| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 252721 | BC858CLT3G | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252722 | BC858CLT3G | Transistors Tout usage | ON Semiconductor |
| 252723 | BC858CLT3G | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252724 | BC858CMTF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252725 | BC858CW | Transistors Bipolaires | Diodes |
| 252726 | BC858CW | Transistors tout usage - paquet SOT323 | Infineon |
| 252727 | BC858CW | Des transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse) | Siemens |
| 252728 | BC858CW | PlanarTransistors montage Si épitaxiale de surface | Diotec Elektronische |
| 252729 | BC858CW | Transistor PNP pour usage général et applications de commutation | Korea Electronics (KEC) |
| 252730 | BC858CW-7 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE PNP PETIT | Diodes |
| 252731 | BC858CW-7 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE PNP PETIT | Diodes |
| 252732 | BC858CW-G | Petits signaux Transistor, V CBO = -30V, V PDG = -30V, V EBO = 5V, je C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252733 | BC858CWT1 | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252734 | BC858CWT1 | Silicium transistor PNP à usage général | Motorola |
| 252735 | BC858F | Transistor de silicium de PNP (application tout usage de commutation d'application) | AUK Corp |
| 252736 | BC858F | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252737 | BC858S | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 252738 | BC858S | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 252739 | BC858T | Transistors d'Af De Silicium de NPN | Infineon |
| 252740 | BC858T | Transistors d'Af De Silicium de NPN | Infineon |
| 252741 | BC858U | Transistor de silicium de PNP (application tout usage de commutation d'application) | AUK Corp |
| 252742 | BC858UF | Transistor de silicium de PNP (application tout usage de commutation d'application) | AUK Corp |
| 252743 | BC858W | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252744 | BC858W | Transistor Tout usage | Korea Electronics (KEC) |
| 252745 | BC858W | PNP transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 252746 | BC858W | PlanarTransistors montage Si épitaxiale de surface | Diotec Elektronische |
| 252747 | BC858W | NPN Silicon AF Transistors | Infineon |
| 252748 | BC859 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252749 | BC859 | Transistor Tout usage | Korea Electronics (KEC) |
| 252750 | BC859 | Petits Transistors De Signal (PNP) | Vishay |
| 252751 | BC859 | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252752 | BC859 | Petits Transistors De Signal (PNP) | General Semiconductor |
| 252753 | BC859 | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252754 | BC859 | 0.250W usage général PNP Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 125-800 hFE. BC849 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 252755 | BC859 | PlanarTransistors montage Si épitaxiale de surface | Diotec Elektronische |
| 252756 | BC859 | NPN Silicon AF Transistors | Infineon |
| 252757 | BC859A | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252758 | BC859A | Petits Transistors De Signal (PNP) | General Semiconductor |
| 252759 | BC859A | Transistors tout usage - paquet SOT23 | Infineon |
| 252760 | BC859A | Des transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse) | Siemens |
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