| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 56201 | 2SC5374 | Vhf к UHF ГЕНЕРАТОРУ полосы, применения
транзистора кремния NPN эпитаксиальный плоскостной усилителей
Высок-Castoty | SANYO |
| 56202 | 2SC5375 | Vhf к UHF ГЕНЕРАТОРУ полосы, применения
транзистора кремния NPN эпитаксиальный плоскостной усилителей
Высок-Castoty | SANYO |
| 56203 | 2SC5376 | Применения усилителя тональнозвуковой частоты типа
кремния NPN транзистора эпитаксиальные общего назначения для
приглушая и переключая применений | TOSHIBA |
| 56204 | 2SC5376F | Применения усилителя тональнозвуковой частоты типа
кремния NPN транзистора эпитаксиальные общего назначения для
приглушая и переключая применений | TOSHIBA |
| 56205 | 2SC5376FV | Транзистор для низкочастотного усиления слабого сигнала | TOSHIBA |
| 56206 | 2SC5378 | Type(For planer кремния NPN колебание
эпитаксиального low-voltage малошумное высокочастотное) | Panasonic |
| 56207 | 2SC5379 | Small-signal приспособление - small-signal
транзистор - высокая скорость Switch.VCO и высокое Freq. | Panasonic |
| 56208 | 2SC5380 | Для горизонтального выхода отклонения | Panasonic |
| 56209 | 2SC5380 | Для горизонтального выхода отклонения | Panasonic |
| 56210 | 2SC5380A | Для горизонтального выхода отклонения | Panasonic |
| 56211 | 2SC5380A | Для горизонтального выхода отклонения | Panasonic |
| 56212 | 2SC5382 | Транзисторы переключения скорости Высок-Napr4jeni4
тока высокие/транзисторы переключения для освещения | Shindengen |
| 56213 | 2SC5383 | 125 МВт SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 50В VCEO, 200 мА Ic, от 150 до 800 HFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 56214 | 2SC5384 | 125 МВт SMD NPN-транзистор, максимальная оценка: 25В VCEO, 30мА Ic, от 35 до 180 HFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 56215 | 2SC5386 | ВЫХОД ОТКЛОНЕНИЯ ТИПА МЕЗЫ КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ДЛЯ HIGH
RESOLUTION ИНДИКАЦИИ, ПРИМЕНЕНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ QVETNOGO ТВ
ВЫСОКОСКОРОСТНЫХ | TOSHIBA |
| 56216 | 2SC5387 | ВЫХОД ОТКЛОНЕНИЯ ТИПА МЕЗЫ КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ДЛЯ HIGH
RESOLUTION ИНДИКАЦИИ, ПРИМЕНЕНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ QVETNOGO ТВ
ВЫСОКОСКОРОСТНЫХ | TOSHIBA |
| 56217 | 2SC5388 | Применения Переключения Высок-Napr4jeni4 тока | SANYO |
| 56218 | 2SC5390 | Высокое напряжение Транзистора Кремния NPN,
Высокоскоростной Переключатель | Hitachi Semiconductor |
| 56219 | 2SC5390 | Усилитель Кремния NPN Эпитаксиальный
Высокочастотный | Hitachi Semiconductor |
| 56220 | 2SC5392 | Для высокого напряжения пробоя переключения скоростного | Panasonic |
| 56221 | 2SC5393 | Type(For диффузии кремния NPN переключение
скорости напряжения тока нервного расстройства втройне плоскостного
высокое высокое) | Panasonic |
| 56222 | 2SC5395 | ТРАНЗИСТОР ТИПА КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
| 56223 | 2SC5395 | ТРАНЗИСТОР ТИПА КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
| 56224 | 2SC5396 | ТРАНЗИСТОР ТИПА КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
| 56225 | 2SC5396 | ТРАНЗИСТОР ТИПА КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ | Isahaya Electronics Corporation |
| 56226 | 2SC5397 | Ое type(Video кремния NPN эпитаксиальное
плоскостное) | Isahaya Electronics Corporation |
| 56227 | 2SC5397 | Ое type(Video кремния NPN эпитаксиальное
плоскостное) | Isahaya Electronics Corporation |
| 56228 | 2SC5398 | Для типа Micro(Frame типа Silicom NPN
применения Amplifty частоты Llow эпитаксиального) | Isahaya Electronics Corporation |
| 56229 | 2SC5398 | Для типа Micro(Frame типа Silicom NPN
применения Amplifty частоты Llow эпитаксиального) | Isahaya Electronics Corporation |
| 56230 | 2SC5404 | ВЫХОД ОТКЛОНЕНИЯ ТИПА МЕЗЫ КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ДЛЯ HIGH
RESOLUTION ИНДИКАЦИИ, ПРИМЕНЕНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ QVETNOGO ТВ
ВЫСОКОСКОРОСТНЫХ | TOSHIBA |
| 56231 | 2SC5405 | Водитель отклонения qvetnogo ТВ type(For
втройне диффузии кремния NPN плоскостной горизонтальный) | Panasonic |
| 56232 | 2SC5406 | Type(For мезы диффузии кремния NPN ое
отклонение втройне горизонтальное) | Panasonic |
| 56233 | 2SC5406A | Type(For мезы диффузии кремния NPN ое
отклонение втройне горизонтальное) | Panasonic |
| 56234 | 2SC5407 | Type(For мезы диффузии кремния NPN ое
отклонение втройне горизонтальное) | Panasonic |
| 56235 | 2SC5408 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ HIGH-GAIN | NEC |
| 56236 | 2SC5408-T1 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ HIGH-GAIN | NEC |
| 56237 | 2SC5409 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ HIGH-GAIN | NEC |
| 56238 | 2SC5409-T1 | ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ДЛЯ
АМПЛИФИКАЦИИ МИКРОВОЛНЫ HIGH-GAIN | NEC |
| 56239 | 2SC5410 | Для горизонтального выхода отклонения | Panasonic |
| 56240 | 2SC5410A | Для горизонтального выхода отклонения | Panasonic |
| | | |
