| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 53721 | 2SC2946(1) | Транзистор кремния | NEC |
| 53722 | 2SC29461 | ТРАНЗИСТОР MP-3 КРЕМНИЯ NPN
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | NEC |
| 53723 | 2SC2951 | ASI 2SC2951 будет высокочастотным
транзистором конструированным для общего назначения применений
генератора до 10 гигагерцев. | Advanced Semiconductor |
| 53724 | 2SC2951 | ASI 2SC2951 будет высокочастотным
транзистором конструированным для общего назначения применений
генератора до 10 гигагерцев. | Advanced Semiconductor |
| 53725 | 2SC2952 | 2SC2592 будет высокочастотным транзистором
конструированным для общего назначения применений усилителя
VHF-UHF. | Advanced Semiconductor |
| 53726 | 2SC2952 | 2SC2592 будет высокочастотным транзистором
конструированным для общего назначения применений усилителя
VHF-UHF. | Advanced Semiconductor |
| 53727 | 2SC2954 | СИЛЫ ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ NPN ПРЕССФОРМА
ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ МИНИАЯ | NEC |
| 53728 | 2SC2954-T1 | Для амплификации высокой частоты, низким уровнем шума, и широкой полосы. | NEC |
| 53729 | 2SC2954-T2 | Для амплификации высокой частоты, низким уровнем шума, и широкой полосы. | NEC |
| 53730 | 2SC2958 | Транзистор кремния | NEC |
| 53731 | 2SC2958-T | Транзистор кремния | NEC |
| 53732 | 2SC2959 | Транзистор кремния | NEC |
| 53733 | 2SC2959-T | Транзистор кремния | NEC |
| 53734 | 2SC2960 | Транзисторов Кремния NPN Применения Переключения
Скорости Эпитаксиальных Плоскостных Высокие | SANYO |
| 53735 | 2SC2979 | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
| 53736 | 2SC2979 | Применения Управлением Переключения/Мотора Силы Кремния
NPN Втройне Отраженные Type(High) | Hitachi Semiconductor |
| 53737 | 2SC2979 | СИЛА TRANSISTORS(3ЈA, 800v, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53738 | 2SC2979 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 53739 | 2SC2982 | Применений Storobo типа кремния NPN
транзистора применения усилителя силы эпитаксиальных (процесса
pct) внезапных средств | TOSHIBA |
| 53740 | 2SC2983 | Применения усилителя этапа водителя применений
усилителя силы типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные
(процесса pct) | TOSHIBA |
| 53741 | 2SC2987 | УСИЛИТЕЛЬ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ТРАНЗИСТОРА
КРЕМНИЯ КРЕМНИЯ EPITAXIAL/NPN PNP ОТРАЖЕННЫЙ ТРИППЕЛЕМ | Unknow |
| 53742 | 2SC2987 | УСИЛИТЕЛЬ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ТРАНЗИСТОРА
КРЕМНИЯ КРЕМНИЯ EPITAXIAL/NPN PNP ОТРАЖЕННЫЙ ТРИППЕЛЕМ | Unknow |
| 53743 | 2SC2987 | УСИЛИТЕЛЬ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ТРАНЗИСТОРА
КРЕМНИЯ КРЕМНИЯ EPITAXIAL/NPN PNP ОТРАЖЕННЫЙ ТРИППЕЛЕМ | Unknow |
| 53744 | 2SC2987 | УСИЛИТЕЛЬ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ТРАНЗИСТОРА
КРЕМНИЯ КРЕМНИЯ EPITAXIAL/NPN PNP ОТРАЖЕННЫЙ ТРИППЕЛЕМ | Unknow |
| 53745 | 2SC2987A | УСИЛИТЕЛЬ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ТРАНЗИСТОРА
КРЕМНИЯ КРЕМНИЯ EPITAXIAL/NPN PNP ОТРАЖЕННЫЙ ТРИППЕЛЕМ | Unknow |
| 53746 | 2SC2987A | УСИЛИТЕЛЬ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ТРАНЗИСТОРА
КРЕМНИЯ КРЕМНИЯ EPITAXIAL/NPN PNP ОТРАЖЕННЫЙ ТРИППЕЛЕМ | Unknow |
| 53747 | 2SC2987A | УСИЛИТЕЛЬ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ТРАНЗИСТОРА
КРЕМНИЯ КРЕМНИЯ EPITAXIAL/NPN PNP ОТРАЖЕННЫЙ ТРИППЕЛЕМ | Unknow |
| 53748 | 2SC2987A | УСИЛИТЕЛЬ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ТРАНЗИСТОРА
КРЕМНИЯ КРЕМНИЯ EPITAXIAL/NPN PNP ОТРАЖЕННЫЙ ТРИППЕЛЕМ | Unknow |
| 53749 | 2SC2988 | Транзисторы (направляющий выступ выбора Применением и
функциями) | Panasonic |
| 53750 | 2SC2995 | Тип кремния NPN транзистора эпитаксиальный
(процесс) FM/AM rf pct, СМЕШИВАНИЕ, ГЕНЕРАТОР, ЕСЛИ
высокочастотные применения усилителя | TOSHIBA |
| 53751 | 2SC2996 | Тип кремния NPN транзистора эпитаксиальный
(процесс) FM/AM rf pct, СМЕШИВАНИЕ, местное, ЕСЛИ
высокочастотные применения усилителя | TOSHIBA |
| 53752 | 2SC2999 | Применения Усилителя Hf Транзистора Кремния
NPN Эпитаксиальные Плоскостные | SANYO |
| 53753 | 2SC3000 | Применения Усилителя Hf Транзистора Кремния
NPN Эпитаксиальные Плоскостные | SANYO |
| 53754 | 2SC3001 | ТИП ТРАНЗИСТОРА СИЛЫ NPN RF ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
ПЛОСКОСТНОЙ | Mitsubishi Electric Corporation |
| 53755 | 2SC3006 | ТРАНЗИСТОР (UHF ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ
ПОЛОСЫ) | TOSHIBA |
| 53756 | 2SC3007 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 53757 | 2SC3007 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 53758 | 2SC3007 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 53759 | 2SC3011 | Полосы Типа UHF~C Кремния NPN Транзистора
Применения Усилителя Шума Эпитаксиальной Плоскостной Низкие | TOSHIBA |
| 53760 | 2SC3012 | УСИЛИТЕЛЬ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ТРАНЗИСТОРА
КРЕМНИЯ КРЕМНИЯ EPITAXIAL/NPN PNP ОТРАЖЕННЫЙ ТРИППЕЛЕМ | Unknow |
| | | |
