Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1 | 1N5829 | Diode Schottky redresseur de puissance à découpage. Idéal pour une utilisation en tant que redresseurs en basse tension. Inverseurs haute fréquence. Diodes de roue libre et des diodes de protection de polarité. Vrrm = 20V. Vrsm = 24V. | USHA India LTD |
2 | 1N5830 | Diode Schottky redresseur de puissance à découpage. Idéal pour une utilisation en tant que redresseurs en basse tension. Inverseurs haute fréquence. Diodes de roue libre et des diodes de protection de polarité. Vrrm = 30V. Vrsm = 36V. | USHA India LTD |
3 | 1N5831 | Diode Schottky redresseur de puissance à découpage. Idéal pour une utilisation en tant que redresseurs en basse tension. Inverseurs haute fréquence. Diodes de roue libre et des diodes de protection de polarité. Vrrm = 40V. Vrsm = 48V. | USHA India LTD |
4 | 1N5832 | Diode Schottky redresseur de puissance à découpage. Idéal pour une utilisation en tant que redresseurs en basse tension. Inverseurs haute fréquence. Diodes de roue libre et des diodes de protection de polarité. Vrrm = 20V. Vrsm = 24V. | USHA India LTD |
5 | 1N5833 | Diode Schottky redresseur de puissance à découpage. Idéal pour une utilisation en tant que redresseurs en basse tension. Inverseurs haute fréquence. Diodes de roue libre et des diodes de protection de polarité. Vrrm = 30V. Vrsm = 36V. | USHA India LTD |
6 | 1N5834 | Diode Schottky redresseur de puissance à découpage. Idéal pour une utilisation en tant que redresseurs en basse tension. Inverseurs haute fréquence. Diodes de roue libre et des diodes de protection de polarité. Vrrm = 40V. Vrsm = 48V. | USHA India LTD |
7 | 2N3055 | Haute puissance transistor NPN. Commutation d'usage général et de l'application de l'amplificateur. VCEO = 60 V cc, VceR = 70Vdc, Vcb = 100 V CC, Veb = 15 V cc, Ic = 7Adc, Ib = 7Adc, PD = 115W. | USHA India LTD |
8 | 2N3055H | Transistor de puissance NPN de silicium. 15Amp, 100V, 115Watt. Ces dispositifs sont conçus pour les applications générales de commutation de but et l'amplificateur. | USHA India LTD |
9 | 2N3773 | Haute puissance transistor NPN. Audio de forte puissance et applications linéaires. VCEO = 140Vdc, VceR = 150VDC, Vcb = 160Vdc, Veb = 7Vdc, Ic = 16Adc, Ib = 4Adc, PD = 150W. | USHA India LTD |
10 | 2N3773AR | Transistor de puissance NPN de silicium. 16A, 140V, 150Watt. Audio haute puissance, positionneurs de tête de disque et d'autres applications linéaires. circuits de commutation de puissance tels que les relais ou les conducteurs magnétiq | USHA India LTD |
11 | 2N3903 | Transistor à usage général. Tension collecteur-émetteur: 40V = VCEO. Tension collecteur-base: 60V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
12 | 2N3904 | Transistor à usage général. Tension collecteur-émetteur: 40V = VCEO. Tension collecteur-base: 60V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
13 | 2N3905 | Transistor à usage général. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -40V. Tension collecteur-base: VCBO = -40V. Collector dissipation: Pc (max) = -625mW. | USHA India LTD |
14 | 2N3906 | Transistor à usage général. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -40V. Tension collecteur-base: VCBO = -40V. Collector dissipation: Pc (max) = -625mW. | USHA India LTD |
15 | 2N4123 | Transistor à usage général. Tension collecteur-émetteur: 30V = VCEO. Tension collecteur-base: 40V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
16 | 2N4124 | Transistor à usage général. Tension collecteur-émetteur: 25V = VCEO. Tension collecteur-base: 30V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
17 | 2N4125 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -30V. Tension collecteur-base: VCBO = -30V. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
18 | 2N4126 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -25V. Tension collecteur-base: VCBO = -25V. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
19 | 2N4400 | Transistor à usage général. Tension collecteur-émetteur: 40V = VCEO. Tension collecteur-base: 60V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
20 | 2N4401 | Transistor à usage général. Tension collecteur-émetteur: 40V = VCEO. Tension collecteur-base: 60V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
21 | 2N4402 | Transistor à usage général. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -40V. Tension collecteur-base: VCBO = -40V. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
22 | 2N4403 | Transistor à usage général. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -40V. Tension collecteur-base: VCBO = -40V. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
23 | 2N5086 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension collecteur-base: 50V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = -625mW. | USHA India LTD |
24 | 2N5087 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension collecteur-base: 50V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = -625mW. | USHA India LTD |
25 | 2N5088 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 30V = VCEO. Tension collecteur-base: 35V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
26 | 2N5089 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 25V = VCEO. Tension collecteur-base: 30V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
27 | 2N5210 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension collecteur-base: 50V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
28 | 2N5294 | Silicon plastique de transistor de puissance NPN. Commutation et d'amplification des applications générales. VCEO = 70Vdc, 75Vdc = VceR, VCBO = 80Vdc, Veb = 7Vdc, Ic = 4Adc, Ib = 2Adc, PD = 36W. | USHA India LTD |
29 | 2N5296 | Silicon plastique de transistor de puissance NPN. Commutation et d'amplification des applications générales. VCEO = 40Vdc, 50Vdc = VceR, VCBO = 60 V cc, Veb = 5Vdc, Ic = 4Adc, Ib = 2Adc, PD = 36W. | USHA India LTD |
30 | 2N5400 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -120V. Tension collecteur-base: VCBO = -130V. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
31 | 2N5401 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -150V. Tension collecteur-base: VCBO = -160V. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
32 | 2N5550 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 140V = VCEO. Tension collecteur-base: 160V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
33 | 2N5551 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 160V = VCEO. Tension collecteur-base: 180V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
34 | 2N6107 | Transistor de puissance PNP plastique de silicium. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 70Vdc, 80Vdc Vcb = VEB = 5Vdc Ic = 7Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
35 | 2N6292 | Silicon plastique de transistor de puissance NPN. Commutation et d'amplification des applications générales. VCEO = 70Vdc, 80Vdc Vcb = VEB = 5Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
36 | 2N6428 | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension collecteur-base: 60V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
37 | 2N6428A | transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension collecteur-base: 60V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
38 | 2N6515 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: 250V = VCEO. Tension collecteur-base: 250V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
39 | 2N6516 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: 250V = VCEO. Tension collecteur-base: 250V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
40 | 2N6517 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: 350V = VCEO. Tension collecteur-base: 350V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | USHA India LTD |
41 | 2N6518 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: VCEO = 250V. Tension collecteur-base: VCBO = 250V. Collector dissipation: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
42 | 2N6519 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -300V. Tension collecteur-base: VCBO = -300V. Collector dissipation: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
43 | 2N6520 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -350V. Tension collecteur-base: VCBO = -350V. Collector dissipation: Pc (max) = 0.625W. | USHA India LTD |
44 | 2SA1015 | Amplificateur à basse fréquence. Tension collecteur-base: 50V = VCBO. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension émetteur-base Vebo = -5V.Collector dissipation: Pc (max) = 400 mW. | USHA India LTD |
45 | 2SA1625 | Les interrupteurs de haute tension. Tension collecteur-base: VCBO = -400 V. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -400 V. Tension émetteur-base Vebo = 7V. Collector dissipation: Pc (max) = o.75W. | USHA India LTD |
46 | 2SA539 | Amplificateur à basse fréquence. Tension collecteur-base: VCBO = -60V. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -45V. Tension émetteur-base Vebo = 5V. Collector dissipation: Pc (max) = 400 mW. | USHA India LTD |
47 | 2SA542 | Amplificateur à basse fréquence. Tension collecteur-base: VCBO = -30V. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -25V. Tension émetteur-base Vebo = 5V. Collector dissipation: Pc (max) = 250 mW. | USHA India LTD |
48 | 2SA642 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE | USHA India LTD |
49 | 2SA642 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE | USHA India LTD |
50 | 2SA643 | AMPLIFICATEUR de PUISSANCE DE BASSE FRÉQUENCE De Transistors | USHA India LTD |
| | | |