| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 260161 | BFS17N | Transistor NPN RF IN SOT23 | Diodes |
| 260162 | BFS17NTA | Transistor NPN RF IN SOT23 | Diodes |
| 260163 | BFS17P | Rf-Bipolaire - transistor du silicium rf de NPN pour les amplificateurs à bande large | Infineon |
| 260164 | BFS17P | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large jusqu'au 1GHz aux courants de collecteur de 1mA à 20mA) | Siemens |
| 260165 | BFS17R | Transistor Planaire Du Silicium NPN Rf | Vishay |
| 260166 | BFS17S | Rf-Bipolaire - rangée duelle de transistor du silicium rf de NPN (2xBFS17W) pour les amplificateurs à bande large | Infineon |
| 260167 | BFS17S | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large jusqu'au 1GHz aux courants de collecteur de 1mA à 20mA) | Siemens |
| 260168 | BFS17W | NPN transistor de bande large de 1 gigahertz | Philips |
| 260169 | BFS17W | Transistor Planaire Du Silicium NPN Rf | Vishay |
| 260170 | BFS17W | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large jusqu'au 1GHz aux courants de collecteur de 1mA à 20mA) | Siemens |
| 260171 | BFS17W | Transistor Du Silicium Rf de NPN | Infineon |
| 260172 | BFS17W | NPN 1 GHz large bande transistor | NXP Semiconductors |
| 260173 | BFS17W . | Transistors Rf-Bipolaires de type de NPN avec la fréquence de transition de 1 à 6 gigahertz | Infineon |
| 260174 | BFS17W. | Rf-Bipolaire - pour les amplificateurs à bande large jusqu'à 1 gigahertz aux courants de collecteur de 1 mA à 20 mA | Infineon |
| 260175 | BFS18 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 260176 | BFS18 | transistor du silicium rf de npn | Siemens |
| 260177 | BFS18R | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 260178 | BFS18R | transistor du silicium rf de npn | Siemens |
| 260179 | BFS19 | Transistor moyen de fréquence de NPN | Philips |
| 260180 | BFS19 | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 260181 | BFS19 | transistor du silicium rf de npn | Siemens |
| 260182 | BFS19 | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 260183 | BFS19 | Transistor NPN de fréquence moyenne | NXP Semiconductors |
| 260184 | BFS19R | Czêstotliwo¶ci de wielkiej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 260185 | BFS19R | transistor du silicium rf de npn | Siemens |
| 260186 | BFS20 | Transistor moyen de fréquence de NPN | Philips |
| 260187 | BFS20 | Transistor de RF/vhf/uhf | Korea Electronics (KEC) |
| 260188 | BFS20 | TRANSISTOR PLANAIRE DE VHF DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 260189 | BFS20 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 260190 | BFS20 | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 260191 | BFS20 | Transistor NPN de fréquence moyenne | NXP Semiconductors |
| 260192 | BFS20R | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN | Siemens |
| 260193 | BFS20W | Transistor moyen de fréquence de NPN | Philips |
| 260194 | BFS20W | Transistor NPN de fréquence moyenne | NXP Semiconductors |
| 260195 | BFS25 | NPN transistor de bande large de 5 gigahertz | Philips |
| 260196 | BFS25A | NPN transistor de bande large de 5 gigahertz | Philips |
| 260197 | BFS25A | NPN 5 GHz large bande transistor | NXP Semiconductors |
| 260198 | BFS360L6 | Rf-Bipolaire - Rf-Transistor JUMEAU de type de silicium de NPN en paquet Tslp-6 idéal pour des modules de VCO jusqu'à 4GHz | Infineon |
| 260199 | BFS380L6 | Rf-Bipolaire - Rf-Transistor JUMEAU de type de silicium de NPN en paquet Tslp-6 pour des modules de LNA et de VCO jusqu'à 4GHz | Infineon |
| 260200 | BFS386L6 | Rf-Bipolaire - le JUMEAU de silicium de NPN a mélangé le Rf-Transistor de type en paquet Tslp-6 idéal pour des modules de VCO jusqu'à 4GHz | Infineon |
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