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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1165961STGWT80V60DFgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 80 A très grande vitesseST Microelectronics
1165962STGWT80V60Fgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 80 A très grande vitesseST Microelectronics
1165963STGY40NC60VN-CHANNEL 50A - 600V - Max247 PowerMESH Très Rapide ? ? IGBTST Microelectronics
1165964STGY40NC60VN-CHANNEL 50A - 600V - Max247 PowerMESH Très Rapide ? ? IGBTST Microelectronics
1165965STGY40NC60VDN-canal 50A - 600V MAX247 POWERMESH TRÈS RAPIDE "IGBTST Microelectronics
1165966STGY50NB60N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBTST Microelectronics
1165967STGY50NB60N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBTST Microelectronics
1165968STGY50NB60HDN-canal 50A - 600V MAX247 POWERMESH IGBTST Microelectronics
1165969STGY50NB60HDN-canal 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBTSGS Thomson Microelectronics
1165970STGY50NC60WDSérie ultra rapide "W"ST Microelectronics
1165971STGY80H65DFBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 80 A haute vitesseST Microelectronics
1165972STH10NA50N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1165973STH10NA50FIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1165974STH10NA50FIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
1165975STH10NA50FIN - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1165976STH10NC60FIN-canal 600V - 0,6 OHMS - 10A - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 POWERMESHST Microelectronics
1165977STH10NC60FIN - la MANCHE 600V - 0.6Öhms - 10A - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 PowerMESH IISGS Thomson Microelectronics
1165978STH10NC60FIN-canal 600V - 0,6 OHMS - 10A - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 POWERMESHSGS Thomson Microelectronics
1165979STH10NK60ZFIl'cOhm 10A Du N-canal 600V 0,65 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESHSGS Thomson Microelectronics



1165980STH110N10F7-2N-canal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
1165981STH110N10F7-6N-canal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics
1165982STH12N120K5-2Canal N 1200 V, 0,58 Ohm typ., 12 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
1165983STH12NA60N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1165984STH12NA60FIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1165985STH12NA60FIN - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1165986STH12NA60FIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
1165987STH130N10F3-2N-canal 100 V, 7,8 mOhm typ., 120 A STripFET (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
1165988STH13NB60N - La MANCHE 600V - 0.48ohm - 13A - Transistor MOSFET deTO-247/ISOWATT218 PowerMESHST Microelectronics
1165989STH13NB60N - La MANCHE 600V - 0.48ohm - 13A - Transistor MOSFET deTO-247/ISOWATT218 PowerMESHST Microelectronics
1165990STH13NB60FIN - la MANCHE 600V - 0.48W - 1Á - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1165991STH13NB60FIN-canal 600V - 0,48 OHMS - 1Á - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 POWERMESHST Microelectronics
1165992STH140N8F7-2N-canal 80 V, 3,3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
1165993STH150N10F7-2N-canal 100 V, 0,0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
1165994STH15NA50N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1165995STH15NA50FIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1165996STH15NA50FIN - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1165997STH15NA50FIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
1165998STH15NB50FITRANSISTOR TRÈS BAS de MOS de PUISSANCE de CHARGE de PORTE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-channleST Microelectronics
1165999STH15NB50FIN-canal 500V - 0.33W - 14.Ã - Transistor MOSFET De T0- 247/isowatt218 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1166000STH15NB50FITRANSISTOR TRÈS BAS de MOS de PUISSANCE de CHARGE de PORTE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-channleSGS Thomson Microelectronics
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