| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 890521 | MMBTH81 | Транзистор PNP Rf | Fairchild Semiconductor |
| 890522 | MMBTH81 | КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРА PMP UHF/VHF | Motorola |
| 890523 | MMBTH81LT1 | Транзистор UHF/VHF | Motorola |
| 890524 | MMBTH81_D87Z | Транзистор PNP Rf | Fairchild Semiconductor |
| 890525 | MMBTH81_NL | Транзистор PNP Rf | Fairchild Semiconductor |
| 890526 | MMBV105GL | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890527 | MMBV105GL | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890528 | MMBV105GLT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890529 | MMBV105GLT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890530 | MMBV105GLT1-D | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890531 | MMBV109 | Диоды Epicap Кремния | Leshan Radio Company |
| 890532 | MMBV109L | Диоды Epicap Кремния | ON Semiconductor |
| 890533 | MMBV109LT1 | Диоды Epicap Кремния | Leshan Radio Company |
| 890534 | MMBV109LT1 | Диоды Epicap Кремния | ON Semiconductor |
| 890535 | MMBV109LT3 | Диоды Epicap Кремния | ON Semiconductor |
| 890536 | MMBV2101 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890537 | MMBV2101L | PF диодов 6.8 до 100 кремния настраивая,
30 вольтов диодов емкости напряжения тока переменных | ON Semiconductor |
| 890538 | MMBV2101LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890539 | MMBV2101LT1 | PF диодов 6.8 до 100 кремния настраивая,
30 вольтов диодов емкости напряжения тока переменных | ON Semiconductor |
| 890540 | MMBV2101LT1-D | PF диодов 6.8 до 100 кремния настраивая,
30 вольтов диодов емкости напряжения тока переменных | ON Semiconductor |
| 890541 | MMBV2103L | PF диодов 6.8 до 100 кремния настраивая,
30 вольтов диодов емкости напряжения тока переменных | ON Semiconductor |
| 890542 | MMBV2103LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890543 | MMBV2103LT1 | PF диодов 6.8 до 100 кремния настраивая,
30 вольтов диодов емкости напряжения тока переменных | ON Semiconductor |
| 890544 | MMBV2105L | PF диодов 6.8 до 100 кремния настраивая,
30 вольтов диодов емкости напряжения тока переменных | ON Semiconductor |
| 890545 | MMBV2105LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890546 | MMBV2105LT1 | PF диодов 6.8 до 100 кремния настраивая,
30 вольтов диодов емкости напряжения тока переменных | ON Semiconductor |
| 890547 | MMBV2107L | PF диодов 6.8 до 100 кремния настраивая,
30 вольтов диодов емкости напряжения тока переменных | ON Semiconductor |
| 890548 | MMBV2107LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890549 | MMBV2107LT1 | PF диодов 6.8 до 100 кремния настраивая,
30 вольтов диодов емкости напряжения тока переменных | ON Semiconductor |
| 890550 | MMBV2108L | PF диодов 6.8 до 100 кремния настраивая,
30 вольтов диодов емкости напряжения тока переменных | ON Semiconductor |
| 890551 | MMBV2108LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890552 | MMBV2108LT1 | PF диодов 6.8 до 100 кремния настраивая,
30 вольтов диодов емкости напряжения тока переменных | ON Semiconductor |
| 890553 | MMBV2109L | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890554 | MMBV2109LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890555 | MMBV2109LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890556 | MMBV3102 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890557 | MMBV3102L | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890558 | MMBV3102LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890559 | MMBV3102LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890560 | MMBV3102LT1-D | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| | | |
