| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 16501 | ULN2003AP | CONDUCTEUR D'CÉvier DE 7CH DARLINGTON | TOSHIBA |
| 16502 | ULN2003APG | Pilote Darlington | TOSHIBA |
| 16503 | ULN2004AFW | CONDUCTEUR D'CÉvier DE 7CH DARLINGTON | TOSHIBA |
| 16504 | ULN2004AFWG | Pilote Darlington | TOSHIBA |
| 16505 | ULN2004AP | CONDUCTEUR D'CÉvier DE 7CH DARLINGTON | TOSHIBA |
| 16506 | ULN2004APG | Pilote Darlington | TOSHIBA |
| 16507 | ULN2803AFW | CONDUCTEUR MONOLITHIQUE D'CÉvier DE DIGITAL DU SILICIUM BIPOLAIRE 8CH DARLINGTON DE CIRCUIT INTÉGRÉ | TOSHIBA |
| 16508 | ULN2803AFWG | Pilote Darlington | TOSHIBA |
| 16509 | ULN2803AP | CONDUCTEUR MONOLITHIQUE D'CÉvier DE DIGITAL DU SILICIUM BIPOLAIRE 8CH DARLINGTON DE CIRCUIT INTÉGRÉ | TOSHIBA |
| 16510 | ULN2803APG | Pilote Darlington | TOSHIBA |
| 16511 | ULN2804AFW | CONDUCTEUR MONOLITHIQUE D'CÉvier DE DIGITAL DU SILICIUM BIPOLAIRE 8CH DARLINGTON DE CIRCUIT INTÉGRÉ | TOSHIBA |
| 16512 | ULN2804AFWG | Pilote Darlington | TOSHIBA |
| 16513 | ULN2804AP | CONDUCTEUR MONOLITHIQUE D'CÉvier DE DIGITAL DU SILICIUM BIPOLAIRE 8CH DARLINGTON DE CIRCUIT INTÉGRÉ | TOSHIBA |
| 16514 | ULN2804APG | Pilote Darlington | TOSHIBA |
| 16515 | ULQ2003AFW | Conducteur Monolithique D'Évier De Numérique Du Silicium Bipolaire 7-ch Darlington De Circuit intégré | TOSHIBA |
| 16516 | ULQ2003AP | Conducteur Monolithique D'Évier De Numérique Du Silicium Bipolaire 7-ch Darlington De Circuit intégré | TOSHIBA |
| 16517 | URSF05G49-1P | APPLICATIONS DE COMMUTATION ET DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR BASSES | TOSHIBA |
| 16518 | URSF05G49-3P | APPLICATIONS DE COMMUTATION ET DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR BASSES | TOSHIBA |
| 16519 | URSF05G49-5P | APPLICATIONS DE COMMUTATION ET DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR BASSES | TOSHIBA |
| 16520 | USF05G49 | APPLICATIONS DE COMMUTATION ET DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR BASSES | TOSHIBA |
| 16521 | USF10G48 | APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16522 | USF10J48 | APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16523 | USF3G48 | APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16524 | USF3J48 | APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16525 | USF5G48 | APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16526 | USF5G49 | Applications Moyennes De Commande De Puissance De Type Planaire De Silicium De Thyristor | TOSHIBA |
| 16527 | USF5J48 | APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16528 | USF5J49 | Applications Moyennes De Commande De Puissance De Type Planaire De Silicium De Thyristor | TOSHIBA |
| 16529 | USF8G48 | APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16530 | USF8J48 | APPLICATIONS MOYENNES DE COMMANDE DE PUISSANCE DE TYPE PLANAIRE DE SILICIUM DE THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16531 | USM12G48 | APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16532 | USM12G48A | APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16533 | USM12J48 | APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16534 | USM12J48A | APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16535 | USM16G48 | APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16536 | USM16G48A | APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16537 | USM16J48 | APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16538 | USM16J48A | APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16539 | USM3G48 | APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16540 | USM3J48 | APPLICATIONS PLANAIRES de COMMANDE de COURANT ALTERNATIF de TYPE de TRIODE Bi-directionnel de SILICIUM de THYRISTOR | TOSHIBA |
| 16541 | USM6G48 | APPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BI | TOSHIBA |
| 16542 | USM6G48A | APPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BI | TOSHIBA |
| 16543 | USM6J48 | APPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BI | TOSHIBA |
| 16544 | USM6J48A | APPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BI | TOSHIBA |
| 16545 | USM8G48 | APPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BI | TOSHIBA |
| 16546 | USM8G48A | APPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BI | TOSHIBA |
| 16547 | USM8J48 | APPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BI | TOSHIBA |
| 16548 | USM8J48A | APPLICATIONS PLANAIRES DE COMMANDE DE COURANT ALTERNATIF DE TYPE DE SILICIUM DE THYRISTOR DE TRIODE DE DIRECTIONAL DE BI | TOSHIBA |
| 16549 | VR4J | TOSHIBA jeűnent des applications ŕ grande vitesse de redresseur de type diffuses par silicium de diode de rétablissement (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
| 16550 | VR4N | TOSHIBA jeűnent des applications ŕ grande vitesse de redresseur de type diffuses par silicium de diode de rétablissement (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
| 16551 | YTFP250 | V (DSX): 200 V; V (DGR): 200V; V (ESG): 20V; 150W; silicium MOS ŕ canal N du transistor ŕ effet ŕ effet de champ de type. Pour la grande vitesse, des applications de commutation de courant élevé | TOSHIBA |
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