| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 52681 | 2SB955K | Усилитель Силы Низкой частотности Кремния PNP
Втройне Отраженный | Hitachi Semiconductor |
| 52682 | 2SB956 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 52683 | 2SB962 | Транзистор кремния | NEC |
| 52684 | 2SB962-Z | ТРАНЗИСТОР MP-3 КРЕМНИЯ PNP
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | NEC |
| 52685 | 2SB963 | Транзисторы Darlington с built-in диодами
компенсации температуры для тональнозвуковых применений усилителя | NEC |
| 52686 | 2SB963-Z | ТРАНЗИСТОР MP-3 КРЕМНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
DARLINGTON PNP | NEC |
| 52687 | 2SB966 | Транзистор Кремния Кремния Epitaxial/NPN PNP
Отраженный Триппелем | Unknow |
| 52688 | 2SB967 | Амплификация силы эпитаксиального плоскостного
type(For кремния PNP низкочастотная) | Panasonic |
| 52689 | 2SB968 | Приспособление силы - транзисторы силы - амплификация
силы Вообще-Qeli | Panasonic |
| 52690 | 2SB970 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 52691 | 2SB976 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - Вообще-ispol6zu1te Низк-Castotu
Amplifires | Panasonic |
| 52692 | 2SB977 | 2SB970 Кремний PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ
ПЛОСКОСТНОЕ DARLINGTON ПЛОСКОСТНЫХ Кремния PNP
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ/2SB977 2SB977A/$$ET-2SC1547 Кремний
NPN ПЛОСКОСТНОЙ | Panasonic |
| 52693 | 2SB977A | 2SB970 Кремний PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ
ПЛОСКОСТНОЕ DARLINGTON ПЛОСКОСТНЫХ Кремния PNP
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ/2SB977 2SB977A/$$ET-2SC1547 Кремний
NPN ПЛОСКОСТНОЙ | Panasonic |
| 52694 | 2SB984 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ PNP | NEC |
| 52695 | 2SB985 | Транзисторов Кремния PNP Применения
Эпитаксиальных Плоскостных Больш-V настоящее время Управляя | SANYO |
| 52696 | 2SB986 | Применения Переключения Транзисторов 50V/4ЈA
Darlington Кремния PNP Эпитаксиальные Плоскостные | SANYO |
| 52697 | 2SBI345 | НАПРАВЛЯЮЩИЙ ВЫСТУП TRANSISTORS(SELECTION
ПРИМЕНЕНИЕМ И ФУНКЦИЕЙ) | Unknow |
| 52698 | 2SC0828 | Транзистор - Тип кремния NPN эпитаксиальный плоскостной | Panasonic |
| 52699 | 2SC0828A | Транзистор - Тип кремния NPN эпитаксиальный плоскостной | Panasonic |
| 52700 | 2SC0829 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - усилители и другие Высок-Castoty | Panasonic |
| 52701 | 2SC1008 | ТРАНЗИСТОР NPN DARLINGTON | DONG GUAN SHI HUA YUAN ELECTRON CO. |
| 52702 | 2SC1008 | Средств усилители и переключатели силы | Unknow |
| 52703 | 2SC1008 | ТРАНЗИСТОР NPN DARLINGTON | DONG GUAN SHI HUA YUAN ELECTRON CO. |
| 52704 | 2SC1008 | Средств усилители и переключатели силы | Unknow |
| 52705 | 2SC1008 | Низкая частота усилителя переключения средняя скорость. Напряжения коллектор-база VCBO = 80В. Напряжение коллектор-эмиттер VCEO = 60В. Эм | USHA India LTD |
| 52706 | 2SC1009 | УСИЛИТЕЛЬ FM/AM rf, СМЕСИТЕЛЬ, генератор,
ПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ конвертера PNP
МИНИАЯ | NEC |
| 52707 | 2SC1009 | Усилитель высокого напряжения. Напряжения коллектор-база = 160V VCBO. Напряжение коллектор-эмиттер = 140В VCEO. Эмиттер-база напряжение VEBO | USHA India LTD |
| 52708 | 2SC1009A | УСИЛИТЕЛЬ FM/AM rf, СМЕСИТЕЛЬ, генератор,
ПРЕССФОРМА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ конвертера PNP
МИНИАЯ | NEC |
| 52709 | 2SC1009A-L | Транзистор кремния | NEC |
| 52710 | 2SC1009A-T1B | Транзистор кремния | NEC |
| 52711 | 2SC1009A-T2B | Транзистор кремния | NEC |
| 52712 | 2SC1030 | КРЕМНИЙ NPN TRASISTORS | JMnic |
| 52713 | 2SC1030 | КРЕМНИЙ NPN TRASISTORS | JMnic |
| 52714 | 2SC1034 | 2SC1034 | SONY |
| 52715 | 2SC1046 | 2SC1046 | SANYO |
| 52716 | 2SC1046 | 2SC1046 | SANYO |
| 52717 | 2SC1047 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - усилители и другие Высок-Castoty | Panasonic |
| 52718 | 2SC1047 | ОПИСАНИЕ Transistor(GENERAL Кремния
Эпитаксиальное Плоскостное) | Wing Shing Computer Components |
| 52719 | 2SC1050 | ОПИСАНИЕ Transistor(GENERAL Кремния
Эпитаксиальное Плоскостное) | Wing Shing Computer Components |
| 52720 | 2SC1060 | Пара УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТНОСТИ
комплементарная с 2SA670 и 2SA671 | Unknow |
| | | |
