| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 3001 | HN3C13FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3002 | HN3C14 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN (APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE DE VHF~uhf BASSES) | TOSHIBA |
| 3003 | HN3C14F | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3004 | HN3C14FT | APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSES | TOSHIBA |
| 3005 | HN3C14FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3006 | HN3C15F | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3007 | HN3C15FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3008 | HN3C16F | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3009 | HN3C16FT | Nouveaux Produits de Rf | TOSHIBA |
| 3010 | HN3C16FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3011 | HN3C17F | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3012 | HN3C17FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3013 | HN3C18F | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3014 | HN3C18FT | Nouveaux Produits de Rf | TOSHIBA |
| 3015 | HN3C18FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 3016 | HN3C51F | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3017 | HN3C56FU | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3018 | HN3C67FE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3019 | HN3G01 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL De TYPE Du SILICIUM NPN De FET De TYPE De JONCTION De la MANCHE De N | TOSHIBA |
| 3020 | HN3G01J | TRANSISTOR ÉPITAXIAL De TYPE Du SILICIUM NPN De FET De TYPE De JONCTION De la MANCHE De N | TOSHIBA |
| 3021 | HN4A06J | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3022 | HN4A08J | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3023 | HN4A51J | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3024 | HN4A56JU | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3025 | HN4B01JE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3026 | HN4B04J | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3027 | HN4B06J | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3028 | HN4B101J | Transistor de puissance pour des applications de commutation à grande vitesse | TOSHIBA |
| 3029 | HN4B102J | Transistor de puissance pour des applications de commutation à grande vitesse | TOSHIBA |
| 3030 | HN4C05JU | Multi demandes tout usage discrètes d'amplificateur de fréquence sonore de dispositif de morceau d'applications assourdissantes et de changements | TOSHIBA |
| 3031 | HN4C06J | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3032 | HN4C51J | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 3033 | HN4D01JU | Diode de commutation | TOSHIBA |
| 3034 | HN4D02JU | Diode de commutation | TOSHIBA |
| 3035 | HN4K03JU | Applications Analogues De Commutateur D'Applications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
| 3036 | HN7G01FU | Multi Application De Circuit Discrète D'Interface D'Application De Circuit De Conducteur D'Application De Commutateur De Gestion De Puissance De Dispositif De Morceau | TOSHIBA |
| 3037 | HN7G02FU | Multi application discrète de commutateur de gestion de puissance de dispositif de morceau, application de circuit d'inverseur, application de circuit de conducteur et application de circuit d'interface. | TOSHIBA |
| 3038 | HN9C01FE | APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSES | TOSHIBA |
| 3039 | HN9C01FT | APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSES | TOSHIBA |
| 3040 | HN9C09FT | APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSES | TOSHIBA |
| 3041 | HN9C14FT | APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSES | TOSHIBA |
| 3042 | HN9C15FT | APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSES | TOSHIBA |
| 3043 | HN9C22FT | APPLICATIONS D'CAmplificateur DE BRUIT DE BANDE PLANAIRE ÉPITAXIALE DU TYPE VHF~uhf DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR BASSES | TOSHIBA |
| 3044 | IK-540A | Appareil-photo De Toshiba Ik-540a | TOSHIBA |
| 3045 | JBT6K47-AS | Conducteur de source pour des panneaux d'affichage à cristaux liquides de TFT | TOSHIBA |
| 3046 | JBT6K48-AS | Conducteur de porte pour le panneau d'affichage à cristaux liquides de TFT | TOSHIBA |
| 3047 | JBT6K49-AS | IC d'alimentation d'énergie pour des panneaux d'affichage à cristaux liquides de TFT | TOSHIBA |
| 3048 | JBT6L77-AS | Conducteur de source pour des panneaux d'affichage à cristaux liquides de TFT | TOSHIBA |
| 3049 | JBT6L78-AS | Conducteur de porte pour le panneau d'affichage à cristaux liquides de TFT | TOSHIBA |
| 3050 | JBT6N81S | Système d'un seul morceau LSI pour la carte de RFID | TOSHIBA |
| 3051 | JBTC94B12-AS | Microphone pour ECM numérique | TOSHIBA |
| 3052 | JDH2S01FS | Diode à barrière de Schottky à haute fréquence | TOSHIBA |
| 3053 | JDH2S01T | Mélangeur À FRÉQUENCE ULTRA-haute De Bande De Schottky De Silicium De Diode De Type Épitaxial De Barrière | TOSHIBA |
| 3054 | JDH2S02FS | Diode à barrière de Schottky à haute fréquence | TOSHIBA |
| 3055 | JDH2S02SC | Diode à barrière de Schottky à haute fréquence | TOSHIBA |
| 3056 | JDH3D01FV | Diode à barrière de Schottky à haute fréquence | TOSHIBA |
| 3057 | JDH3D01S | Diode à barrière de Schottky à haute fréquence | TOSHIBA |
| 3058 | JDP2S01AFS | Applications Épitaxiales De Commutateur De la Bande Rf Du Type UHF~vhf de GOUPILLE De Silicium de DIODE | TOSHIBA |
| 3059 | JDP2S01E | Applications Épitaxiales D'Atténuateur De la Bande Rf Du Type UHF~vhf De Goupille De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 3060 | JDP2S01S | Applications Épitaxiales D'Atténuateur De la Bande Rf Du Type UHF~vhf De Goupille De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 3061 | JDP2S01T | Applications Épitaxiales D'Atténuateur De la Bande Rf Du Type UHF~vhf De Goupille De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 3062 | JDP2S01U | Applications Épitaxiales D'Atténuateur De la Bande Rf Du Type UHF~vhf De Goupille De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 3063 | JDP2S02ACT | Diode de commutation à haute fréquence | TOSHIBA |
| 3064 | JDP2S02AFS | Applications Épitaxiales D'Atténuateur De la Bande Rf Du Type UHF~vhf De Goupille De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 3065 | JDP2S02S | Applications Épitaxiales D'Atténuateur De la Bande Rf Du Type UHF~vhf De Goupille De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 3066 | JDP2S02T | Applications Épitaxiales D'Atténuateur De la Bande Rf Du Type UHF~vhf De Goupille De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 3067 | JDP2S04E | Applications Épitaxiales D'Atténuateur De la Bande Rf Du Type UHF~vhf De Goupille De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 3068 | JDP2S05SC | Diode de commutation à haute fréquence | TOSHIBA |
| 3069 | JDP2S08SC | Diode de commutation à haute fréquence | TOSHIBA |
| 3070 | JDP2S12CR | Diode de commutation à haute fréquence | TOSHIBA |
| 3071 | JDP3C02AU | Diode de commutation à haute fréquence | TOSHIBA |
| 3072 | JDP3C04TU | Diode de commutation à haute fréquence | TOSHIBA |
| 3073 | JDP4P02AT | Diode de commutation à haute fréquence | TOSHIBA |
| 3074 | JDP4P02U | Applications Épitaxiales D'Atténuateur De la Bande Rf Du Type UHF~vhf De Goupille De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 3075 | JDS2S03S | Applications Planaires Épitaxiales De Commutateur De Bande De Tuner de VHF De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 3076 | JDV2S01E | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la bande À FRÉQUENCE ULTRA-haute | TOSHIBA |
| 3077 | JDV2S01S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la bande À FRÉQUENCE ULTRA-haute | TOSHIBA |
| 3078 | JDV2S02E | Type planaire épitaxial de silicium de diode, VCO pour la bande À FRÉQUENCE ULTRA-haute | TOSHIBA |
| 3079 | JDV2S02S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la bande À FRÉQUENCE ULTRA-haute | TOSHIBA |
| 3080 | JDV2S05E | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la bande À FRÉQUENCE ULTRA-haute | TOSHIBA |
| 3081 | JDV2S05S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la bande À FRÉQUENCE ULTRA-haute | TOSHIBA |
| 3082 | JDV2S06S | Type planaire épitaxial de silicium de diode, VCO pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 3083 | JDV2S07FS | Diode à capacité variable pour régler les applications électroniques | TOSHIBA |
| 3084 | JDV2S07S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 3085 | JDV2S08S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 3086 | JDV2S09FS | Diode à capacité variable pour régler les applications électroniques | TOSHIBA |
| 3087 | JDV2S09S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 3088 | JDV2S10FS | Diode à capacité variable pour régler les applications électroniques | TOSHIBA |
| 3089 | JDV2S10S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 3090 | JDV2S10T | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 3091 | JDV2S13S | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 3092 | JDV2S14E | Type planaire épitaxial de silicium de diode utile pour VCO/tcxo | TOSHIBA |
| 3093 | JDV2S36E | Diode à capacité variable pour régler les applications électroniques | TOSHIBA |
| 3094 | JDV2S41FS | Diode à capacité variable pour régler les applications électroniques | TOSHIBA |
| 3095 | JDV3C11 | Applications d'accord électroniques de type planaire épitaxial de silicium de diode des récepteurs de FM | TOSHIBA |
| 3096 | JDV4P08U | Type planaire épitaxial VCO de silicium de diode pour la radio À FRÉQUENCE ULTRA-haute de bande | TOSHIBA |
| 3097 | JT6A11AX-AS | LSI DE MORCEAU DE CMOS 1 POUR L'CAffichage À CRISTAUX LIQUIDES SLECTRONIC CALCUTATOR | TOSHIBA |
| 3098 | JT6A36X-AS | TÃ36S, LSI d'un seul morceau de Jtã36x-as CMOS pour la calculatrice d'affichage à cristaux liquides | TOSHIBA |
| 3099 | JT6F18-AS | T6F18, LSI d'un seul morceau de Jt6f18-as CMOS pour la calculatrice d'affichage à cristaux liquides | TOSHIBA |
| 3100 | JT6F19-AS | T6F19, LSI d'un seul morceau de Jt6f19-as CMOS pour la calculatrice d'affichage à cristaux liquides | TOSHIBA |
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