| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1201 | 2SC3125 | Изображение Tv Эпитаксиального Плоскостного Типа
Кремния NPN Транзистора Окончательное ЕСЛИ Применения Усилителя | TOSHIBA |
| 1202 | 2SC3138 | Применения конвертера применений DC-DC регулятора
переключения применений переключения типа кремния NPN транзистора
втройне отраженные (процесса pct) высоковольтные | TOSHIBA |
| 1203 | 2SC3147 | NPN ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ (ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ
ПОЛОСЫ VHF) | TOSHIBA |
| 1204 | 2SC3148 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ
ОТРАЖЕННЫЙ. РЕГУЛЯТОР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ,
ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА
DC-DC. | TOSHIBA |
| 1205 | 2SC3180 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 1206 | 2SC3180 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 1207 | 2SC3180 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 1208 | 2SC3181 | ПРИМЕНЕНИЕ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ | TOSHIBA |
| 1209 | 2SC3182 | Применения Усилителя Силы | TOSHIBA |
| 1210 | 2SC3225 | ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА СОЛЕНОИДА ПРИМЕНЕНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
ТИПА КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | TOSHIBA |
| 1211 | 2SC3233 | Регулятор переключения типа кремния NPN
транзистора втройне отраженный и применения конвертера применений
высокоскоростные DC-DC переключения высокого напряжения | TOSHIBA |
| 1212 | 2SC3257 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 1213 | 2SC3257 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 1214 | 2SC3257 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 1215 | 2SC3258 | Тип Кремния NPN Эпитаксиальный | TOSHIBA |
| 1216 | 2SC3265 | Применения переключения силы применений усилителя силы
низкой частотности типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные
(процесса pct) | TOSHIBA |
| 1217 | 2SC3266 | Применения переключения силы применений усилителя силы
типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct) | TOSHIBA |
| 1218 | 2SC3267 | Применения переключения силы применений усилителя силы
типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct) | TOSHIBA |
| 1219 | 2SC3268 | Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора
применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия
гигагерца fT=16) | TOSHIBA |
| 1220 | 2SC3269 | Кремния NPN-транзистор для стробоскоп флэш-приложений и приложений усилителей мощности среднего | TOSHIBA |
| 1221 | 2SC3279 | Применений вспышки строба типа кремния NPN
транзистора применения усилителя силы эпитаксиальных (процесса
pct) средств | TOSHIBA |
| 1222 | 2SC3295 | Применения усилителя тональнозвуковой частоты типа
кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct)
переключая применения | TOSHIBA |
| 1223 | 2SC3298 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1224 | 2SC3298 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1225 | 2SC3298 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1226 | 2SC3298B | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1227 | 2SC3298B | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1228 | 2SC3298B | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1229 | 2SC3299 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPNEPITAXIAL TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1230 | 2SC3299 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPNEPITAXIAL TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1231 | 2SC3299 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPNEPITAXIAL TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1232 | 2SC3302 | ПОЛОСЫ ТИПА VHF-UHF КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА
ПРИМЕНЕНИЕ УСИЛИТЕЛЯ ШУМА ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТНОЙ НИЗКОЕ | TOSHIBA |
| 1233 | 2SC3303 | Применения конвертера применений DC-DC
переключения типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные
(процесса pct) высокие в настоящее время | TOSHIBA |
| 1234 | 2SC3306 | ТИП NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (РЕГУЛЯТОР
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ
ПРИМЕНЕНИЕ КОНВЕРТЕРА DC-DC) | TOSHIBA |
| 1235 | 2SC3307 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ.
ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ И ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ.
ПРИМЕНЕНИЯ РЕГУЛЯТОРА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ. ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ
ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА DC-DC. | TOSHIBA |
| 1236 | 2SC3309 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 1237 | 2SC3309 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 1238 | 2SC3309 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 1239 | 2SC3310 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 1240 | 2SC3310 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 1241 | 2SC3310 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕСС
PCT) | TOSHIBA |
| 1242 | 2SC3324 | Применения усилителя шума тональнозвуковой частоты типа
кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct)
низкие | TOSHIBA |
| 1243 | 2SC3325 | Применения усилителя этапа водителя применений усилителя
силы тональнозвуковой частоты типа кремния NPN транзистора
эпитаксиальные (процесса pct) низкие переключая применения | TOSHIBA |
| 1244 | 2SC3326 | Тип кремния NPN транзистора эпитаксиальный
(процесс pct) для приглушая и переключая применений | TOSHIBA |
| 1245 | 2SC3327 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
ДЛЯ ПРИГЛУШАЯ И ПЕРЕКЛЮЧАЯ ПРИМЕНЕНИЙ | TOSHIBA |
| 1246 | 2SC3328 | Применения переключения силы применений усилителя силы
типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct) | TOSHIBA |
| 1247 | 2SC3329 | Тип кремния NPN транзистора эпитаксиальный
(процесс pct) для применений усилителя низкого шума
тональнозвуковых и порекомендовано для первых этапов усилителей
MC головных | TOSHIBA |
| 1248 | 2SC3333 | Применения выхода chroma qvetnogo ТВ
применений переключения типа кремния NPN транзистора втройне
отраженные (процесса pct) высоковольтные | TOSHIBA |
| 1249 | 2SC3334 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ
ОТРАЖЕННЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ И ПРИМЕНЕНИЯ ВЫХОДА
CHROMA QVETNOGO ТВ | TOSHIBA |
| 1250 | 2SC3345 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1251 | 2SC3345 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1252 | 2SC3345 | ПРОЦЕСС КРЕМНИЯ NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ
TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 1253 | 2SC3346 | Тип Кремния NPN Эпитаксиальный/Высоко В настоящее
время Применения Переключения | TOSHIBA |
| 1254 | 2SC3376 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ.
РЕГУЛЯТОР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОГО
НАПРЯЖЕНИЯ. ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА
DC-DC. | TOSHIBA |
| 1255 | 2SC3381 | ТИП NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ
НИЗКОГО ШУМА ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫЕ ПОРЕКОМЕНДОВАННЫЕ ДЛЯ ЦЕПИ ЗЕРКАЛА
CASCODE/ В НАСТОЯЩЕЕ ВРЕМЯ ПЕРВОГО ЭТАПА PRE/ ГЛАВНЫХ
УСИЛИТЕЛЕЙ) | TOSHIBA |
| 1256 | 2SC3405 | Регулятор переключения типа кремния NPN
транзистора втройне отраженный и применения конвертера применений
высокоскоростные DC-DC переключения высокого напряжения | TOSHIBA |
| 1257 | 2SC3419 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) СРЕДСТВ | TOSHIBA |
| 1258 | 2SC3420 | ПРИМЕНЕНИЙ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ (ПРОЦЕССА) PCT
STROBO ВНЕЗАПНЫХ СРЕДСТВ | TOSHIBA |
| 1259 | 2SC3421 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ
ТИПА КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА
PCT) | TOSHIBA |
| 1260 | 2SC3422 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СКОРОСТИ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ
ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА
ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ (ПРОЦЕССА PCT) НИЗКОЕ | TOSHIBA |
| 1261 | 2SC3423 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ТОНАЛЬНОЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ТИПА
КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) | TOSHIBA |
| 1262 | 2SC3425 | РЕГУЛЯТОР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (ПРОЦЕССА PCT) И ПРИМЕНЕНИЯ
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ
КОНВЕРТЕРА DC-DC | TOSHIBA |
| 1263 | 2SC3426 | ТИП NPN ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ (РЕГУЛЯТОР
ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ
ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА DC-DC) | TOSHIBA |
| 1264 | 2SC3429 | Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора
применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия
гигагерца fT=16) | TOSHIBA |
| 1265 | 2SC3437 | Компьютер применений переключения типа кремния NPN
транзистора эпитаксиальный (процесса pct) ультра
высокоскоростной, встречные применения | TOSHIBA |
| 1266 | 2SC3474 | Применения Привода Соленоида Применений Переключения
Типа Кремния NPN Транзистора Эпитаксиальные | TOSHIBA |
| 1267 | 2SC3474 | Применения Привода Соленоида Применений Переключения
Типа Кремния NPN Транзистора Эпитаксиальные | TOSHIBA |
| 1268 | 2SC3497 | 6А; 30W; V (генеральный директор): 400; NPN-транзистор. Для переключения регулирование | TOSHIBA |
| 1269 | 2SC3515 | Индикация плазмы применений управлением типа кремния
NPN транзистора втройне отраженная (процесса pct)
высоковольтная, применения управлением яркости электронно-лучевой
трубки применений водителя пробки Nixie | TOSHIBA |
| 1270 | 2SC3547 | ТИП NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКОСТНОЙ (СБОРНИК
ГЕНЕРАТОРА APPLICATIONS)(COMMON ТЮНЕРА TV UHF) | TOSHIBA |
| 1271 | 2SC3547A | Тюнер tv типа кремния NPN транзистора
эпитаксиальный плоскостной, UHF применения генератора (общий
сборник) | TOSHIBA |
| 1272 | 2SC3547B | Тюнер tv типа кремния NPN транзистора
эпитаксиальный плоскостной, UHF применения генератора (общий
сборник) | TOSHIBA |
| 1273 | 2SC3559 | 3А; 30W; V (генеральный директор): 800V; NPN-транзистор. Для переключения регулирование | TOSHIBA |
| 1274 | 2SC3560 | 2А; 20W; V (генеральный директор): 400; NPN-транзистор. Для переключения регулирование | TOSHIBA |
| 1275 | 2SC3561 | 2А; 20W; V (генеральный директор): 400; NPN-транзистор. Для переключения регулирование | TOSHIBA |
| 1276 | 2SC3562 | 10А; 40W; V (генеральный директор): 400; NPN-транзистор. Для переключения регулирование | TOSHIBA |
| 1277 | 2SC3563 | 10А; 40W; V (генеральный директор): 450V; NPN-транзистор. Для переключения регулирование | TOSHIBA |
| 1278 | 2SC3605 | ПОЛОСЫ ТИПА VHF~UHF КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ ШУМА ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛОСКОСТНОЙ НИЗКИЕ | TOSHIBA |
| 1279 | 2SC3606 | Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора
применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия
гигагерца fT=16) | TOSHIBA |
| 1280 | 2SC3607 | Полосы типа VHF~UHF кремния NPN транзистора
применения усилителя шума эпитаксиальной плоскостной низкие (серия
гигагерца fT=16) | TOSHIBA |
| 1281 | 2SC3613 | ЭТАП ПРИВОДА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ВИДЕО- В ПРИМЕНЕНИЯХ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ HIGH
RESOLUTION ИНДИКАЦИИ ВЫСОКОСКОРОСТНЫХ | TOSHIBA |
| 1282 | 2SC3619 | ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И УСИЛИТЕЛЯ ТИПА КРЕМНИЯ
NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ (ПРОЦЕССА PCT)
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ, ВОДИТЕЛЬ QVETNOGO ТВ ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ И
ПРИМЕНЕНИЯ ВЫХОДА CHROMA QVETNOGO ТВ | TOSHIBA |
| 1283 | 2SC3620 | QVETNOE ТВ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА
ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННОЕ (ПРОЦЕССА PCT) ГОРИЗОНТАЛЬНОЕ И ПРИМЕНЕНИЯ
ВЫХОДА CHROMA QVETNOGO ТВ | TOSHIBA |
| 1284 | 2SC3621 | QVETNOE ТВ VERT ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ (ПРОЦЕССА PCT). ПРИМЕНЕНИЯ
ВЫХОДА Б ВЫХОДА ОТКЛОНЕНИЯ И ТИПА Qvetnogo ТВ ЯДРОВЫЕ | TOSHIBA |
| 1285 | 2SC3625 | 8А; 40W; V (генеральный директор): 400; NPN-транзистор. Для переключения регулирование | TOSHIBA |
| 1286 | 2SC3657 | ТИП КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЙ.
РЕГУЛЯТОР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ВЫСОКОГО
НАПРЯЖЕНИЯ. ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА
DC-DC. | TOSHIBA |
| 1287 | 2SC3665 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫЕ И
УСИЛИТЕЛЯ ЭТАПА ПРИВОДА | TOSHIBA |
| 1288 | 2SC3666 | ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) ТОНАЛЬНОЗВУКОВЫЕ | TOSHIBA |
| 1289 | 2SC3668 | Применения переключения силы применений усилителя силы
типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct) | TOSHIBA |
| 1290 | 2SC3668 | Применения переключения силы применений усилителя силы
типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct) | TOSHIBA |
| 1291 | 2SC3669 | Применения переключения силы применений усилителя силы
типа кремния NPN транзистора эпитаксиальные (процесса pct) | TOSHIBA |
| 1292 | 2SC3670 | ПРИМЕНЕНИЙ ТИПА КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА
ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ (ПРОЦЕССА) PCT
STOROBO ВНЕЗАПНЫХ СРЕДСТВ | TOSHIBA |
| 1293 | 2SC3671 | ПРИМЕНЕНИЙ ВСПЫШКИ СТРОБА ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ПРИМЕНЕНИЯ УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ (ПРОЦЕССА
PCT) СРЕДСТВ | TOSHIBA |
| 1294 | 2SC3672 | ПРИМЕНЕНИЯ УПРАВЛЕНИЕМ ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ВТРОЙНЕ ОТРАЖЕННЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ,
ИНДИКАЦИЯ ПЛАЗМЫ, ПРИМЕНЕНИЯ ВОДИТЕЛЯ ПРОБКИ NIXIE,
ПРИМЕНЕНИЯ УПРАВЛЕНИЕМ ЯРКОСТИ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ | TOSHIBA |
| 1295 | 2SC3673 | ПРИМЕНЕНИЯ ПРИВОДА СОЛЕНОИДА ПРИМЕНЕНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
ТИПА КРЕМНИЯ NPN ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ | TOSHIBA |
| 1296 | 2SC3709 | ТИП NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ВЫСОКИЕ В НАСТОЯЩЕЕ
ВРЕМЯ ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ) | TOSHIBA |
| 1297 | 2SC3709 | ТИП NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ВЫСОКИЕ В НАСТОЯЩЕЕ
ВРЕМЯ ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ) | TOSHIBA |
| 1298 | 2SC3709A | ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) ВЫСОКИЕ В НАСТОЯЩЕЕ
ВРЕМЯ. ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА DC-DC. | TOSHIBA |
| 1299 | 2SC3710 | ТИП NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ (ВЫСОКИЕ В НАСТОЯЩЕЕ
ВРЕМЯ ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ) | TOSHIBA |
| 1300 | 2SC3710A | ПРИМЕНЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ТИПА КРЕМНИЯ NPN
ТРАНЗИСТОРА ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ (ПРОЦЕССА PCT) ВЫСОКИЕ В НАСТОЯЩЕЕ
ВРЕМЯ. ПРИМЕНЕНИЯ КОНВЕРТЕРА DC-DC. | TOSHIBA |
| | | |
