Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
190801 | AM29861 | (AM29861 - ) Émetteurs récepteurs D'Autobus Du Rendement AM29864 Élevé | Advanced Micro Devices |
190802 | AM29BDD160G | 16 millions de bits (1 M x 16-bit/512 K X de 32 bits) CMOS mode continu de 2,5 Volts-seulement, botte duelle, mémoire instantanée lecture/écriture simultanée | Advanced Micro Devices |
190803 | AM29BDD160G | Am29BDD160G KGD (Bonne Matrice Connue) | Advanced Micro Devices |
190804 | AM29BDD160GB54D | 16 millions de bits (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOSmode continu de 2.5 Volts-seulement, conjuguent Initialisation, mémoire instantanée lecture/écriture simultanée | Advanced Micro Devices |
190805 | AM29BDD160GB54D | 16 millions de bits (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOSmode continu de 2.5 Volts-seulement, conjuguent Initialisation, mémoire instantanée lecture/écriture simultanée | Advanced Micro Devices |
190806 | AM29BDD160GB64C | 16 millions de bits (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOSmode continu de 2.5 Volts-seulement, conjuguent Initialisation, mémoire instantanée lecture/écriture simultanée | Advanced Micro Devices |
190807 | AM29BDD160GB64C | 16 millions de bits (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOSmode continu de 2.5 Volts-seulement, conjuguent Initialisation, mémoire instantanée lecture/écriture simultanée | Advanced Micro Devices |
190808 | AM29BDD160GB65A | 16 millions de bits (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOSmode continu de 2.5 Volts-seulement, conjuguent Initialisation, mémoire instantanée lecture/écriture simultanée | Advanced Micro Devices |
190809 | AM29BDD160GB65A | 16 millions de bits (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOSmode continu de 2.5 Volts-seulement, conjuguent Initialisation, mémoire instantanée lecture/écriture simultanée | Advanced Micro Devices |
190810 | AM29BDD160GT54D | 16 millions de bits (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOSmode continu de 2.5 Volts-seulement, conjuguent Initialisation, mémoire instantanée lecture/écriture simultanée | Advanced Micro Devices |
190811 | AM29BDD160GT54D | 16 millions de bits (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOSmode continu de 2.5 Volts-seulement, conjuguent Initialisation, mémoire instantanée lecture/écriture simultanée | Advanced Micro Devices |
190812 | AM29BDD160GT64C | 16 millions de bits (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOSmode continu de 2.5 Volts-seulement, conjuguent Initialisation, mémoire instantanée lecture/écriture simultanée | Advanced Micro Devices |
190813 | AM29BDD160GT64C | 16 millions de bits (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOSmode continu de 2.5 Volts-seulement, conjuguent Initialisation, mémoire instantanée lecture/écriture simultanée | Advanced Micro Devices |
190814 | AM29BDD160GT65A | 16 millions de bits (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOSmode continu de 2.5 Volts-seulement, conjuguent Initialisation, mémoire instantanée lecture/écriture simultanée | Advanced Micro Devices |
190815 | AM29BDD160GT65A | 16 millions de bits (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOSmode continu de 2.5 Volts-seulement, conjuguent Initialisation, mémoire instantanée lecture/écriture simultanée | Advanced Micro Devices |
190816 | AM29BDS320G | 32 millions de bits (2 M X de 16 bits), lecture/écriture simultanée de 1,8 Volts-seulement, mémoire d'instantané de mode continu | Advanced Micro Devices |
190817 | AM29BDS320G | 32 millions de bits (2 M X de 16 bits) CMOS lecture/écriture simultanée de 1,8 Volts-seulement, mémoire d'instantané de mode continu | Advanced Micro Devices |
190818 | AM29BDS323D | 32 millions de bits (2 M X de 16 bits) CMOS lecture/écriture simultanée de 1,8 Volts-seulement, mémoire d'instantané de mode continu | Advanced Micro Devices |
190819 | AM29BDS323DT11AWKI | 32 millions de bits (2 M X de 16 bits) CMOS lecture/écriture de 1,8 Volts-seulement/mémoire simultanées d'instantané mode continu | Advanced Micro Devices |
190820 | AM29BDS640G | 64 millions de bits (4 M X de 16 bits), lecture/écriture simultanée de 1,8 Volts-seulement, mémoire d'instantané de mode continu | Advanced Micro Devices |
190821 | AM29BDS640G | 64 millions de bits (4 M X de 16 bits) CMOS lecture/écriture simultanée de 1,8 Volts-seulement, mémoire d'instantané de mode continu | Advanced Micro Devices |
190822 | AM29BDS643D | 64 millions de bits (4 M X de 16 bits) CMOS lecture/écriture simultanée de 1,8 Volts-seulement, mémoire d'instantané de mode continu | Advanced Micro Devices |
190823 | AM29BDS643G | 64 millions de bits (4 M X de 16 bits) CMOS lecture/écriture simultanée de 1,8 Volts-seulement, mémoire d'instantané de mode continu | Advanced Micro Devices |
190824 | AM29BL162C | 16 millions de bits (1 M X de 16 bits) CMOS mémoire d'instantané de mode continu de 3,0 Volts-seulement | Advanced Micro Devices |
190825 | AM29BL162C | Am29BL162C (Bon Supplément Connu De Matrice) | Advanced Micro Devices |
190826 | AM29BL802C | Am29BL802C (Bon Supplément Connu De Matrice) | Advanced Micro Devices |
190827 | AM29BL802C | 8 millions de bits (512 K X de 16 bits) CMOS mémoire d'instantané de mode continu de 3,0 Volts-seulement | Advanced Micro Devices |
190828 | AM29DL16XC | 16 millions de bits (2 M x 8-Bit/1 M X de 16 bits) CMOS 3,0 Volts-seulement, mémoire d'instantané d'opération simultanée | Advanced Micro Devices |
190829 | AM29DL16XD | 16 millions de bits (2 M x 8-Bit/1 M X de 16 bits) CMOS 3,0 Volts-seulement, mémoire d'instantané d'opération simultanée | Advanced Micro Devices |
190830 | AM29DL320G | 32 millions de bits (4 M x 8-Bit/2 M X de 16 bits) CMOS 3,0 Volts-seulement, mémoire d'instantané d'opération simultanée | Advanced Micro Devices |
190831 | AM29DL320GB120 | Pour de nouvelles conceptions impliquant des paquets deTSOP, les supercedes Am29DL320G de S29JL032H et est le chemin usine-recommandé de migration. | Advanced Micro Devices |
190832 | AM29DL320GB120 | Pour de nouvelles conceptions impliquant des paquets deTSOP, les supercedes Am29DL320G de S29JL032H et est le chemin usine-recommandé de migration. | Advanced Micro Devices |
190833 | AM29DL320GB70 | Pour de nouvelles conceptions impliquant des paquets deTSOP, les supercedes Am29DL320G de S29JL032H et est le chemin usine-recommandé de migration. | Advanced Micro Devices |
190834 | AM29DL320GB70 | Pour de nouvelles conceptions impliquant des paquets deTSOP, les supercedes Am29DL320G de S29JL032H et est le chemin usine-recommandé de migration. | Advanced Micro Devices |
190835 | AM29DL320GB70EF | Pour de nouvelles conceptions impliquant des paquets deTSOP, les supercedes Am29DL320G de S29JL032H et est le chemin usine-recommandé de migration. | Advanced Micro Devices |
190836 | AM29DL320GB70EF | Pour de nouvelles conceptions impliquant des paquets deTSOP, les supercedes Am29DL320G de S29JL032H et est le chemin usine-recommandé de migration. | Advanced Micro Devices |
190837 | AM29DL320GB70EFN | Pour de nouvelles conceptions impliquant des paquets deTSOP, les supercedes Am29DL320G de S29JL032H et est le chemin usine-recommandé de migration. | Advanced Micro Devices |
190838 | AM29DL320GB70EFN | Pour de nouvelles conceptions impliquant des paquets deTSOP, les supercedes Am29DL320G de S29JL032H et est le chemin usine-recommandé de migration. | Advanced Micro Devices |
190839 | AM29DL320GB70EI | Pour de nouvelles conceptions impliquant des paquets deTSOP, les supercedes Am29DL320G de S29JL032H et est le chemin usine-recommandé de migration. | Advanced Micro Devices |
190840 | AM29DL320GB70EI | Pour de nouvelles conceptions impliquant des paquets deTSOP, les supercedes Am29DL320G de S29JL032H et est le chemin usine-recommandé de migration. | Advanced Micro Devices |
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