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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1143801SSM5G01TUType de MOS de la Manche du silicium P (convertisseur planaire épitaxial de C.c-C.c de diode d'U-MOSII)/Silicon Schottky pour DSCs et CamcordersTOSHIBA
1143802SSM5G02TUDispositifs discrets à puces multiples (P-CH + SMD)TOSHIBA
1143803SSM5G04TUDispositifs discrets à puces multiples (P-CH + SMD)TOSHIBA
1143804SSM5G06FEDispositifs discrets à puces multiples (P-CH + SMD)TOSHIBA
1143805SSM5G09TUDispositifs discrets à puces multiples (P-CH + SMD)TOSHIBA
1143806SSM5G10TUDispositifs discrets à puces multiples (P-CH + SMD)TOSHIBA
1143807SSM5G11TUDispositifs discrets à puces multiples (P-CH + SMD)TOSHIBA
1143808SSM5H01TUDispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD)TOSHIBA
1143809SSM5H05TUDispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD)TOSHIBA
1143810SSM5H06FEDispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD)TOSHIBA
1143811SSM5H07TUDispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD)TOSHIBA
1143812SSM5H08TUDispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD)TOSHIBA
1143813SSM5H10TUDispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD)TOSHIBA
1143814SSM5H11TUDispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD)TOSHIBA
1143815SSM5H12TUDispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD)TOSHIBA
1143816SSM5H14FDispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD)TOSHIBA
1143817SSM5H16TUDispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD)TOSHIBA
1143818SSM5H90ATUMulti-puce de dispositif discret (N-ch + diode de commutation)TOSHIBA
1143819SSM5H90TUMulti-puce de dispositif discret (N-ch + diode de commutation)TOSHIBA



1143820SSM5N05FUApplications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champTOSHIBA
1143821SSM5N15FEApplications Analogues De Commutateur D'Applications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champTOSHIBA
1143822SSM5N15FUSmall-signal MOSFET 2 en 1TOSHIBA
1143823SSM5N16FEApplications Analogues De Commutation D'Applications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champTOSHIBA
1143824SSM5N16FUApplications Analogues De Commutation D'Applications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champTOSHIBA
1143825SSM5P05FUApplications À grande vitesse De Commutation De Commutateur De Gestion De Puissance De Type de MOS De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet de champTOSHIBA
1143826SSM5P15FESmall-signal MOSFET 2 en 1TOSHIBA
1143827SSM5P15FUSmall-signal MOSFET 2 en 1TOSHIBA
1143828SSM5P16FESmall-signal MOSFET 2 en 1TOSHIBA
1143829SSM6E01TUType de MOS De P-Canal De Silicium De Dispositif De Multi-Morceau (U-MOS II) + Applications De Commutateur De Charge De Type de MOS De N-Canal (Planer)TOSHIBA
1143830SSM6E03TUMulti-Chip dispositif discret (P-ch-ch + N)TOSHIBA
1143831SSM6G18NUDispositifs discrets à puces multiples (P-CH + SMD)TOSHIBA
1143832SSM6H19NUDispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD)TOSHIBA
1143833SSM6J06FUApplications À grande vitesse De Commutation De Commutateur De Gestion De Puissance De Type de MOS De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet de champTOSHIBA
1143834SSM6J07FUApplications À grande vitesse De Commutation De Commutateur De Gestion De Puissance De Type de MOS De la Manche Du Silicium P De TransistorTOSHIBA
1143835SSM6J08FUTransistor à effet de champTOSHIBA
1143836SSM6J205FESmall-signal MOSFETTOSHIBA
1143837SSM6J206FESmall-signal MOSFETTOSHIBA
1143838SSM6J207FESmall-signal MOSFETTOSHIBA
1143839SSM6J212FESmall-signal MOSFETTOSHIBA
1143840SSM6J213FESmall-signal MOSFETTOSHIBA
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