Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
6501 | KM48V2100BKL-6 | RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
6502 | KM48V2100BKL-7 | RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70ns | Samsung Electronic |
6503 | KM48V2100BS-5 | RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
6504 | KM48V2100BS-6 | RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
6505 | KM48V2100BS-7 | RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70ns | Samsung Electronic |
6506 | KM48V2100BSL-5 | RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
6507 | KM48V2100BSL-6 | RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
6508 | KM48V2100BSL-7 | RAM dynamique 2M x 8 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70ns | Samsung Electronic |
6509 | KM48V8004B | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
6510 | KM48V8004BK-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6511 | KM48V8004BK-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6512 | KM48V8004BK-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6513 | KM48V8004BKL-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6514 | KM48V8004BKL-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6515 | KM48V8004BKL-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6516 | KM48V8004BS-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6517 | KM48V8004BS-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6518 | KM48V8004BS-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6519 | KM48V8004BSL-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6520 | KM48V8004BSL-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6521 | KM48V8004BSL-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6522 | KM48V8004C | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
6523 | KM48V8004CK-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6524 | KM48V8004CK-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6525 | KM48V8004CK-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6526 | KM48V8004CKL-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6527 | KM48V8004CKL-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6528 | KM48V8004CKL-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6529 | KM48V8004CS-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6530 | KM48V8004CS-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6531 | KM48V8004CS-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6532 | KM48V8004CSL-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6533 | KM48V8004CSL-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6534 | KM48V8004CSL-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6535 | KM48V8104B | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
6536 | KM48V8104BK-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6537 | KM48V8104BK-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6538 | KM48V8104BK-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6539 | KM48V8104BKL-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6540 | KM48V8104BKL-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6541 | KM48V8104BKL-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6542 | KM48V8104BS-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6543 | KM48V8104BS-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6544 | KM48V8104BS-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6545 | KM48V8104BSL-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6546 | KM48V8104BSL-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6547 | KM48V8104BSL-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6548 | KM48V8104C | RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
6549 | KM48V8104CK-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6550 | KM48V8104CK-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6551 | KM48V8104CK-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6552 | KM48V8104CKL-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6553 | KM48V8104CKL-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6554 | KM48V8104CKL-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6555 | KM48V8104CS-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6556 | KM48V8104CS-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6557 | KM48V8104CS-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6558 | KM48V8104CSL-45 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns | Samsung Electronic |
6559 | KM48V8104CSL-5 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6560 | KM48V8104CSL-6 | RAM dynamique 8M x 8 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6561 | KM611001 | 1Bit CMOS à grande vitesse SRAM du 1M X | Samsung Electronic |
6562 | KM611001L | 1Bit CMOS à grande vitesse SRAM du 1M X | Samsung Electronic |
6563 | KM6161002A | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
6564 | KM6161002B | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
6565 | KM6161002C | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
6566 | KM6164000B | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16 | Samsung Electronic |
6567 | KM6164000BL-L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16 | Samsung Electronic |
6568 | KM6164000BLI-L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16 | Samsung Electronic |
6569 | KM6164000BLR-5L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16 | Samsung Electronic |
6570 | KM6164000BLR-7L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16 | Samsung Electronic |
6571 | KM6164000BLRI-10L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16 | Samsung Electronic |
6572 | KM6164000BLRI-7L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16 | Samsung Electronic |
6573 | KM6164000BLT-5L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16 | Samsung Electronic |
6574 | KM6164000BLT-7L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16 | Samsung Electronic |
6575 | KM6164000BLTI-10L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16 | Samsung Electronic |
6576 | KM6164000BLTI-7L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 256Kx16 | Samsung Electronic |
6577 | KM6164002 | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
6578 | KM6164002E | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
6579 | KM6164002I | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
6580 | KM616FS4110ZI-10 | 100 ns; V (cc): -2 à + 3V; 1W; 256K x 16 bits ultra faible puissance et basse tension plein RAM statique CMOS | Samsung Electronic |
6581 | KM616FS4110ZI-7 | 70ns; V (cc): -2 à + 3V; 1W; 256K x 16 bits ultra faible puissance et basse tension plein RAM statique CMOS | Samsung Electronic |
6582 | KM62256 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6583 | KM62256C | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6584 | KM62256C FAMILY | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6585 | KM62256CL | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6586 | KM62256CLG-4 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6587 | KM62256CLG-4L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6588 | KM62256CLG-5 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6589 | KM62256CLG-5 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6590 | KM62256CLG-5L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6591 | KM62256CLG-5L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6592 | KM62256CLG-7 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6593 | KM62256CLG-7 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6594 | KM62256CLG-7L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6595 | KM62256CLG-7L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6596 | KM62256CLGE-10 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6597 | KM62256CLGE-10L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6598 | KM62256CLGE-7 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6599 | KM62256CLGE-7 | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
6600 | KM62256CLGE-7L | basse RAM de charge statique de la puissance CMOS du peu 32Kx8 | Samsung Electronic |
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