Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
250001 | BC32840BU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
250002 | BC32840TA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
250003 | BC328A | 0.625W usage général PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 0.800A Ic, 100-400 hFE | Continental Device India Limited |
250004 | BC328BU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
250005 | BC328TA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
250006 | BC328TAR | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
250007 | BC328TF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
250008 | BC328TFR | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
250009 | BC337 | Transistor d'usage universel de NPN | Philips |
250010 | BC337 | Applications de commutation et d'amplificateur | Fairchild Semiconductor |
250011 | BC337 | Transistor Tout usage | Korea Electronics (KEC) |
250012 | BC337 | Petits Transistors De Signal (NPN) | Vishay |
250013 | BC337 | Petits Transistors De Signal (NPN) | General Semiconductor |
250014 | BC337 | Transistor d'Af De Silicium de NPN | Infineon |
250015 | BC337 | Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
250016 | BC337 | Transistor Planaire Épitaxial De Silicium de NPN | Honey Technology |
250017 | BC337 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS D'CAf DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
250018 | BC337 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse) | Siemens |
250019 | BC337 | Transistor D'Amplificateur | Motorola |
250020 | BC337 | Plastique NPN De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
250021 | BC337 | PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
250022 | BC337 | Transistor planaire épitaxial de silicium de NPN pour des applications de commutation et d'amplificateur | Semtech |
250023 | BC337 | 0.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.800A Ic, 100-630 hFE | Continental Device India Limited |
250024 | BC337 | Transistor. Commutation et applications ampplifier. Convient pour stagees AF-pilote et étages de puissance. Collecteur-base VCBO = 50V. Collecteur-émetteur VCEO = 45V. Émetteur-base Vebo = 5V. Collector dissipation Pc = 625mW. Collector | USHA India LTD |
250025 | BC337-016 | Plastique NPN De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
250026 | BC337-025 | Plastique NPN De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
250027 | BC337-040 | Plastique NPN De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
250028 | BC337-16 | Transistor d'usage universel de NPN | Philips |
250029 | BC337-16 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
250030 | BC337-16 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (tension élevée élevée de saturation de collecteur-émetteur de courant de collecteur de gain courant basse) | Siemens |
250031 | BC337-16 | Transistor D'Amplificateur | Motorola |
250032 | BC337-16 | Plastique NPN De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
250033 | BC337-16 | Transistors, & de Rf; Af | Vishay |
250034 | BC337-16 | PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
250035 | BC337-16 | 0.625W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.800A Ic, 100-250 hFE | Continental Device India Limited |
250036 | BC337-16 | Petits signaux Transistor (NPN) | General Semiconductor |
250037 | BC337-16RL1 | Plastique NPN De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
250038 | BC337-16ZL1 | Plastique NPN De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
250039 | BC337-25 | Transistor d'usage universel de NPN | Philips |
250040 | BC337-25 | Amplificateur D'Usage universel de NPN | Fairchild Semiconductor |
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