Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
258201 | BDV64B | PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE PNP | TRSYS |
258202 | BDV64C | PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
258203 | BDV64C | PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE PNP | TRSYS |
258204 | BDV65 | PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
258205 | BDV65 | PUISSANCE TRANSISTORS(1à, 125w) | MOSPEC Semiconductor |
258206 | BDV65 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
258207 | BDV65A | PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
258208 | BDV65A | PUISSANCE TRANSISTORS(1à, 125w) | MOSPEC Semiconductor |
258209 | BDV65A | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
258210 | BDV65B | PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
258211 | BDV65B | PUISSANCE TRANSISTORS(1à, 125w) | MOSPEC Semiconductor |
258212 | BDV65B | Puissance En plastique Darlingtons De Silicium Complémentaire | Motorola |
258213 | BDV65B | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
258214 | BDV65B | Puissance 10A 100V NPN | ON Semiconductor |
258215 | BDV65B-D | Puissance En plastique Darlingtons De Silicium Complémentaire | ON Semiconductor |
258216 | BDV65C | PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
258217 | BDV66 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ã, 60-100v, 125w) | MOSPEC Semiconductor |
258218 | BDV66A | PUISSANCE TRANSISTORS(1ã, 60-100v, 125w) | MOSPEC Semiconductor |
258219 | BDV66B | PUISSANCE TRANSISTORS(1ã, 60-100v, 125w) | MOSPEC Semiconductor |
258220 | BDV67 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ã, 60-100v, 125w) | MOSPEC Semiconductor |
258221 | BDV67A | PUISSANCE TRANSISTORS(1ã, 60-100v, 125w) | MOSPEC Semiconductor |
258222 | BDV67B | PUISSANCE TRANSISTORS(1ã, 60-100v, 125w) | MOSPEC Semiconductor |
258223 | BDW21 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
258224 | BDW21C | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
258225 | BDW22 | Dispositif bipolaire de PNP dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
258226 | BDW23 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
258227 | BDW23 | PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
258228 | BDW23A | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
258229 | BDW23A | PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
258230 | BDW23ATU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
258231 | BDW23B | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
258232 | BDW23B | PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
258233 | BDW23BTU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
258234 | BDW23C | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
258235 | BDW23C | PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
258236 | BDW23CTU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
258237 | BDW23TU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
258238 | BDW24 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
258239 | BDW24 | PUISSANCE DARLINGTONS DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
258240 | BDW24A | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
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