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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
360001DDC144EKTransistors De PrebiasedDiodes
360002DDC144EUTransistors De PrebiasedDiodes
360003DDC144EU-7-FPrécontraint TransistorsDiodes
360004DDC144NSDiscret - transistors bipolaires - prépolarisation TransistorsDiodes
360005DDC144NS-7Discret - transistors bipolaires - prépolarisation TransistorsDiodes
360006DDC144THNPN prépolarisés petit signal de SURFACE MOUNT DUAL TRANSISTORDiodes
360007DDC144TUDiscret - transistors bipolaires - prépolarisation TransistorsDiodes
360008DDC144TU-7Discret - transistors bipolaires - prépolarisation TransistorsDiodes
360009DDC26464-Channel, actuel-Entrée analogique-numérique ConverterTexas Instruments
360010DDC31616 canaux d'entrée de courant 16-bit ADCTexas Instruments
360011DDLK 03..Condensateurs En céramique 400VDC D'Auget De SinglelayerVishay
360012DDML 0310L'Auget En céramique De Singlelayer Filtre 200VDCVishay
360013DDML 0409L'Auget En céramique De Singlelayer Filtre 400VDCVishay
360014DDML 0416L'Auget En céramique De Singlelayer Filtre 400VDCVishay
360015DDML 0420L'Auget En céramique De Singlelayer Filtre C.c 400VVishay
360016DDML 0825Condensateurs En céramique 2000VDC D'Auget De SinglelayerVishay
360017DDMZ 0312L'Auget En céramique De Singlelayer Filtre 200VDCVishay
360018DDMZ 0315Condensateurs En céramique 400VDC D'Auget De SinglelayerVishay
360019DDNL 0409L'Auget En céramique De Singlelayer Filtre 400VDCVishay



360020DDP104Immersion De Soudure De Double Accès De Série De DYamaichi Electronics
360021DDP3310BProcesseur d'affichage et de débattementMicronas
360022DDR110-27T7RLLE DOUBLE RÉSEAU D'CArrêt DE DÉBIT AVEC NEUTRALISENT LE COMMUTATEURST Microelectronics
360023DDR110-27T7RLLE DOUBLE RÉSEAU D'CArrêt DE DÉBIT AVEC NEUTRALISENT LE COMMUTATEURSGS Thomson Microelectronics
360024DDR110-56T7RLLE DOUBLE RÉSEAU D'CArrêt DE DÉBIT AVEC NEUTRALISENT LE COMMUTATEURST Microelectronics
360025DDR110-56T7RLLE DOUBLE RÉSEAU D'CArrêt DE DÉBIT AVEC NEUTRALISENT LE COMMUTATEURSGS Thomson Microelectronics
360026DDRSDRAMVersion 0,61 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
360027DDRSDRAM1111Version 1,0 De Spécifications de DDR SDRAMSamsung Electronic
360028DDSL01Protection subsidiaire pour les lignes DSLST Microelectronics
360029DDSL01-030SLProtection subsidiaire pour les lignes DSLST Microelectronics
360030DDTA113TRANSISTOR de BÂTI de SURFACE du SIGNAL Pré-décentré Sc-59 de PNP PETITDiodes
360031DDTA113TCATransistors De PrebiasedDiodes
360032DDTA113TCA-7SIGNAL Pré-décentré Sot-23 de PNP Le PETIT CONJUGUENT LE TRANSISTOR EXTÉRIEUR de BÂTIDiodes
360033DDTA113TETransistors De PrebiasedDiodes
360034DDTA113TE-7SIGNAL Pré-décentré Sot-523 de PNP Le PETIT CONJUGUENT LE TRANSISTOR EXTÉRIEUR de BÂTIDiodes
360035DDTA113TKATransistors De PrebiasedDiodes
360036DDTA113TUATransistors De PrebiasedDiodes
360037DDTA113TUA-7TRANSISTOR de BÂTI de SURFACE du SIGNAL Pré-décentré Sot-323 de PNP PETITDiodes
360038DDTA113ZCATransistors De PrebiasedDiodes
360039DDTA113ZETransistors De PrebiasedDiodes
360040DDTA113ZE-7TRANSISTOR de BÂTI de SURFACE du SIGNAL Pré-décentré Sot-523 de PNP PETITDiodes
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