Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1165961 | STGWT80V60DF | grille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 80 A très grande vitesse | ST Microelectronics |
1165962 | STGWT80V60F | grille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 80 A très grande vitesse | ST Microelectronics |
1165963 | STGY40NC60V | N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 PowerMESH Très Rapide ? ? IGBT | ST Microelectronics |
1165964 | STGY40NC60V | N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 PowerMESH Très Rapide ? ? IGBT | ST Microelectronics |
1165965 | STGY40NC60VD | N-canal 50A - 600V MAX247 POWERMESH TRÈS RAPIDE "IGBT | ST Microelectronics |
1165966 | STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT | ST Microelectronics |
1165967 | STGY50NB60 | N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT | ST Microelectronics |
1165968 | STGY50NB60HD | N-canal 50A - 600V MAX247 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
1165969 | STGY50NB60HD | N-canal 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT | SGS Thomson Microelectronics |
1165970 | STGY50NC60WD | Série ultra rapide "W" | ST Microelectronics |
1165971 | STGY80H65DFB | Tranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 80 A haute vitesse | ST Microelectronics |
1165972 | STH10NA50 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
1165973 | STH10NA50FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
1165974 | STH10NA50FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
1165975 | STH10NA50FI | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
1165976 | STH10NC60FI | N-canal 600V - 0,6 OHMS - 10A - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 POWERMESH | ST Microelectronics |
1165977 | STH10NC60FI | N - la MANCHE 600V - 0.6Öhms - 10A - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 PowerMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
1165978 | STH10NC60FI | N-canal 600V - 0,6 OHMS - 10A - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1165979 | STH10NK60ZFI | l'cOhm 10A Du N-canal 600V 0,65 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1165980 | STH110N10F7-2 | N-canal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquet | ST Microelectronics |
1165981 | STH110N10F7-6 | N-canal 100 V, 4,9 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquet | ST Microelectronics |
1165982 | STH12N120K5-2 | Canal N 1200 V, 0,58 Ohm typ., 12 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquet | ST Microelectronics |
1165983 | STH12NA60 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
1165984 | STH12NA60FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
1165985 | STH12NA60FI | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
1165986 | STH12NA60FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
1165987 | STH130N10F3-2 | N-canal 100 V, 7,8 mOhm typ., 120 A STripFET (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquet | ST Microelectronics |
1165988 | STH13NB60 | N - La MANCHE 600V - 0.48ohm - 13A - Transistor MOSFET deTO-247/ISOWATT218 PowerMESH | ST Microelectronics |
1165989 | STH13NB60 | N - La MANCHE 600V - 0.48ohm - 13A - Transistor MOSFET deTO-247/ISOWATT218 PowerMESH | ST Microelectronics |
1165990 | STH13NB60FI | N - la MANCHE 600V - 0.48W - 1Á - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1165991 | STH13NB60FI | N-canal 600V - 0,48 OHMS - 1Á - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 POWERMESH | ST Microelectronics |
1165992 | STH140N8F7-2 | N-canal 80 V, 3,3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquet | ST Microelectronics |
1165993 | STH150N10F7-2 | N-canal 100 V, 0,0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquet | ST Microelectronics |
1165994 | STH15NA50 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
1165995 | STH15NA50FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
1165996 | STH15NA50FI | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
1165997 | STH15NA50FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
1165998 | STH15NB50FI | TRANSISTOR TRÈS BAS de MOS de PUISSANCE de CHARGE de PORTE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-channle | ST Microelectronics |
1165999 | STH15NB50FI | N-canal 500V - 0.33W - 14.Ã - Transistor MOSFET De T0- 247/isowatt218 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1166000 | STH15NB50FI | TRANSISTOR TRÈS BAS de MOS de PUISSANCE de CHARGE de PORTE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-channle | SGS Thomson Microelectronics |
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