| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 331881 | CSD471A | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 1.000A Ic, 70-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 331882 | CSD471AG | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 1.000A Ic, 200-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 331883 | CSD471AO | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 1.000A Ic, 70-140 hFE | Continental Device India Limited |
| 331884 | CSD471AY | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 1.000A Ic, 120-240 hFE | Continental Device India Limited |
| 331885 | CSD471G | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 1.000A Ic, 200-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 331886 | CSD471O | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 1.000A Ic, 70-140 hFE | Continental Device India Limited |
| 331887 | CSD471Y | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 1.000A Ic, 120-240 hFE | Continental Device India Limited |
| 331888 | CSD545 | 0.600W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 1.000A Ic, 60-560 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331889 | CSD545D | 0.600W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 1.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331890 | CSD545E | 0.600W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 1.000A Ic, 100 - 200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331891 | CSD545F | 0.600W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 1.000A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331892 | CSD545G | 0.600W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 1.000A Ic, 280-560 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331893 | CSD611 | 2.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 110V VCEO, 6.000A Ic, 2-20000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331894 | CSD655 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 331895 | CSD655 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 331896 | CSD655D | 0.500W usage général NPN Transistor plastique plomb. 15V VCEO, 0.700A Ic, 250 - 500 hFE | Continental Device India Limited |
| 331897 | CSD655E | 0.500W usage général NPN Transistor plastique plomb. 15V VCEO, 0.700A Ic, 300-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 331898 | CSD655F | 0.500W usage général NPN Transistor plastique plomb. 15V VCEO, 0.700A Ic, 600-1200 hFE | Continental Device India Limited |
| 331899 | CSD667 | 0.900W usage général NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.000A Ic, 60-320 hFE | Continental Device India Limited |
| 331900 | CSD667A | 0.900W usage général NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 1.000A Ic, 60-200 hFE | Continental Device India Limited |
| 331901 | CSD667AB | 0.900W usage général NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 1.000A Ic, 60-120 hFE | Continental Device India Limited |
| 331902 | CSD667AC | 0.900W usage général NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 1.000A Ic, 100 - 200 hFE | Continental Device India Limited |
| 331903 | CSD667B | 0.900W usage général NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 1.000A Ic, 60-120 hFE | Continental Device India Limited |
| 331904 | CSD667C | 0.900W usage général NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 1.000A Ic, 100 - 200 hFE | Continental Device India Limited |
| 331905 | CSD667D | 0.900W usage général NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 1.000A Ic, 160-320 hFE | Continental Device India Limited |
| 331906 | CSD669 | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 1.500A Ic, 60-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331907 | CSD669A | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 160V VCEO, 1.500A Ic, 60-200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331908 | CSD669AB | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 160V VCEO, 1.500A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331909 | CSD669AC | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 160V VCEO, 1.500A Ic, 100 - 200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331910 | CSD669B | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 1.500A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331911 | CSD669C | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 1.500A Ic, 100 - 200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331912 | CSD669D | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 1.500A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331913 | CSD75204W15 | Double P-Canal NexFET ™ MOSFET de puissance | Texas Instruments |
| 331914 | CSD75205W1015 | Double P-Canal NexFET ™ MOSFET de puissance | Texas Instruments |
| 331915 | CSD75207W15 | Double P-Canal NexFET ™ MOSFET de puissance | Texas Instruments |
| 331916 | CSD75211W1723 | Double P-Canal NexFET ™ MOSFET de puissance | Texas Instruments |
| 331917 | CSD794 | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 3.000A Ic, 60-320 hFE. Complémentaire CSB744 | Continental Device India Limited |
| 331918 | CSD794A | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-320 hFE. CSB744A complémentaire | Continental Device India Limited |
| 331919 | CSD794AO | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 200 hFE. CSB744AO complémentaire | Continental Device India Limited |
| 331920 | CSD794AR | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSB744AR complémentaire | Continental Device India Limited |
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