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| | Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1164481 | STD95NH02LT4 | N-canal 24V - 0,0039 Ohms - Transistor MOSFET ULTRA BAS De STripFET de CHARGE de PORTE De 80A DPAK | ST Microelectronics |
| 1164482 | STD96N3LLH6 | N-canal 30 V, 0,0037 Ohm typ., 80 A, en DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1164483 | STD9N10 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1164484 | STD9N10 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164485 | STD9N10 | N - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164486 | STD9N10-1 | N-canal 100V - 0,23 & - TRANSISTOR DE TRANSISTOR MOSFET DE 9CA DPAK/ipak | ST Microelectronics |
| 1164487 | STD9N10L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1164488 | STD9N10L | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164489 | STD9N10L | N - La MANCHE 100V - 0.2Òhm - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De 9A IPAK/dpak | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164490 | STD9N40M2 | N-canal 400 V, 0,65 Ohm typ., 6 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1164491 | STD9N60M2 | N-canal 600 V, 0,72 Ohm typ., 5,5 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1164492 | STD9N65M2 | N-canal 650 V, 0,79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 MOSFET de puissance dans le paquet de DPAK | ST Microelectronics |
| 1164493 | STD9NM40N | N-canal 400 V, 0,73 Ohm typ., 5,6 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans un paquet de DPAK | ST Microelectronics |
| 1164494 | STD9NM50N | N-canal 500 V, 0,73 Ohm, 5 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance en DPAK | ST Microelectronics |
| 1164495 | STD9NM60N | N-canal 600 V, 0,63 Ohm, 6,5 A DPAK MDmesh (TM) II MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1164496 | STDD15 | BASSE DIODE DE DÉTECTION DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164497 | STDD15-04W | BASSE DIODE DE DÉTECTION DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164498 | STDD15-04WFILM | BASSE DIODE DE DÉTECTION DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164499 | STDD15-05W | BASSE DIODE DE DÉTECTION DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164500 | STDD15-05WFILM | BASSE DIODE DE DÉTECTION DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164501 | STDD15-07P | BASSE DIODE DE DÉTECTION DE CAPACITÉ | ST Microelectronics |
| 1164502 | STDD15-07P6 | BASSE DIODE DE DÉTECTION DE CAPACITÉ | ST Microelectronics |
| 1164503 | STDD15-07S | BASSE DIODE DE DÉTECTION DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164504 | STDD15-07SFILM | BASSE DIODE DE DÉTECTION DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164505 | STDELIV | L'CInformation DE COMMANDE POUR LE PAQUET ET LA LIVRAISON | ST Microelectronics |
| 1164506 | STDELIV | L'CInformation DE COMMANDE POUR LE PAQUET ET LA LIVRAISON | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164507 | STDH150 ASIC | Cellules d'cI/o | Samsung Electronic |
| 1164508 | STDH150 ASIC | Cellules d'cIp d'cI/o | Samsung Electronic |
| 1164509 | STDH150 ASIC | Verrous Primitifs | Samsung Electronic |
| 1164510 | STDH150 ASIC | Mémoires À haute densité | Samsung Electronic |
| 1164511 | STDH150 ASIC | Flip/Flops Primitif | Samsung Electronic |
| 1164512 | STDH150 ASIC | Cellules Primitives De Logique | Samsung Electronic |
| 1164513 | STDH150 ASIC | Fanouts Maximum | Samsung Electronic |
| 1164514 | STDH150 ASIC | Vue d'ensemble Primitive | Samsung Electronic |
| 1164515 | STDH150 ASIC | Mélanges Primitifs | Samsung Electronic |
| 1164516 | STDH150 ASIC | Cellules D'Entrée-sortie | Samsung Electronic |
| 1164517 | STDH150 ASIC | Caractéristiques | Samsung Electronic |
| 1164518 | STDH150 ASIC | Introduction | Samsung Electronic |
| 1164519 | STDH150 ASIC | Brochure STDH150 | Samsung Electronic |
| 1164520 | STDH150 ASIC | Possibilités De Paquet | Samsung Electronic |
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