Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
501 | K4D263238F-QC50 | 1M x 32Bit x 4 крена удваивает
DRAM тарифа данных одновременный с bi-directional стробом
данных и dll | Samsung Electronic |
502 | K4D263238G-GC | 128MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
503 | K4D263238G-GC2A | 128MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
504 | K4D263238G-GC33 | 128MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
505 | K4D263238G-VC | 128MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
506 | K4D263238M | 1M x 32Bit x 4 крена удваивает
ШТОССЕЛЬ тарифа данных одновременный с bi-directional листом
строба данных и данных по dll | Samsung Electronic |
507 | K4D263238M-QC45 | 1M x 32Bit x 4 крена удваивает
ШТОССЕЛЬ тарифа данных одновременный с bi-directional стробом
данных и dll | Samsung Electronic |
508 | K4D263238M-QC50 | 1M x 32Bit x 4 крена удваивает
ШТОССЕЛЬ тарифа данных одновременный с bi-directional стробом
данных и dll | Samsung Electronic |
509 | K4D263238M-QC55 | 1M x 32Bit x 4 крена удваивает
ШТОССЕЛЬ тарифа данных одновременный с bi-directional стробом
данных и dll | Samsung Electronic |
510 | K4D263238M-QC60 | 1M x 32Bit x 4 крена удваивает
ШТОССЕЛЬ тарифа данных одновременный с bi-directional стробом
данных и dll | Samsung Electronic |
511 | K4D26323AA-GL | 1M x 32Bit x 4 крена удваивает
ШТОССЕЛЬ тарифа данных одновременный с bi-directional листом
строба данных и данных по dll | Samsung Electronic |
512 | K4D26323RA | 1M x 32Bit x 4 крена удваивает
ШТОССЕЛЬ тарифа данных одновременный с bi-directional стробом
данных и dll | Samsung Electronic |
513 | K4D26323RA-GC | 1M x 32Bit x 4 крена удваивает
ШТОССЕЛЬ тарифа данных одновременный с bi-directional листом
строба данных и данных по dll | Samsung Electronic |
514 | K4D26323RA-GC2A | 1M x 32Bit x 4 крена удваивает
ШТОССЕЛЬ тарифа данных одновременный с bi-directional стробом
данных и dll | Samsung Electronic |
515 | K4D26323RA-GC33 | 1M x 32Bit x 4 крена удваивает
ШТОССЕЛЬ тарифа данных одновременный с bi-directional стробом
данных и dll | Samsung Electronic |
516 | K4D26323RA-GC36 | 1M x 32Bit x 4 крена удваивает
ШТОССЕЛЬ тарифа данных одновременный с bi-directional стробом
данных и dll | Samsung Electronic |
517 | K4D28163HD | 2M х 16Bit x 4 крена удваивают
ШТОССЕЛЬ тарифа данных одновременный с bi-directional листом
строба данных и данных по dll | Samsung Electronic |
518 | K4D28163HD-TC36 | 128MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
519 | K4D28163HD-TC40 | 128MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
520 | K4D28163HD-TC50 | 128MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
521 | K4D28163HD-TC60 | 128MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
522 | K4D551638D | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
523 | K4D551638D-TC | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
524 | K4D551638D-TC2A | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
525 | K4D551638D-TC33 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
526 | K4D551638D-TC36 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
527 | K4D551638D-TC40 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
528 | K4D551638D-TC45 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
529 | K4D551638D-TC50 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
530 | K4D551638F-TC | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
531 | K4D551638F-TC33 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
532 | K4D551638F-TC36 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
533 | K4D551638F-TC40 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
534 | K4D551638F-TC50 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
535 | K4D551638F-TC60 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
536 | K4D553235F-GC | 256M GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
537 | K4D553235F-GC25 | 256M GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
538 | K4D553235F-GC2A | 256M GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
539 | K4D553235F-GC33 | 256M GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
540 | K4D553238F | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
541 | K4D553238F-GC | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
542 | K4D553238F-GC2A | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
543 | K4D553238F-GC33 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
544 | K4D553238F-GC36 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
545 | K4D553238F-JC | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
546 | K4D553238F-JC2A | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
547 | K4D553238F-JC33 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
548 | K4D553238F-JC36 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
549 | K4D553238F-JC40 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
550 | K4D553238F-JC50 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
551 | K4D623237 | 512K х 32Bit x 4 крена удваивают лист
данным по DRAM тарифа данных одновременный | Samsung Electronic |
552 | K4D623238B-G(Q)C | 512K х 32Bit x 4 крена удваивают данные
по ШТОССЕЛЯ тарифа данных одновременным расширенные wi из листа
данных | Samsung Electronic |
553 | K4D623238B-GC | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
554 | K4D623238B-GC/L33 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
555 | K4D623238B-GC/L40 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
556 | K4D623238B-GC/L45 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
557 | K4D623238B-GC/L50 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
558 | K4D623238B-GC/L55 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
559 | K4D623238B-GC/L60 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
560 | K4D64163HF | 1M x 16Bit x 4 крена удваивает
DRAM тарифа данных одновременный | Samsung Electronic |
561 | K4D64163HF-TC33 | 1M x 16Bit x 4 крена удваивает
DRAM тарифа данных одновременный | Samsung Electronic |
562 | K4D64163HF-TC36 | 1M x 16Bit x 4 крена удваивает
DRAM тарифа данных одновременный | Samsung Electronic |
563 | K4D64163HF-TC40 | 1M x 16Bit x 4 крена удваивает
DRAM тарифа данных одновременный | Samsung Electronic |
564 | K4D64163HF-TC50 | 1M x 16Bit x 4 крена удваивает
DRAM тарифа данных одновременный | Samsung Electronic |
565 | K4D64163HF-TC60 | 1M x 16Bit x 4 крена удваивает
DRAM тарифа данных одновременный | Samsung Electronic |
566 | K4E151611 | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
567 | K4E151611D | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
568 | K4E151611D-J | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 1K цикл обновления. | Samsung Electronic |
569 | K4E151611D-T | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 1K цикл обновления. | Samsung Electronic |
570 | K4E151612D | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
571 | K4E151612D-J | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 1K цикл обновления. | Samsung Electronic |
572 | K4E151612D-T | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 1K цикл обновления. | Samsung Electronic |
573 | K4E16(7)0411(2)D | ШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
574 | K4E16(7)0811(2)D | ШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными из листа данных | Samsung Electronic |
575 | K4E160411D | ШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
576 | K4E160411D-B | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
577 | K4E160411D-F | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
578 | K4E160412D | ШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
579 | K4E160412D-B | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
580 | K4E160412D-F | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
581 | K4E160811D | ШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
582 | K4E160811D-B | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
583 | K4E160811D-F | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
584 | K4E160812D | ШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
585 | K4E160812D-B | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
586 | K4E160812D-F | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 2K цикл обновления. | Samsung Electronic |
587 | K4E170411D | ШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
588 | K4E170411D-B | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
589 | K4E170411D-F | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
590 | K4E170412D | ШТОССЕЛЬ 4M х 4Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
591 | K4E170412D-B | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
592 | K4E170412D-F | 4M х 4 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
593 | K4E170811D | ШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
594 | K4E170811D-B | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
595 | K4E170811D-F | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
596 | K4E170812D | ШТОССЕЛЬ 2M х 8Bit cmos динамический с
выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
597 | K4E170812D-B | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
598 | K4E170812D-F | 2M х 8 бит CMOS динамическое ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 3,3 Напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
599 | K4E171611D | ШТОССЕЛЬ 1M x 16Bit cmos
динамический с выдвинутыми данными вне | Samsung Electronic |
600 | K4E171611D-J | 1M х 16 бит CMOS динамического ОЗУ с расширенными данными вне. Поставка 5V напряжение, 4K цикл обновления. | Samsung Electronic |
| | | |