Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1184081 | T221160A | MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 64K X | Taiwan Memory Technology |
1184082 | T221160A-30J | MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 64K X | Taiwan Memory Technology |
1184083 | T221160A-30J | 30ns; 4,5 à 5,5; 1.0W; 64K x 16 RAM dynamique: Fast Fashion Page | TM Technology |
1184084 | T221160A-30S | MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 64K X | Taiwan Memory Technology |
1184085 | T221160A-30S | 30ns; 4,5 à 5,5; 1.0W; 64K x 16 RAM dynamique: Fast Fashion Page | TM Technology |
1184086 | T221160A-35J | MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 64K X | Taiwan Memory Technology |
1184087 | T221160A-35J | 35ns; 4,5 à 5,5; 1.0W; 64K x 16 RAM dynamique: Fast Fashion Page | TM Technology |
1184088 | T221160A-35S | MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 64K X | Taiwan Memory Technology |
1184089 | T221160A-35S | 35ns; 4,5 à 5,5; 1.0W; 64K x 16 RAM dynamique: Fast Fashion Page | TM Technology |
1184090 | T221N | THYRISTORS DE COMMANDE DE PHASE | etc |
1184091 | T224160B | MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 256K X | Taiwan Memory Technology |
1184092 | T224160B | 4,5 à 5,5; 1.2W; 256K x 16 RAM dynamique: Fast Fashion Page | TM Technology |
1184093 | T224160B-30 | MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 256K X | Taiwan Memory Technology |
1184094 | T224160B-35 | MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 256K X | Taiwan Memory Technology |
1184095 | T224160B-45 | MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 256K X | Taiwan Memory Technology |
1184096 | T224160B-60 | MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 256K X | Taiwan Memory Technology |
1184097 | T224162-22J | 256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 22ns | TM Technology |
1184098 | T224162-22S | 256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 22ns | TM Technology |
1184099 | T224162-25J | 256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 25ns | TM Technology |
1184100 | T224162-25S | 256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 25ns | TM Technology |
1184101 | T224162-28J | 256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 28NS | TM Technology |
1184102 | T224162-28S | 256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 28NS | TM Technology |
1184103 | T224162-35J | 256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 35ns | TM Technology |
1184104 | T224162-35S | 256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 35ns | TM Technology |
1184105 | T224162-45J | 256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 45ns | TM Technology |
1184106 | T224162-45S | 256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 45ns | TM Technology |
1184107 | T224162-50J | 256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 50ns | TM Technology |
1184108 | T224162-50S | 256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 50ns | TM Technology |
1184109 | T224162B | 256K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDO | Taiwan Memory Technology |
1184110 | T224162B | 4,5 à 5,5; 1.0W; 256K x 16 RAM dynamique: EDO page mode | TM Technology |
1184111 | T224162B-22 | 256K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDO | Taiwan Memory Technology |
1184112 | T224162B-25 | 256K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDO | Taiwan Memory Technology |
1184113 | T224162B-28 | 256K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDO | Taiwan Memory Technology |
1184114 | T224162B-35 | 256K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDO | Taiwan Memory Technology |
1184115 | T224162B-45 | 256K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDO | Taiwan Memory Technology |
1184116 | T224162B-50 | 256K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDO | Taiwan Memory Technology |
1184117 | T2300 | TRIACS SENSIBLES DE SILICIUM DE PORTE | General Electric Solid State |
1184118 | T2300A | 2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 3 mA, Vdrom 100 V. | General Electric Solid State |
1184119 | T2300B | 2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 3 mA, Vdrom 200 V. | General Electric Solid State |
1184120 | T2300D | 2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 3 mA, Vdrom 400 V. | General Electric Solid State |
| | | |