| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1180801 | STVMOCAABA | Multimedia over Coax solution ST | ST Microelectronics |
| 1180802 | STVP | ST programmeur Visual pour la programmation ST7, STM8 et STM32 | ST Microelectronics |
| 1180803 | STVVGLNA | Usage général, à gain variable, faible bruit, amplificateur RF pour les applications de récepteurs de diffusion | ST Microelectronics |
| 1180804 | STVVGLNAT | Usage général, à gain variable, faible bruit, amplificateur RF pour les applications de récepteurs de diffusion | ST Microelectronics |
| 1180805 | STW10N95K5 | N-canal 950 V, 0,65 Ohm typ., 8 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
| 1180806 | STW10NA50 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180807 | STW10NB60 | N-canal 600V - 0,69 OHMS - 10A - Transistor MOSFET De To-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1180808 | STW10NB60 | N - la MANCHE 600V - 0.69Ohm - 10A - Transistor MOSFET De To-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180809 | STW10NC60 | N-canal 600V - 0,6 OHMS - 10A - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1180810 | STW10NC60 | N - la MANCHE 600V - 0.6Öhms - 10A - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 PowerMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180811 | STW10NC60 | N-canal 600V - 0,6 OHMS - 10A - Transistor MOSFET De To-247/isowatt218 POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180812 | STW10NC70Z | Le N-canal 700V 0.58ohm 10.Ã To-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | ST Microelectronics |
| 1180813 | STW10NC70Z | Le N-canal 700V 0.õhm 10.Ã To-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180814 | STW10NK60Z | Le N-canal 600V - 0,65 OHMS - 10A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1180815 | STW10NK60Z | l'cOhm 10A Du N-canal 600V 0,65 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180816 | STW10NK80Z | Le N-canal 800V - 0,78 OHMS - 9A To-220/to-220fp/to-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1180817 | STW11NB80 | N-canal 800V - 0,65 OHMS - 11A - Transistor MOSFET De To-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1180818 | STW11NB80 | N-canal 800V - 0.6Öhm - 11A - Transistor MOSFET De T0-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180819 | STW11NK100Z | l'cOhm 8.Á To-247 Du N-canal 1000V 1,1 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1180820 | STW11NK90Z | N-canal 900 V, 0,82 Ohm typ., 9,2 Zener protégées SuperMESH (TM) MOSFET de puissance dans un boîtier TO-247 | ST Microelectronics |
| 1180821 | STW11NM80 | N-canal 800 V - 0,35 OHMS - 11 Transistor MOSFET De A To-220/to-220fp/d2pak/to-247 MDMESH | ST Microelectronics |
| 1180822 | STW120NF10 | N-canal 100 V, 0,009 Ohm, 110 A, STripFET (TM) II MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
| 1180823 | STW12N120K5 | Canal N 1200 V, 0,58 Ohm typ., 12 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
| 1180824 | STW12NA50 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1180825 | STW12NA50 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180826 | STW12NA50 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180827 | STW12NA60 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1180828 | STW12NA60 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180829 | STW12NA60 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180830 | STW12NB60 | N-canal 600V Transistor MOSFET Du 1À To-247 POWERMESH De 0,5 OHMS | ST Microelectronics |
| 1180831 | STW12NB60 | N-canal 600V Transistor MOSFET Du 1À To-247 POWERMESH De 0,5 OHMS | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180832 | STW12NC60 | N-canal 600V Transistor MOSFET Du 1À To-247 POWERMESH II De 0,48 OHMS | ST Microelectronics |
| 1180833 | STW12NC60 | N-canal 600V - 0.48W - Transistor MOSFET Du 1À To-247 PowerMesh II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180834 | STW12NK80Z | Le N-canal 800V - 0,65 OHMS - A 10,5 To-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1180835 | STW12NK90Z | l'cOhm 11A To-247 Du N-canal 900V 0,72 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1180836 | STW12NK95Z | N-CHANNEL 950V - 0,72 Ohm - 10A - TO-247 Zener-protégé SuperMESH ™ MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1180837 | STW130NS04ZB | Le N-canal A MAINTENU - 8mOhm - le Transistor MOSFET ENTIÈREMENT PROTÉGÉ de RECOUVREMENT de MAILLE De 80A To-220/to-247 | ST Microelectronics |
| 1180838 | STW13N60M2 | N-canal 600 V, 0,35 Ohm typ., 11 A MDmesh II Plus (TM) à faible MOSFET Qg Puissance en package TO-247 | ST Microelectronics |
| 1180839 | STW13N80K5 | N-canal 800 V, 0,37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
| 1180840 | STW13N95K3 | N-canal 950 V, 0,68 Ohm typ., 10 Zener protégées SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance dans TO-247 | ST Microelectronics |
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