|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 27213 | 27214 | 27215 | 27216 | 27217 | 27218 | 27219 | 27220 | 27221 | 27222 | 27223 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1088681SFS9644Transistor MOSFET Avançé De PuissanceFairchild Semiconductor
1088682SFS9Z14Transistor MOSFET de PUISSANCE De P-canalFairchild Semiconductor
1088683SFS9Z24Transistor MOSFET de PUISSANCE De P-canalFairchild Semiconductor
1088684SFS9Z34Transistor MOSFET de PUISSANCE De P-canalFairchild Semiconductor
1088685SFT1DIODES DE REDRESSEUR RAPIDES SUPERBESEIC discrete Semiconductors
1088686SFT1001250 V, 100 A transistor PNP à grande vitesseSolid State Devices Inc
1088687SFT1002250 V, 100 A transistor NPN à grande vitesseSolid State Devices Inc
1088688SFT1003250 V, 100 A transistor PNP à grande vitesseSolid State Devices Inc
1088689SFT1004250 V, 100 A transistor NPN à grande vitesseSolid State Devices Inc
1088690SFT1010100 V, 100 A transistor NPN haute énergieSolid State Devices Inc
1088691SFT1012120 V, 100 A transistor NPN haute puissanceSolid State Devices Inc
1088692SFT1014140 V, 100 A transistor NPN haute puissanceSolid State Devices Inc
1088693SFT1016160 V, 100 A transistor NPN haute puissanceSolid State Devices Inc
1088694SFT1018180 V, 100 A transistor NPN haute puissanceSolid State Devices Inc
1088695SFT102450 V, 0,5 transistor NPN une haute tensionSolid State Devices Inc
1088696SFT1020200 V, 100 A transistor NPN haute énergieSolid State Devices Inc
1088697SFT11Redresseur: SuperfastTaiwan Semiconductor
1088698SFT11GRedresseur: SuperfastTaiwan Semiconductor



1088699SFT12Redresseur: SuperfastTaiwan Semiconductor
1088700SFT12GRedresseur: SuperfastTaiwan Semiconductor
1088701SFT13Redresseur: SuperfastTaiwan Semiconductor
1088702SFT1305Canal P MOSFET pour General Purpose applications de commutationON Semiconductor
1088703SFT1341P-Channel MOSFET de puissance,-40V, 10A-, 112mOhm, simple TP / TP-FAON Semiconductor
1088704SFT1342P-Channel MOSFET de puissance,-60V, 12A-, 62mOhm, simple TP / TP-FAON Semiconductor
1088705SFT1350P-Channel MOSFET de puissance,-40V, 19A-, 59mOhm, simple TP / TP-FAON Semiconductor
1088706SFT13GRedresseur: SuperfastTaiwan Semiconductor
1088707SFT14Redresseur: SuperfastTaiwan Semiconductor
1088708SFT1431Canal N MOSFET de puissance, 35V, 11A, 25mOhm, simple TP / TP-FAON Semiconductor
1088709SFT1440Canal N MOSFET de puissance, 600V, 1.5A, 8.1Ohm, simple TP / TP-FAON Semiconductor
1088710SFT1446Canal N MOSFET de puissance, 60V, 20A, 51mOhm, simple TP / TP-FAON Semiconductor
1088711SFT14GRedresseur: SuperfastTaiwan Semiconductor
1088712SFT15Redresseur: SuperfastTaiwan Semiconductor
1088713SFT15GRedresseur: SuperfastTaiwan Semiconductor
1088714SFT16Redresseur: SuperfastTaiwan Semiconductor
1088715SFT16GRedresseur: SuperfastTaiwan Semiconductor
1088716SFT2DIODES DE REDRESSEUR RAPIDES SUPERBESEIC discrete Semiconductors
1088717SFT2010100 V, 200 A transistor NPN haute énergieSolid State Devices Inc
1088718SFT2012120 V, 200 A transistor NPN haute puissanceSolid State Devices Inc
1088719SFT2014140 V, 200 A transistor NPN haute puissanceSolid State Devices Inc
1088720SFT3DIODES DE REDRESSEUR RAPIDES SUPERBESEIC discrete Semiconductors
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 27213 | 27214 | 27215 | 27216 | 27217 | 27218 | 27219 | 27220 | 27221 | 27222 | 27223 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com