819 | HN1C05FE | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 501820 | HN1C07F | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 501821 | HN1C26FS | Транзистор для низкой частоты слабого сигнала усиления 2 в 1 | TOSHIBA |
| 501822 | HN1D01F | Применение Переключения Типа Кремния Диода
Эпитаксиальное Плоскостное Ультра Высокоскоростное | TOSHIBA |
| 501823 | HN1D01FE | Переключение диода | TOSHIBA |
| 501824 | HN1D01FU | Применение Переключения Типа Кремния Диода
Эпитаксиальное Плоскостное Ультра Высокоскоростное | TOSHIBA |
| 501825 | HN1D02F | Применение Переключения Типа Кремния Диода
Эпитаксиальное Плоскостное Ультра Высокоскоростное | TOSHIBA |
| 501826 | HN1D02FE | Переключение диода | TOSHIBA |
| 501827 | HN1D02FU | Применение Переключения Типа Кремния Диода
Эпитаксиальное Плоскостное Ультра Высокоскоростное | TOSHIBA |
| 501828 | HN1D03F | Применение Переключения Типа Кремния Диода
Эпитаксиальное Плоскостное Ультра Высокоскоростное | TOSHIBA |
| 501829 | HN1D03FU | Применение Переключения Типа Кремния Диода
Эпитаксиальное Плоскостное Ультра Высокоскоростное | TOSHIBA |
| 501830 | HN1D04FU | Переключение диода | TOSHIBA |
| 501831 | HN1J02FU | Применений Переключения Типа Mos Канала П Кремния
Транзистора Влияния Поля Применения Переключателя Высокоскоростных
Сетноые-аналогов | TOSHIBA |
| 501832 | HN1K02FU | Применений Переключения Типа Mos Канала Н Кремния
Транзистора Влияния Поля Применения Переключателя Высокоскоростных
Сетноые-аналогов | TOSHIBA |
| 501833 | HN1K03FU | Применений Переключения Типа Mos Канала Н Кремния
Транзистора Влияния Поля Применения Переключателя Высокоскоростных
Сетноые-аналогов | TOSHIBA |
| 501834 | HN1K04FU | Применений Переключения Типа Mos Канала Н Кремния
Транзистора Влияния Поля Применения Переключателя Высокоскоростных
Сетноые-аналогов | TOSHIBA |
| 501835 | HN1K05FU | Тип Mos Канала Н Кремния Транзистора Влияния Поля
Для Применений Поверхности стыка Применений Переключения Портативных
Приспособлений Высокоскоростных | TOSHIBA |
| 501836 | HN1K06FU | Применений Переключения Типа Mos Канала Н Кремния
Транзистора Влияния Поля Применения Переключателя Высокоскоростных
Сетноые-аналогов | TOSHIBA |
| 501837 | HN1L02FU | Применений Переключения Типа Mos Канала Кремния
N-P Транзистора Влияния Поля Применения Переключателя
Высокоскоростных Сетноые-аналогов | TOSHIBA |
| 501838 | HN1L03FU | Применений Переключения Типа Mos Канала Кремния
N-P Транзистора Влияния Поля Применения Переключателя
Высокоскоростных Сетноые-аналогов | TOSHIBA |
| 501839 | HN1V01H | Применения Переменной Полосы Am Диода Емкости
Radio Настраивая | TOSHIBA |
| 501840 | HN1V02H | Применения Переменной Полосы Am Диода Емкости
Radio Настраивая | TOSHIBA |
| | | |
