| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 254001 | BCR199 | Transistor De Digital De Silicium de PNP | Infineon |
| 254002 | BCR199F | AF-Transistors numériques simples (de résistance intégrée) en paquet Tsfp-3 | Infineon |
| 254003 | BCR199FE6327 | Transistors de Numérique - R1 = kOhm 47; R2 = - kOhm | Infineon |
| 254004 | BCR199L3 | Transistor De Digital De Silicium de PNP | Infineon |
| 254005 | BCR199L3E6327 | Transistors de Numérique - R1 = kOhm 47 | Infineon |
| 254006 | BCR199T | AF-Transistors (complexes) numériques simples en paquet SC75 | Infineon |
| 254007 | BCR199TE6327 | Transistors de Numérique - R1 = kOhm 47 | Infineon |
| 254008 | BCR19PN | Transistors de Numérique - paquet SOT363 | Infineon |
| 254009 | BCR1AM | Mener-Montez Volts Ampere/400-600 Du Triac 1 | Powerex Power Semiconductors |
| 254010 | BCR1AM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254011 | BCR1AM-12 | TYPE DE VERRE DE PASSIVATION DE BASSE UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254012 | BCR1AM-12 | Mener-Montez Volts Ampere/400-600 Du Triac 1 | Powerex Power Semiconductors |
| 254013 | BCR1AM-8 | TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION DE BASSE UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254014 | BCR1AM-8 | Mener-Montez Volts Ampere/400-600 Du Triac 1 | Powerex Power Semiconductors |
| 254015 | BCR20A | UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254016 | BCR20AM | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254017 | BCR20AM | Volts Ampere/400-600 Du Triac 20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254018 | BCR20AM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254019 | BCR20AM-12 | Volts Ampere/400-600 Du Triac 20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254020 | BCR20AM-12L | Volts Ampere/400-600 Du Triac 20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254021 | BCR20AM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254022 | BCR20AM-8 | Volts Ampere/400-600 Du Triac 20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254023 | BCR20AM-8L | Volts Ampere/400-600 Du Triac 20 | Powerex Power Semiconductors |
| 254024 | BCR20B | UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254025 | BCR20B-10 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254026 | BCR20B-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254027 | BCR20C | UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254028 | BCR20C-10 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254029 | BCR20C-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254030 | BCR20E | UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254031 | BCR20KM | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254032 | BCR22 | Rangée de Numérique Tansistor de silicium de NPN/pnp (circuit de commutation/circuit d'inverseur/interface/circuit d'entraînement) | Siemens |
| 254033 | BCR22PN | Rangée de Numérique Tansistor de silicium de NPN/pnp (circuit de commutation, inverseur, circuit d'interface, circuit d'entraînement) | Siemens |
| 254034 | BCR22PN | Transistors Intégrés Duels d'Af De Résistance; NPN/pnp; Types industriels de Standars, Icmax de 100mA; Vceo de 50V | Infineon |
| 254035 | BCR22PNE6327 | Transistors de Numérique - paquet SOT363 | Infineon |
| 254036 | BCR25A | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254037 | BCR25B | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254038 | BCR2PM | TYPE ISOLÉ BASSE PAR UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254039 | BCR2PM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254040 | BCR2PM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
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