|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1319 | 1320 | 1321 | 1322 | 1323 | 1324 | 1325 | 1326 | 1327 | 1328 | 1329 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
529212SC1621ПРЕССФОРМА ВЫСОКОСКОРОСТНОГО ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНОГО МИНИАЯNEC
529222SC1621-LТранзистор кремнияNEC
529232SC1621-T1BТранзистор кремнияNEC
529242SC1621-T2BТранзистор кремнияNEC
529252SC1622ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN УВЕЛИЧЕНИЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ПРЕССФОРМА ВЫСОКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГО МИНИАЯNEC
529262SC1622AТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN УВЕЛИЧЕНИЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ПРЕССФОРМА ВЫСОКОГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГО МИНИАЯNEC
529272SC1622A-LНизкочастотный high-gain кремний tr амплификации.NEC
529282SC1622A-T1BНизкочастотный high-gain кремний tr амплификации.NEC
529292SC1622A-T2BНизкочастотный high-gain кремний tr амплификации.NEC
529302SC1623ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЯ NPN ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ПРЕССФОРМА ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО МИНИАЯNEC
529312SC1623-LТранзистор кремнияNEC
529322SC1623-T1BТранзистор кремнияNEC
529332SC1623-T2BТранзистор кремнияNEC
529342SC1624ТИП КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙTOSHIBA
529352SC1624ТИП КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙTOSHIBA
529362SC1625ТИП КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙTOSHIBA
529372SC1625ТИП КРЕМНИЯ NPN ПЛОСКОСТНОЙTOSHIBA
529382SC1626ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ ПЛОСКОСТНЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕMicro Electronics
529392SC1627Применения усилителя напряжения тока применений усилителя этапа водителя типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct)TOSHIBA
529402SC1627AПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ЭТАПА ВОДИТЕЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT). ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ ТОКАTOSHIBA
529412SC16452SC1545MROHM
529422SC16452SC1545MROHM
529432SC1645SТранзисторы > малый сигнал двухполярное Transistors(up к 0.6W)ROHM
529442SC1651SТранзисторы > малый сигнал двухполярное Transistors(up к 0.6W)ROHM
529452SC1652Средств Транзисторы Кремния CAmp Эпитаксиальн Плоскостн NPN СилыROHM
529462SC1653ПРИВОД ПРОБКИ ИНДИКАЦИИ, ПРЕССФОРМА высоковольтного ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОГО МИНИАЯNEC
529472SC1653-LТранзистор кремнияNEC
529482SC1653-T1BТранзистор кремнияNEC
529492SC1653-T2BТранзистор кремнияNEC
529502SC1654ПРИВОД ПРОБКИ ИНДИКАЦИИ, ПРЕССФОРМА высоковольтного ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОГО МИНИАЯNEC
529512SC1654-LТранзистор кремнияNEC
529522SC1654-T1BТранзистор кремнияNEC
529532SC1654-T2BТранзистор кремнияNEC
529542SC1672Средств усилители и переключатели силыUnknow
529552SC1672Средств усилители и переключатели силыUnknow
529562SC1674Транзисторы Пластмасс-Pome5ennye TO-92TRANSYS Electronics Limited
529572SC1674ТВ PIF усилитель, FM-тюнер РФ усилитель, микшер, occillator. Напряжения коллектор-база = 30В VCBO. Напряжение коллектор-эмиттер = 20В VCEO. Эмиттер-USHA India LTD
529582SC1675ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPNMicro Electronics
529592SC1675FM / AM радиочастотный усилитель, микшер, преобразователь, генератор, ЕСЛИ. Напряжения коллектор-база 50 В = VCBO. Напряжение коллектор-эUSHA India LTD
529602SC1678ТИП КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙTOSHIBA
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 1319 | 1320 | 1321 | 1322 | 1323 | 1324 | 1325 | 1326 | 1327 | 1328 | 1329 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com