|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 25532 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
21901STW26NM60MOSFET СИЛЫ ОМА 26ЈA TO-247/MAX220/MAX220I ZENER-PROTECTED MDMESH N-CHANNEL 600V 0.125SGS Thomson Microelectronics
21902STW33N20Н - Mosfet СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
21903STW33N20СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21904STW38NB20Н - Mosfet PowerMESH РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
21905STW45NM50N-CHANNEL 500V - 0.07Ohm - Mosfet Силы 45ЈA TO-247 MdmeshSGS Thomson Microelectronics
21906STW45NM50MOSFET СИЛЫ ОМА 45ЈA TO-247 MDMESH N-CHANNEL 500V 0.08SGS Thomson Microelectronics
21907STW45NM50MOSFET N-CHANNEL 500V 0.08OHM 45ЈA TO-247 MDMESHSGS Thomson Microelectronics
21908STW45NM50FDMOSFET СИЛЫ ОМА 45ЈA TO-247 FDMESH N-CHANNEL 500V 0.09SGS Thomson Microelectronics
21909STW45NM60MOSFET СИЛЫ ОМА 45ЈA TO-247 MDMESH N-CHANNEL 600V 0.09SGS Thomson Microelectronics
21910STW50932.7V КОДЕК ПОСТАВКЫ 14-BIT ЛИНЕЙНЫЙ С HIGH-PERFORMANCE ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫМ FRONT-ENDSGS Thomson Microelectronics
21911STW50932.7V КОДЕК ПОСТАВКЫ 14-BIT ЛИНЕЙНЫЙ С HIGH-PERFORMANCE ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫМ FRONT-ENDSGS Thomson Microelectronics
21912STW509418 BIT 8 кГц до 48 кГц Низкая мощность стерео аудио ЦАП встроенный блок питания, усилители и голосовой кодекSGS Thomson Microelectronics
21913STW50N10Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
21914STW50N10СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21915STW50NB20Н - КАНАЛ 200V - 0.047W - 50A - Mosfet TO-247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
21916STW55NE10Н - КАНАЛ 100V - 0.021Ohm - 55ЈA - Mosfet СИЛЫ TO247 STripFETSGS Thomson Microelectronics
21917STW5NA100Н - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
21918STW5NA100СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21919STW5NA90Н - ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
21920STW5NA90СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21921STW5NB100Н - КАНАЛ 1000V - 4W - 4.3ЈA - TO-247, Mosfet PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
21922STW5NB90Н - КАНАЛ 900V - 2.3 Ома - 5.6ЈA - Mosfet TO-247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
21923STW60N10Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
21924STW60N10СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21925STW60NE10Н - КАНАЛ 100V - 0.016ЈOhm - Mosfet СИЛЫ 60A TO-247 STripFETSGS Thomson Microelectronics
21926STW6NA80Н - КАНАЛ 800V - 1.8 Ома - 5.4ЈA - TO-247/ISOWATT218 ГОЛОДАЮТ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
21927STW6NA80СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21928STW6NA90СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21929STW6NA90Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
21930STW6NB100Н - КАНАЛ 1000V - 2.3W - 5.4ЈA - TO-247, Mosfet PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
21931STW6NB90Н - КАНАЛ 900V - 1.7 Ома - 6.3ЈA - Mosfet TO-247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
21932STW6NC90ZMOSFET N-CHANNEL 900V 2.1OHM 5.2ЈA TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
21933STW7NA100Н - РЕЖИМ ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА, ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
21934STW7NA100СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21935STW7NA80СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21936STW7NA80Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
21937STW7NA90Н - КАНАЛ 900V - 1.05 Ома - 7A - TO-247/ISOWATT218 ГОЛОДАЮТ Mosfet СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
21938STW7NA90СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21939STW7NB80N-CHANNEL 800V - 1.6 Ома - 6.5ЈA - Mosfet TO-247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
21940STW7NC80ZMOSFET N-CHANNEL 800V 1.5ЈOHM 6ЈA TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
21941STW7NC90ZMOSFET ОМА 6ЈA TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 900V 1.55SGS Thomson Microelectronics
21942STW80N06-10Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ УЛЬТРА ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ "РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ" КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
21943STW80N06-10СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21944STW80NE06-10MOSFET СИЛЫ ОМА 80A TO-247 STRIPFET N-CHANNEL 60V 0.0085SGS Thomson Microelectronics
21945STW80NE06-10Н - КАНАЛ 60V - 0.0085 Ома - 80A - Mosfet TO-247 STripFET ?OWERSGS Thomson Microelectronics
21946STW80NF10MOSFET СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET СТРОБА ОМА 80A TO-247 N-CHANNEL 100V 0.012 НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
21947STW80NF55-06MOSFET СИЛЫ ОМА 80A TO-247 STRIPFET II N-CHANNEL 55V 0.005SGS Thomson Microelectronics
21948STW8NA60Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
21949STW8NA60СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21950STW8NA80СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21951STW8NA80Н - ТРАНЗИСТОРЫ Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛАSGS Thomson Microelectronics
21952STW8NB100Н - КАНАЛ 1000V - 1.2W - 8ЈA - TO-247, Mosfet PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
21953STW8NB80Н - КАНАЛ 800V - 1.2 Ома - 7.5ЈA - Mosfet TO-247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
21954STW8NB90Н - КАНАЛ 900V - 1.1 Ома - 8ЈA - Mosfet TO-247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
21955STW8NB90N-CHANNEL 900V - 1.1 ОМА - 8ЈA - MOSFET TO-247/ISOWATT218 POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
21956STW8NC70ZMOSFET ОМА 7A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 700V 1.1SGS Thomson Microelectronics
21957STW8NC80ZMOSFET ОМА 6.7A TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 800V 1.3SGS Thomson Microelectronics
21958STW8NC90ZMOSFET N-CHANNEL 900V 1.1OHM 7.6ЈA TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
21959STW9NA60Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
21960STW9NA60СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21961STW9NA80Н - КАНАЛ 800V - 0.85ЈOhm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 ГОЛОДАЮТ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
21962STW9NA80СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНЫЙ ПРОДУКТ Ф: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21963STW9NB80N-CHANNEL 800V - 0.85 Ома - 9.3ЈA - Mosfet TO-247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
21964STW9NB80N-CHANNEL 900V - 0.85 ОМА - 9.3ЈA - MOSFET TO-247 POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
21965STW9NB90N-CHANNEL 900V - 0.85 Ома - 9.7A - Mosfet TO-247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
21966STW9NC70ZMOSFET ОМА 7.5ЈA TO-247 ZENER-PROTECTED POWERMESH III N-CHANNEL 700V 0.90SGS Thomson Microelectronics
21967STX112ТРАНЗИСТОР СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯ NPNSGS Thomson Microelectronics
21968STX13003ТРАНЗИСТОР СИЛЫ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ FAST-SWITCHING NPNSGS Thomson Microelectronics
21969STX13005ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ быстрой коммутации NPN СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОРSGS Thomson Microelectronics



21970STX13005-APВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ быстрой коммутации NPN СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОРSGS Thomson Microelectronics
21971STX715ТРАНЗИСТОР СИЛЫ NPN СРЕДСТВSGS Thomson Microelectronics
21972STX817ТРАНЗИСТОР СИЛЫ PNP СРЕДСТВSGS Thomson Microelectronics
21973STX83003ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ быстрой коммутации NPN СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОРSGS Thomson Microelectronics
21974STX93003ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ быстрой коммутации PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОРSGS Thomson Microelectronics
21975STY100NS20FDMOSFET ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ ОМА 100A ISOTOP N-CHANNEL 200V 0.022SGS Thomson Microelectronics
21976STY140NS10N-CHANNEL 100V - 0.009 ОМА - MOSFET СИЛЫ ВЕРХНЕГО СЛОЯ СЕТКИ 140A MAX247SGS Thomson Microelectronics
21977STY15NA100Н - КАНАЛ 1000V - 0.65 Ш - 15ЈA - Max247, MosfetSGS Thomson Microelectronics
21978STY16NA90Н - КАНАЛ 900V - 0.5 Ома - 16ЈA - ВЕСЬМА НИЗКИЙ Mosfet СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА Max247SGS Thomson Microelectronics
21979STY25NA60Н - КАНАЛ 600V - 0.225W - 25 А - Mosfet СИЛЫ ОБЯЗАННОСТИ СТРОБА Max247 EXSTREMELY НИЗКИЙSGS Thomson Microelectronics
21980STY30NA50СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
21981STY30NA50Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА БЫСТРЫЙSGS Thomson Microelectronics
21982STY34NB50Н - КАНАЛ 500V - 0.11Ohm До 34 А - Mosfet Max247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
21983STY34NB50FН - КАНАЛ 500V - 0.11Ohm До 34 А - Mosfet Max247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
21984STY60NA20Н - КАНАЛ 200V - 0.030W - 60 А - Max247 ГОЛОДАЮТ ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫSGS Thomson Microelectronics
21985STY60NM50MOSFET СИЛЫ ОМА 60A MAX247 ZENER-PROTECTED MDMESH N-CHANNEL 500V 0.045SGS Thomson Microelectronics
21986STY60NM60MOSFET СИЛЫ ОМА 60A MAX247 ZENER-PROTECTED MDMESH N-CHANNEL 600V 0.50SGS Thomson Microelectronics
21987STZT2222СРЕДСТВ УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ GaAs MMICSGS Thomson Microelectronics
21988STZT2222ТРАНЗИСТОР СРЕДСТВ КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЕЙ СИЛЫ NPN ПЛОСКОСТНОЙSGS Thomson Microelectronics
21989STZT2222AСРЕДСТВ УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ GaAs MMICSGS Thomson Microelectronics
21990STZT2222AМАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА NPNSGS Thomson Microelectronics
21991STZT2222AТРАНЗИСТОР СРЕДСТВ КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЕЙ СИЛЫ NPN ПЛОСКОСТНОЙSGS Thomson Microelectronics
21992STZT2907ТРАНЗИСТОР СРЕДСТВ КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЕЙ СИЛЫ NPN ПЛОСКОСТНОЙSGS Thomson Microelectronics
21993STZT2907СРЕДСТВ УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ GaAs MMICSGS Thomson Microelectronics
21994STZT2907AТРАНЗИСТОР СРЕДСТВ КРЕМНИЯ УСИЛИТЕЛЕЙ СИЛЫ NPN ПЛОСКОСТНОЙSGS Thomson Microelectronics
21995STZT2907AСРЕДСТВ УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ GaAs MMICSGS Thomson Microelectronics
21996STZT5401СРЕДСТВ УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ GaAs MMICSGS Thomson Microelectronics
21997STZTA42СРЕДСТВ УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ GaAs MMICSGS Thomson Microelectronics
21998STZTA92СРЕДСТВ УСИЛИТЕЛЬ СИЛЫ GaAs MMICSGS Thomson Microelectronics
21999STZTA92МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА PNP В TO-5SGS Thomson Microelectronics
22000T0605MHЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ GATE симисторыSGS Thomson Microelectronics

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 | 116 | 117 | 118 | 119 | 120 | 121 | 122 | 123 | 124 | 125 | 126 | 127 | 128 | 129 | 130 | 131 | 132 | 133 | 134 | 135 | 136 | 137 | 138 | 139 | 140 | 141 | 142 | 143 | 144 | 145 | 146 | 147 | 148 | 149 | 150 | 151 | 152 | 153 | 154 | 155 | 156 | 157 | 158 | 159 | 160 | 161 | 162 | 163 | 164 | 165 | 166 | 167 | 168 | 169 | 170 | 171 | 172 | 173 | 174 | 175 | 176 | 177 | 178 | 179 | 180 | 181 | 182 | 183 | 184 | 185 | 186 | 187 | 188 | 189 | 190 | 191 | 192 | 193 | 194 | 195 | 196 | 197 | 198 | 199 | 200 | 201 | 202 | 203 | 204 | 205 | 206 | 207 | 208 | 209 | 210 | 211 | 212 | 213 | 214 | 215 | 216 | 217 | 218 | 219 | 220 | 221 | 222 | 223 | 224 | 225 | 226 | 227 | 228 | 229 | 230 | 231 | 232 | 233 | 234 | 235 | 236 | 237 | 238 | 239 | 240 | 241 | 242 | 243 | 244 | 245 | 246 | 247 | 248 | 249 | 250 | 251 | 252 | 253 | 254 | 255 | 256 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/sgsthomsonmicroelectronics/1/