| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 39901 | NM93C66LZEN | 256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM с
zero силой и выдвинутым напряжением тока (2.7V к 5.5V) | National Semiconductor |
| 39902 | NM93C66LZM8 | 256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM с
zero силой и выдвинутым напряжением тока (2.7V к 5.5V) | National Semiconductor |
| 39903 | NM93C66LZMT8 | 256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM с
zero силой и выдвинутым напряжением тока (2.7V к 5.5V) | National Semiconductor |
| 39904 | NM93C66LZN | 256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM с
zero силой и выдвинутым напряжением тока (2.7V к 5.5V) | National Semiconductor |
| 39905 | NM93C66LZVM8 | 256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM с
zero силой и выдвинутым напряжением тока (2.7V к 5.5V) | National Semiconductor |
| 39906 | NM93C66LZVMT8 | 256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM с
zero силой и выдвинутым напряжением тока (2.7V к 5.5V) | National Semiconductor |
| 39907 | NM93C66LZVN | 256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM с
zero силой и выдвинутым напряжением тока (2.7V к 5.5V) | National Semiconductor |
| 39908 | NM93C66M | Электрически Стираемые Programmable Памяти | National Semiconductor |
| 39909 | NM93C66MM | Электрически Стираемые Programmable Памяти | National Semiconductor |
| 39910 | NM93C66MN | Электрически Стираемые Programmable Памяти | National Semiconductor |
| 39911 | NM93C66N | Электрически Стираемые Programmable Памяти | National Semiconductor |
| 39912 | NM93C86AL | 16,384-Bit Последовательный интерфейс, Низкое
Напряжение тока Cmos EEPROM (Шина MICROWIRE
Одновременная) | National Semiconductor |
| 39913 | NM93CS06 | 256-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39914 | NM93CS06EM8 | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39915 | NM93CS06EN | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39916 | NM93CS06L | 256-Bit серийное EEPROM с выдвинутым
напряжением тока (2.7V к 5.5V) и данными защищают интерфеиса
сюины (MICROWIRE(TM)) | National Semiconductor |
| 39917 | NM93CS06LZ | 256-Bit серийное EEPROM с выдвинутым
напряжением тока (2.7V к 5.5V) и данными защищают интерфеиса
сюины (MICROWIRE(TM)) | National Semiconductor |
| 39918 | NM93CS06M8 | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39919 | NM93CS06MM8 | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39920 | NM93CS06MN | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39921 | NM93CS06N | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39922 | NM93CS46 | 1024-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39923 | NM93CS46EM8 | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39924 | NM93CS46EN | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39925 | NM93CS46L | 1024-Bit серийное EEPROM с выдвинутым
напряжением тока (2.7V к 5.5V) и данными защищают | National Semiconductor |
| 39926 | NM93CS46LZ | 1024-Bit серийное EEPROM с выдвинутым
напряжением тока (2.7V к 5.5V) и данными защищают интерфеиса
сюины (MICROWIRE(TM)) | National Semiconductor |
| 39927 | NM93CS46M8 | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39928 | NM93CS46MM8 | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39929 | NM93CS46MN | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39930 | NM93CS46N | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39931 | NM93CS56 | 2048-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39932 | NM93CS56EM8 | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39933 | NM93CS56EN | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39934 | NM93CS56L | 2048-Bit серийное EEPROM с выдвинутым
напряжением тока (2.7V к 5.5V) и данными защищают интерфеиса
сюины (MICROWIRE(TM)) | National Semiconductor |
| 39935 | NM93CS56LZ | 2048-Bit серийное EEPROM с выдвинутым
напряжением тока (2.7V к 5.5V) и данными защищают интерфеиса
сюины (MICROWIRE(TM)) | National Semiconductor |
| 39936 | NM93CS56M8 | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39937 | NM93CS56MM8 | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39938 | NM93CS56MN | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39939 | NM93CS56N | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39940 | NM93CS66 | 4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39941 | NM93CS66EM8 | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39942 | NM93CS66EN | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39943 | NM93CS66L | 4096-Bit серийное EEPROM с выдвинутым
напряжением тока (2.7V к 5.5V) и данными защищают интерфеиса
сюины (MICROWIRE(TM)) | National Semiconductor |
| 39944 | NM93CS66LZ | 4096-Bit серийное EEPROM с выдвинутым
напряжением тока (2.7V к 5.5V) и данными защищают интерфеиса
сюины (MICROWIRE(TM)) | National Semiconductor |
| 39945 | NM93CS66M8 | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39946 | NM93CS66MM8 | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39947 | NM93CS66MN | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39948 | NM93CS66N | (интерфеиса сюины MICROWIRETM)
256-/1024-/2048-/4096-Bit серийное EEPROM при прочитанные
данные защищают и последовательная | National Semiconductor |
| 39949 | NM95HS01 | Генератор HISEC (Высокий Кода защиты) | National Semiconductor |
| 39950 | NM95HS02 | Генератор HISEC (Высокий Кода защиты) | National Semiconductor |
| 39951 | NM95MS14 | Приспособления штепсельной вилки и игры front-End
для систем ИСА-Winy | National Semiconductor |
| 39952 | NM95MS14VBH | Приспособления игры н штепсельной вилки front-End
для систем ИСА-Winy | National Semiconductor |
| 39953 | NM95MS15 | Штепсельная вилка и приспособление игры front-End
для систем ИСА-Winy | National Semiconductor |
| 39954 | NM95MS16 | Приспособления переднего конца штепсельной вилки и игры
для систем ИСА-Winy | National Semiconductor |
| 39955 | NMC2116J-20 | 200 нс, 5 V, 1 Вт, 2048 х 8 статическое ОЗУ | National Semiconductor |
| 39956 | NMC2116J-20L | 200 нс, 5 V, 1 Вт, 2048 х 8 статическое ОЗУ | National Semiconductor |
| 39957 | NMC2116J-25L | 250 нс, 5 V, 1 Вт, 2048 х 8 статическое ОЗУ | National Semiconductor |
| 39958 | NMC2116N-20 | 200 нс, 5 V, 1 Вт, 2048 х 8 статическое ОЗУ | National Semiconductor |
| 39959 | NMC2116N-20L | 200 нс, 5 V, 1 Вт, 2048 х 8 статическое ОЗУ | National Semiconductor |
| 39960 | NMC2116N-25L | 250 нс, 5 V, 1 Вт, 2048 х 8 статическое ОЗУ | National Semiconductor |
| 39961 | NMC2532 | 32k-Bit (prom 4k x 8) UV
стираемый | National Semiconductor |
| 39962 | NMC2532Q | 32k-Bit (prom 4k x 8) UV
стираемый | National Semiconductor |
| 39963 | NMC2764 | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39964 | NMC2764-2 | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39965 | NMC2764-25 | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39966 | NMC2764-3 | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39967 | NMC2764-30 | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39968 | NMC2764-4 | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39969 | NMC2764-45 | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39970 | NMC2764E | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39971 | NMC2764H | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39972 | NMC2764H-2 | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39973 | NMC2764H-25 | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39974 | NMC2764H-3 | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39975 | NMC2764H-30 | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39976 | NMC2764H-4 | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39977 | NMC2764H-45 | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39978 | NMC2764HE | (8192X8) UV СТИРАЕМЫЙ PROM
65,536-BIT | National Semiconductor |
| 39979 | NMC27C010Q15 | 150 нс, VCC = 5В +/- 5%, 1048576-бит (128k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39980 | NMC27C010Q150 | 150 нс, VCC = 5В +/- 10%, 1048576-бит (128k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39981 | NMC27C010Q17 | 170 нс, VCC = 5В +/- 5%, 1048576-бит (128k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39982 | NMC27C010Q170 | 170 нс, VCC = 5В +/- 10%, 1048576-бит (128k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39983 | NMC27C010Q20 | 200 нс, VCC = 5В +/- 5%, 1048576-бит (128k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39984 | NMC27C010Q200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 1048576-бит (128k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39985 | NMC27C010Q25 | 250 нс, VCC = 5В +/- 5%, 1048576-бит (128k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39986 | NMC27C010Q250 | 250 нс, VCC = 5В +/- 10%, 1048576-бит (128k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39987 | NMC27C010QE170 | 170 нс, VCC = 5В +/- 10%, 1048576-бит (128k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39988 | NMC27C010QE200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 1048576-бит (128k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39989 | NMC27C010QE250 | 250 нс, VCC = 5В +/- 10%, 1048576-бит (128k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39990 | NMC27C010QM170 | 170 нс, VCC = 5В +/- 10%, 1048576-бит (128k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39991 | NMC27C010QM200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 1048576-бит (128k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39992 | NMC27C010QM250 | 250 нс, VCC = 5В +/- 10%, 1048576-бит (128k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39993 | NMC27C1024Q12 | 120 нс, VCC = 5В +/- 5%, 1048576-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39994 | NMC27C1024Q120 | 120 нс, VCC = 5В +/- 10%, 1048576-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39995 | NMC27C1024Q15 | 150 нс, VCC = 5В +/- 5%, 1048576-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39996 | NMC27C1024Q150 | 150 нс, VCC = 5В +/- 10%, 1048576-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39997 | NMC27C1024Q17 | 170 нс, VCC = 5В +/- 5%, 1048576-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39998 | NMC27C1024Q170 | 170 нс, VCC = 5В +/- 10%, 1048576-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 39999 | NMC27C1024Q20 | 200 нс, VCC = 5В +/- 5%, 1048576-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| 40000 | NMC27C1024Q200 | 200 нс, VCC = 5В +/- 10%, 1048576-бит (64k х 8) УФ стираемая CMOS ПРОМ | National Semiconductor |
| | | |
