| Nr. | Nom de Partie | Description | Fabricant |
| 1 | -7L | 536870912-bit (8388608 - WORD DE 64-BCIcT)SYNCHRONOUSCDcRcAcM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 2 | -8 | 536870912-bit (8388608 - WORD DE 64-BCIcT)SYNCHRONOUSCDcRcAcM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 3 | -8L | 536870912-bit (8388608 - WORD DE 64-BCIcT)SYNCHRONOUSCDcRcAcM | Mitsubishi Electric Corporation |
| 4 | 0-1462000-1 | 2 relais du poteau telecom/signal par le type de trou (THT) Non-polarized. non-verrouillant 1 enroulement | Tyco Electronics |
| 5 | 0-1462000-7 | 2 relais du poteau telecom/signal par le type de trou (THT) Non-polarized. non-verrouillant 1 enroulement | Tyco Electronics |
| 6 | 0002 | GRANDE VITESSE, AMPLIFICATEUR AMPÈRE D'AMORTISSEUR | M.S. Kennedy Corp. |
| 7 | 0032 | GRANDE VITESSE, DIFFÉRENTIEL OP-AMP D'ENTRÉE DE FET | M.S. Kennedy Corp. |
| 8 | 0033 | AMPLIFICATEUR À GRANDE VITESSE DE LA TENSION ENTRÉ PAR FET FOLLOWER/BUFFER | M.S. Kennedy Corp. |
| 9 | 01-XC6206 | XC6206 | Torex Semiconductor |
| 10 | 0100MS | Bouclier Magnétique | Texas Instruments |
| 11 | 0104-100 | 100 W, 28 V, 100-400 MHz transistor équilibré | Acrian |
| 12 | 0104-100 | 100 W, 28 V, le transistor émetteur commun 100-400 MHz | GHz Technology |
| 13 | 0104-100-2 | 100 W, 28 V, 100-400 MHz transistor équilibré | Acrian |
| 14 | 0105-100 | 100 W, 28 V, 100-500 MHz UHF transistor équilibré | Acrian |
| 15 | 0105-100 | 100 W, 28 V, le transistor émetteur commun 100-500 MHz | GHz Technology |
| 16 | 0105-100-2 | 100 W, 28 V, 100-500 MHz UHF transistor équilibré | Acrian |
| 17 | 0105-100-3 | 100 W, 28 V, 100-500 MHz UHF transistor équilibré | Acrian |
| 18 | 0105-12 | 12 W, 28 V, 100-500 MHz transistor UHF équilibré | Acrian |
| 19 | 0105-12 | 12 W, 28 V, le transistor émetteur commun 100-500 MHz | GHz Technology |
| 20 | 0105-12-2 | 12 W, 28 V, 100-500 MHz transistor UHF équilibré | Acrian |
| 21 | 0105-50 | 50 W, 28 V, 100-500 MHz transistor UHF équilibré | Acrian |
| 22 | 0105-50 | 50 W, 28 V, le transistor émetteur commun 100-500 MHz | GHz Technology |
| 23 | 0105-50-2 | 50 W, 28 V, 100-500 MHz transistor UHF équilibré | Acrian |
| 24 | 015A2.0 | Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 25 | 015A2.2 | Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 26 | 015A2.4 | Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 27 | 015A2.7 | Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 28 | 015A3.0 | Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 29 | 015A3.3 | Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 30 | 015A3.6 | Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 31 | 015A3.9 | Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 32 | 015A4.3 | Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 33 | 015A4.7 | Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 34 | 015A5.1 | Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 35 | 015A5.6 | Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 36 | 015A6.2 | Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 37 | 015A6.8 | Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 38 | 015AZ10 | Applications Constantes De Règlement De Tension De Type Planaire Épitaxial De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 39 | 015AZ10-X | diode de silicium pour les applications de régulation de tension constante | TOSHIBA |
| 40 | 015AZ10-Y | diode de silicium pour les applications de régulation de tension constante | TOSHIBA |
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