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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1183641T140D105J050DSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183642T140D105J050MSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183643T140D105J050PSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183644T140D105J050RSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183645T140D105J050SSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183646T140D105K050ASCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183647T140D105K050BSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183648T140D105K050CSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183649T140D105K050DSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183650T140D105K050MSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183651T140D105K050PSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183652T140D105K050RSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183653T140D105K050SSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183654T140D105M050ASCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183655T140D105M050BSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183656T140D105M050CSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183657T140D105M050DSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183658T140D105M050MSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183659T140D105M050PSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation



1183660T140D105M050RSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183661T140D105M050SSCTANTALE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ/AXIALKemet Corporation
1183662T1451NThyristor De Commande De Phase De Netz-ThristorEupec GmbH
1183663T14L10À double rangée de connexions, bit 10, réseau d'échelle de R/2r pour D/a et convertisseur ANALOGIQUE-numérique avec les commutateurs bipolaires ou de CMOSVishay
1183664T14L1024NRAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 128K XTaiwan Memory Technology
1183665T14L1024N-10CRAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 128K XTaiwan Memory Technology
1183666T14L1024N-10HRAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 128K XTaiwan Memory Technology
1183667T14L1024N-10JRAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 128K XTaiwan Memory Technology
1183668T14L1024N-10PRAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 128K XTaiwan Memory Technology
1183669T14L1024N-10WRAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 128K XTaiwan Memory Technology
1183670T14L256ARAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 32K XTaiwan Memory Technology
1183671T14L256A-8JRAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 32K XTaiwan Memory Technology
1183672T14L256A-8J8ns; -0,5 À 4.6V; 1.0W; 32 x 8 haute vitesse CMOS RAM statiqueTM Technology
1183673T14L256A-8PRAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 8 CMOS De 32K XTaiwan Memory Technology
1183674T14L256A-8P8ns; -0,5 À 4.6V; 1.0W; 32 x 8 haute vitesse CMOS RAM statiqueTM Technology
1183675T14L2M16ARAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 16 CMOS De 128K Xetc
1183676T14L2M16A-10SRAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 16 CMOS De 128K Xetc
1183677T14L2M16A-12CRAM De CHARGE STATIQUE De la GRANDE VITESSE 16 CMOS De 128K Xetc
1183678T14M1024-10H10ns; -0,5 À 7,0 V; 1.0W; 50mA; 128 x 8 haute vitesse CMOS RAM statiqueTM Technology
1183679T14M1024-10J10ns; -0,5 À 7,0 V; 1.0W; 50mA; 128 x 8 haute vitesse CMOS RAM statiqueTM Technology
1183680T14M1024-10P10ns; -0,5 À 7,0 V; 1.0W; 50mA; 128 x 8 haute vitesse CMOS RAM statiqueTM Technology
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