| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 18001 | 1N4596R | 1400V, 150A usage général unique diode | Powerex Power Semiconductors |
| 18002 | 1N459A | Basse Diode De Fuite De Conductibilité Élevée | National Semiconductor |
| 18003 | 1N459A | DIODE DE SILICIUM | Central Semiconductor |
| 18004 | 1N459A | Basse Diode De Fuite De Conductibilité Élevée | Fairchild Semiconductor |
| 18005 | 1N459A | 175 V, 500 mW diode de fuite faible | BKC International Electronics |
| 18006 | 1N459ATR | Basse Diode De Fuite De Conductibilité Élevée | Fairchild Semiconductor |
| 18007 | 1N459A_L99Z | Basse Diode De Fuite De Conductibilité Élevée | Fairchild Semiconductor |
| 18008 | 1N459A_T50R | Basse Diode De Fuite De Conductibilité Élevée | Fairchild Semiconductor |
| 18009 | 1N459TR | Basse Diode De Fuite De Conductibilité Élevée | Fairchild Semiconductor |
| 18010 | 1N459_T50R | Basse Diode De Fuite De Conductibilité Élevée | Fairchild Semiconductor |
| 18011 | 1N4606 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE TYPE DE SILICIUM | TOSHIBA |
| 18012 | 1N4606 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 18013 | 1N4607 | Diode de signal ou d'ordinateur | Microsemi |
| 18014 | 1N4607 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 18015 | 1N4608 | Diode de signal ou d'ordinateur | Microsemi |
| 18016 | 1N4608 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE TYPE DE SILICIUM | TOSHIBA |
| 18017 | 1N4608 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 18018 | 1N4614 | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 18019 | 1N4614 | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 18020 | 1N4614 | BASSE OPÉRATION COURANTE à 250 uA | Compensated Devices Incorporated |
| 18021 | 1N4614 | 500MCW BASSES DIODES ZENER DU BRUIT SILION | Jinan Gude Electronic Device |
| 18022 | 1N4614 | DE NIVEAU BAS DE DIODES ZENER COURANT BAS: 250¥ÌCA - BAS BRUIT | Knox Semiconductor Inc |
| 18023 | 1N4614 | Usage universel Plombé De Diode Zener | Central Semiconductor |
| 18024 | 1N4614 (DO35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 18025 | 1N4614-1 | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 18026 | 1N4614-1 | BASSE OPÉRATION COURANTE à 250 uA | Compensated Devices Incorporated |
| 18027 | 1N4614C | 500mW à faible bruit diode Zener de silicium. Nominale 1,8 V de tension Zener. 2% de tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 18028 | 1N4614D | 500mW à faible bruit diode Zener de silicium. Nominale 1,8 V de tension Zener. Tolérance de 1%. | Jinan Gude Electronic Device |
| 18029 | 1N4614UR | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 18030 | 1N4614UR-1 | PAQUET DE LEADLESS POUR LE BÂTI EXTÉRIEUR | Compensated Devices Incorporated |
| 18031 | 1N4614UR-1 | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 18032 | 1N4615 | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 18033 | 1N4615 | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 18034 | 1N4615 | BASSE OPÉRATION COURANTE à 250 uA | Compensated Devices Incorporated |
| 18035 | 1N4615 | 500MCW BASSES DIODES ZENER DU BRUIT SILION | Jinan Gude Electronic Device |
| 18036 | 1N4615 | DE NIVEAU BAS DE DIODES ZENER COURANT BAS: 250¥ÌCA - BAS BRUIT | Knox Semiconductor Inc |
| 18037 | 1N4615 | Usage universel Plombé De Diode Zener | Central Semiconductor |
| 18038 | 1N4615 (DO35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 18039 | 1N4615-1 | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 18040 | 1N4615-1 | BASSE OPÉRATION COURANTE à 250 uA | Compensated Devices Incorporated |
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