| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 51721 | 2SB1016 | УСИЛИТЕЛЯ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(POWER PNP ОЕ
ОТКЛОНЕНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЕРТИКАЛЬНОЕ) | Wing Shing Computer Components |
| 51722 | 2SB1016A | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | TOSHIBA |
| 51723 | 2SB1017 | 2SB1017 | Unknow |
| 51724 | 2SB1018A | ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) ВЫСОКИЕ В
НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ. ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ. | TOSHIBA |
| 51725 | 2SB1019 | 2SB1019 | Unknow |
| 51726 | 2SB1020 | 7А; 30W; V (генеральный директор): 100v; PNP транзистор Дарлингтона | TOSHIBA |
| 51727 | 2SB1020A | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ВЫСОКОЙ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ PNP
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННОЕ (СИЛЫ DARLINGTON), ПРИВОД
МОЛОТКА, ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА МОТОРА ИМПА УЛЬС | TOSHIBA |
| 51728 | 2SB1021 | 2SB1021 | Unknow |
| 51729 | 2SB1021 | 7А; 30W; V (генеральный директор): 80V; PNP транзистор Дарлингтона | TOSHIBA |
| 51730 | 2SB1022 | 2SB1022 | Unknow |
| 51731 | 2SB1022 | 7А; 30W; V (генеральный директор): 60V; PNP транзистор Дарлингтона | TOSHIBA |
| 51732 | 2SB1023 | 2SB1023 | TOSHIBA |
| 51733 | 2SB1024 | 2SB1024 | TOSHIBA |
| 51734 | 2SB1025 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 51735 | 2SB1025 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 51736 | 2SB1025 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 51737 | 2SB1026 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 51738 | 2SB1026 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 51739 | 2SB1026 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 51740 | 2SB1027 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 51741 | 2SB1027 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 51742 | 2SB1028 | ПРОЦЕСС Транзистора Эпитаксиальный Плоскостной
Type(PCT Кремния PNP) | Hitachi Semiconductor |
| 51743 | 2SB1028 | Транзистор кремния PNP эпитаксиальный плоскостной
с регулятором Diode(Chopper барьера Shottky) | Hitachi Semiconductor |
| 51744 | 2SB1028 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 51745 | 2SB1030 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 51746 | 2SB1030A | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 51747 | 2SB1031 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ ВЫСОКОЕ В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ | Hitachi Semiconductor |
| 51748 | 2SB1031K | ПАРА УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
КОМПЛЕМЕНТАРНАЯ С 2SD1435K | Hitachi Semiconductor |
| 51749 | 2SB1032 | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 51750 | 2SB1032 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 51751 | 2SB1032(K) | Транзистор Кремния PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 51752 | 2SB1032K | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 51753 | 2SB1033 | УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ ЧАСТОТЫ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(LOW
PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ) | Wing Shing Computer Components |
| 51754 | 2SB1034 | 2SB1034 | TOSHIBA |
| 51755 | 2SB1035 | 2SB1035 | Unknow |
| 51756 | 2SB1035 | 900 МВт Ведущий кадров PNP транзистор, максимальная оценка: -25V VCEO, -1A Ic, от 55 до 300 HFE. Дополнительные 2SD1447 | Isahaya Electronics Corporation |
| 51757 | 2SB1036 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 51758 | 2SB1037 | Выход Qvetnogo ТВ Вертикальный, Ядровые
Применения Выхода | SANYO |
| 51759 | 2SB1041 | ТРАНЗИСТОРЫ К 92L TO-92LS MRT | ROHM |
| 51760 | 2SB1041 | СИЛА ПАКЕТА 1.2W СВЯЗАЛА ТРАНЗИСТОР ТЕСЬМОЙ
КОНСТРУИРОВАННЫЙ ДЛЯ ПОЛЬЗЫ С АВТОМАТИЧЕСКИМ РАЗМЕЩЕНИЕМ
MECHINE | ROHM |
| | | |
