Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
33561 | 1S1555 | DIODES DE COMMUTATION | Leshan Radio Company |
33562 | 1S1555 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
33563 | 1S1585 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
33564 | 1S1585 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
33565 | 1S1586 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
33566 | 1S1586 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
33567 | 1S1587 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
33568 | 1S1587 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
33569 | 1S1588 | Type Planaire Épitaxial De Silicium | TOSHIBA |
33570 | 1S1588 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
33571 | 1S1829 | TYPE DIFFUS PAR SILICIUM DE REDRESSEUR | TOSHIBA |
33572 | 1S1830 | Type Diffus Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
33573 | 1S1832 | Le silicium de redresseur a répandu des applications à grande vitesse de redresseur de type (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
33574 | 1S1834 | Le silicium de redresseur a répandu des applications à grande vitesse de redresseur de type (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
33575 | 1S1835 | Le silicium de redresseur a répandu des applications à grande vitesse de redresseur de type (rétablissement rapide) | TOSHIBA |
33576 | 1S1885 | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
33577 | 1S1885A | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseurs | TOSHIBA |
33578 | 1S1886 | TYPE DIFFUS PAR SILICIUM DE REDRESSEUR | TOSHIBA |
33579 | 1S1886A | REDRESSEUR (APPLICATIONS DE REDRESSEUR DE BUT DE CENERAL) | TOSHIBA |
33580 | 1S1887 | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
33581 | 1S1887A | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseurs | TOSHIBA |
33582 | 1S1888 | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseur | TOSHIBA |
33583 | 1S1888A | Applications Tout usage De Redresseur De Type Diffuses Par Silicium De Redresseurs | TOSHIBA |
33584 | 1S2 | BARRIÈRE RECTIFIERS(voltage - 20 à 100 volts de SCHOTTKY de 1 AMPÈRE de COURANT - 1,0 ampères) | Panjit International Inc |
33585 | 1S2 | SPECIFICTIONS TECHNIQUE DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | DC Components |
33586 | 1S20 | REDRESSEURS DE BARRIÈRE DE 1,0 AMPÈRES SCHOTTKY | Formosa MS |
33587 | 1S20 | REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | Rectron Semiconductor |
33588 | 1S20 | redresseur de barrière de 1,0 ampères Schottky 20 à 100 volts | Micro Commercial Components |
33589 | 1S2074 | Diodes>Switching | Renesas |
33590 | 1S2074 | Diode planaire épitaxiale de silicium pour la commutation à grande vitesse | Hitachi Semiconductor |
33591 | 1S2074(H) | Petit Signal | Hitachi Semiconductor |
33592 | 1S2074H | Diode planaire épitaxiale de silicium pour la commutation à grande vitesse | Hitachi Semiconductor |
33593 | 1S2075 | Diodes>Switching | Renesas |
33594 | 1S2075 | Diode planaire épitaxiale de silicium pour la commutation à grande vitesse | Hitachi Semiconductor |
33595 | 1S2075(K) | Petit Signal | Hitachi Semiconductor |
33596 | 1S2075K | Diode planaire épitaxiale de silicium pour la commutation à grande vitesse | Hitachi Semiconductor |
33597 | 1S2076 | Petit Signal | Hitachi Semiconductor |
33598 | 1S2076 | Diodes>Switching | Renesas |
33599 | 1S2076A | Petit Signal | Hitachi Semiconductor |
33600 | 1S2076A | Diodes>Switching | Renesas |
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