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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
257321BD5334IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257322BD5334FVEDétecteur de tension, 3.4VROHM
257323BD5334GDétecteur de tension, 3.4VROHM
257324BD5334G/FVE> de détecteurs de tension; L'cIc de détecteur de tension de CMOS avec C externe retarde le circuit (le CMOS a produit le type)ROHM
257325BD5335IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257326BD5335IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257327BD5335FVEDétecteur de tension, 3.5VROHM
257328BD5335GDétecteur de tension, 3.5VROHM
257329BD5335G/FVE> de détecteurs de tension; L'cIc de détecteur de tension de CMOS avec C externe retarde le circuit (le CMOS a produit le type)ROHM
257330BD5336IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257331BD5336IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257332BD5336FVEDétecteur de tension, 3.6VROHM
257333BD5336GDétecteur de tension, 3.6VROHM
257334BD5336G/FVE> de détecteurs de tension; L'cIc de détecteur de tension de CMOS avec C externe retarde le circuit (le CMOS a produit le type)ROHM
257335BD5337IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257336BD5337IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257337BD5337FVEDétecteur de tension, 3.7VROHM
257338BD5337GDétecteur de tension, 3.7VROHM
257339BD5337G/FVE> de détecteurs de tension; L'cIc de détecteur de tension de CMOS avec C externe retarde le circuit (le CMOS a produit le type)ROHM



257340BD5338IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257341BD5338IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257342BD5338FVEDétecteur de tension, 3.8VROHM
257343BD5338GDétecteur de tension, 3.8VROHM
257344BD5338G/FVE> de détecteurs de tension; L'cIc de détecteur de tension de CMOS avec C externe retarde le circuit (le CMOS a produit le type)ROHM
257345BD5339IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257346BD5339IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257347BD5339FVEDétecteur de tension, 3.9VROHM
257348BD5339GDétecteur de tension, 3.9VROHM
257349BD5339G/FVE> de détecteurs de tension; L'cIc de détecteur de tension de CMOS avec C externe retarde le circuit (le CMOS a produit le type)ROHM
257350BD533JTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
257351BD533J50.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 8.000A Ic, 30-75 hFE.Continental Device India Limited
257352BD533K50.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 8.000A Ic, 40-100 hFE.Continental Device India Limited
257353BD534Transistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
257354BD534TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
257355BD534TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
257356BD534TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
257357BD53450.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 8.000A Ic, 20 hFE.Continental Device India Limited
257358BD534Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. -45V, 50W.General Electric Solid State
257359BD534transistor de puissance PNP plastique complémentaire de silicium. 45 V, 4 A, 50 W.Motorola
257360BD5340IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
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