Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1143801 | SSM5G01TU | Type de MOS de la Manche du silicium P (convertisseur planaire épitaxial de C.c-C.c de diode d'U-MOSII)/Silicon Schottky pour DSCs et Camcorders | TOSHIBA |
1143802 | SSM5G02TU | Dispositifs discrets à puces multiples (P-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143803 | SSM5G04TU | Dispositifs discrets à puces multiples (P-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143804 | SSM5G06FE | Dispositifs discrets à puces multiples (P-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143805 | SSM5G09TU | Dispositifs discrets à puces multiples (P-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143806 | SSM5G10TU | Dispositifs discrets à puces multiples (P-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143807 | SSM5G11TU | Dispositifs discrets à puces multiples (P-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143808 | SSM5H01TU | Dispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143809 | SSM5H05TU | Dispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143810 | SSM5H06FE | Dispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143811 | SSM5H07TU | Dispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143812 | SSM5H08TU | Dispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143813 | SSM5H10TU | Dispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143814 | SSM5H11TU | Dispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143815 | SSM5H12TU | Dispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143816 | SSM5H14F | Dispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143817 | SSM5H16TU | Dispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143818 | SSM5H90ATU | Multi-puce de dispositif discret (N-ch + diode de commutation) | TOSHIBA |
1143819 | SSM5H90TU | Multi-puce de dispositif discret (N-ch + diode de commutation) | TOSHIBA |
1143820 | SSM5N05FU | Applications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
1143821 | SSM5N15FE | Applications Analogues De Commutateur D'Applications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
1143822 | SSM5N15FU | Small-signal MOSFET 2 en 1 | TOSHIBA |
1143823 | SSM5N16FE | Applications Analogues De Commutation D'Applications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
1143824 | SSM5N16FU | Applications Analogues De Commutation D'Applications À grande vitesse De Commutation De Type de MOS De la Manche Du Silicium N De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
1143825 | SSM5P05FU | Applications À grande vitesse De Commutation De Commutateur De Gestion De Puissance De Type de MOS De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
1143826 | SSM5P15FE | Small-signal MOSFET 2 en 1 | TOSHIBA |
1143827 | SSM5P15FU | Small-signal MOSFET 2 en 1 | TOSHIBA |
1143828 | SSM5P16FE | Small-signal MOSFET 2 en 1 | TOSHIBA |
1143829 | SSM6E01TU | Type de MOS De P-Canal De Silicium De Dispositif De Multi-Morceau (U-MOS II) + Applications De Commutateur De Charge De Type de MOS De N-Canal (Planer) | TOSHIBA |
1143830 | SSM6E03TU | Multi-Chip dispositif discret (P-ch-ch + N) | TOSHIBA |
1143831 | SSM6G18NU | Dispositifs discrets à puces multiples (P-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143832 | SSM6H19NU | Dispositifs discrets Multi-Chip (N-CH + SMD) | TOSHIBA |
1143833 | SSM6J06FU | Applications À grande vitesse De Commutation De Commutateur De Gestion De Puissance De Type de MOS De la Manche Du Silicium P De Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
1143834 | SSM6J07FU | Applications À grande vitesse De Commutation De Commutateur De Gestion De Puissance De Type de MOS De la Manche Du Silicium P De Transistor | TOSHIBA |
1143835 | SSM6J08FU | Transistor à effet de champ | TOSHIBA |
1143836 | SSM6J205FE | Small-signal MOSFET | TOSHIBA |
1143837 | SSM6J206FE | Small-signal MOSFET | TOSHIBA |
1143838 | SSM6J207FE | Small-signal MOSFET | TOSHIBA |
1143839 | SSM6J212FE | Small-signal MOSFET | TOSHIBA |
1143840 | SSM6J213FE | Small-signal MOSFET | TOSHIBA |
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