| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1 | BUZ900 | MOSFET мощностью N-канал для аудио приложений, 160V | Magnatec |
| 2 | BUZ900D | MOSFET мощностью N-канал для аудио приложений, 160V | Magnatec |
| 3 | BUZ900DP | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Magnatec |
| 4 | BUZ900DP | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Magnatec |
| 5 | BUZ900DP | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Magnatec |
| 6 | BUZ900P | N-канальный Мощность MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение 160V источник. | Magnatec |
| 7 | BUZ900X4S | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 8 | BUZ900X4S | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 9 | BUZ900X4S | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 10 | BUZ901 | MOSFET мощностью N-канал для аудио приложений, 200В | Magnatec |
| 11 | BUZ901D | MOSFET мощностью N-канал для аудио приложений, 200В | Magnatec |
| 12 | BUZ901DP | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Magnatec |
| 13 | BUZ901DP | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Magnatec |
| 14 | BUZ901DP | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Magnatec |
| 15 | BUZ901P | N-канальный Мощность MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение 200V источник. | Magnatec |
| 16 | BUZ901X4S | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 17 | BUZ901X4S | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 18 | BUZ901X4S | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 19 | BUZ902 | MOSFETS СИЛЫ КАНАЛА Н | Magnatec |
| 20 | BUZ902 | MOSFETS СИЛЫ КАНАЛА Н | Magnatec |
| 21 | BUZ902 | MOSFETS СИЛЫ КАНАЛА Н | Magnatec |
| 22 | BUZ902D | N-канальный Мощность MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение 220В источник. | Magnatec |
| 23 | BUZ902DP | N-канальный Мощность MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение 220В источник. | Magnatec |
| 24 | BUZ902P | MOSFETS СИЛЫ КАНАЛА Н | Magnatec |
| 25 | BUZ902P | MOSFETS СИЛЫ КАНАЛА Н | Magnatec |
| 26 | BUZ902P | MOSFETS СИЛЫ КАНАЛА Н | Magnatec |
| 27 | BUZ903 | N-канальный Мощность MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение 250В источник. | Magnatec |
| 28 | BUZ903D | N-канальный Мощность MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение 250В источник. | Magnatec |
| 29 | BUZ903DP | N-канальный Мощность MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение 250В источник. | Magnatec |
| 30 | BUZ903P | MOSFETS СИЛЫ КАНАЛА Н | Magnatec |
| 31 | BUZ903P | MOSFETS СИЛЫ КАНАЛА Н | Magnatec |
| 32 | BUZ903P | MOSFETS СИЛЫ КАНАЛА Н | Magnatec |
| 33 | BUZ905 | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 34 | BUZ905 | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 35 | BUZ905 | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 36 | BUZ905D | P-канальный питания MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение -160V источник. | Magnatec |
| 37 | BUZ905DP | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ
ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 38 | BUZ905DP | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ
ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 39 | BUZ905DP | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ
ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 40 | BUZ905P | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL | Magnatec |
| 41 | BUZ905P | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL | Magnatec |
| 42 | BUZ905P | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL | Magnatec |
| 43 | BUZ905X4S | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 44 | BUZ905X4S | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 45 | BUZ905X4S | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 46 | BUZ906 | P-канальный питания MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение -200V источник. | Magnatec |
| 47 | BUZ906D | P-канальный питания MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение -200V источник. | Magnatec |
| 48 | BUZ906DP | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ
ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 49 | BUZ906DP | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ
ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 50 | BUZ906DP | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ
ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 51 | BUZ906P | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL | Magnatec |
| 52 | BUZ906P | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL | Magnatec |
| 53 | BUZ906P | MOSFET СИЛЫ P-CHANNEL | Magnatec |
| 54 | BUZ906X4S | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 55 | BUZ906X4S | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 56 | BUZ906X4S | НОВОГО ИЗДЕЛИЕ ПОД РАЗВИТИЕМ | Magnatec |
| 57 | BUZ907 | MOSFETS СИЛЫ ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 58 | BUZ907 | MOSFETS СИЛЫ ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 59 | BUZ907 | MOSFETS СИЛЫ ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 60 | BUZ907D | P-канальный питания MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение -220V источник. | Magnatec |
| 61 | BUZ907DP | P-канальный питания MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение -220V источник. | Magnatec |
| 62 | BUZ907P | MOSFETS СИЛЫ ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 63 | BUZ907P | MOSFETS СИЛЫ ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 64 | BUZ907P | MOSFETS СИЛЫ ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 65 | BUZ908 | MOSFETS СИЛЫ ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 66 | BUZ908 | MOSFETS СИЛЫ ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 67 | BUZ908 | MOSFETS СИЛЫ ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 68 | BUZ908D | P-канальный питания MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение -250V источник. | Magnatec |
| 69 | BUZ908DP | P-канальный питания MOSFET. Полевые транзисторы для аудио-приложений. Слить - напряжение -250V источник. | Magnatec |
| 70 | BUZ908P | MOSFETS СИЛЫ ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 71 | BUZ908P | MOSFETS СИЛЫ ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 72 | BUZ908P | MOSFETS СИЛЫ ДЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫХ ПРИМЕНЕНИЙ | Magnatec |
| 73 | MAG90X95 | КОМПЛИМЕНТАРНЫЙ MOSFET СИЛЫ ДВОЙНОГО КАНАЛА
ПАРЫ | Magnatec |
| | | |
