Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
415841 | FGA60N65SMD | 650V, 60A, Champ arrêt IGBT | Fairchild Semiconductor |
415842 | FGA70N33BTD | 330V, 70A PDP IGBT | Fairchild Semiconductor |
415843 | FGA90N33AT | 330V, 90A IGBT Trench PDP | Fairchild Semiconductor |
415844 | FGA90N33ATD | 330V, 90A IGBT Trench PDP | Fairchild Semiconductor |
415845 | FGAF20N60SMD | 600V, 20A, Champ arrêt IGBT | Fairchild Semiconductor |
415846 | FGAF40N60SMD | 600V, 40A, Champ arrêt IGBT | Fairchild Semiconductor |
415847 | FGAF40N60UF | Ultrafast IGBT | Fairchild Semiconductor |
415848 | FGAF40N60UFD | Ultrafast IGBT | Fairchild Semiconductor |
415849 | FGAF40N60UFDTU | Ultrafast IGBT | Fairchild Semiconductor |
415850 | FGAF40N60UFTU | Ultrafast IGBT | Fairchild Semiconductor |
415851 | FGB20N60SF | 600V, 20A, Champ arrêt IGBT | Fairchild Semiconductor |
415852 | FGB20N60SFD | 600V, 20A, Champ arrêt IGBT | Fairchild Semiconductor |
415853 | FGB20N60S_F085 | 600V, 20A Champ arrêt IGBT | Fairchild Semiconductor |
415854 | FGB20N6S2 | 600V, N-Canal IGBT De Série de SMPS II | Fairchild Semiconductor |
415855 | FGB20N6S2D | 600V, N-Canal IGBT de série de SMPS II avec la diode Anti-Parallèle de Stealth TM | Fairchild Semiconductor |
415856 | FGB20N6S2DT | 600V, N-Canal IGBT de série de SMPS II avec la diode de Stealth, paquet de To-263/d2pak | Fairchild Semiconductor |
415857 | FGB20N6S2T | 600V, N-Canal IGBT, Paquet De Série de SMPS II De To-263/d2pak | Fairchild Semiconductor |
415858 | FGB3040CS_F085 | EcoSpark 300mJ, 400V, N-Canal IGBT détection de courant d'allumage | Fairchild Semiconductor |
415859 | FGB3040G2_F085 | EcoSpark 2 300mJ, 400V, N-Canal IGBT allumage | Fairchild Semiconductor |
415860 | FGB30N6S2 | 600V, N-Canal IGBT De Série de SMPS II | Fairchild Semiconductor |
415861 | FGB30N6S2D | 600V, N-Canal IGBT de série de SMPS II avec la diode Anti-Parallèle de Stealth TM | Fairchild Semiconductor |
415862 | FGB30N6S2DT | 600V, N-Canal IGBT de série de SMPS II avec la diode Anti-Parallèle de Stealth | Fairchild Semiconductor |
415863 | FGB30N6S2T | 600V, N-Canal IGBT De Série de SMPS II | Fairchild Semiconductor |
415864 | FGB3236_F085 | EcoSpark 320mJ, 360V, N-Canal IGBT allumage | Fairchild Semiconductor |
415865 | FGB3245G2_F085 | EcoSpark 2 320mJ, 450V, N-Canal IGBT allumage | Fairchild Semiconductor |
415866 | FGB40N60SM | 600V, 40A, Champ arrêt IGBT | Fairchild Semiconductor |
415867 | FGB40N6S2 | 600V, N-Canal IGBT De Série de SMPS II | Fairchild Semiconductor |
415868 | FGB40N6S2T | 600V, N-Canal IGBT De Série de SMPS II | Fairchild Semiconductor |
415869 | FGB5N60UNDF | IGBT 600V, 5A, de court-circuit les plus populaires | Fairchild Semiconductor |
415870 | FGB7N60UNDF | IGBT 600V, 7A, court-circuit les plus populaires | Fairchild Semiconductor |
415871 | FGBS3040_F085 | Puce intégré allumage Coll pilote | Fairchild Semiconductor |
415872 | FGC1500A-130DS | (GCT) Unités D'arrêt Commutées Par Porte D'Entraînement De Thyristors/Gate | Mitsubishi Electric Corporation |
415873 | FGC1500A-130DS | TYPE DE DOSSIER DE PRESSE D'UTILISATION D'INVERSEUR DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Powerex Power Semiconductors |
415874 | FGC3500AX-120DS | (GCT) Unités D'arrêt Commutées Par Porte D'Entraînement De Thyristors/Gate | Mitsubishi Electric Corporation |
415875 | FGC3500AX-120DS | TYPE DE DOSSIER DE PRESSE D'UTILISATION D'INVERSEUR DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Powerex Power Semiconductors |
415876 | FGC4000BX-90DS | (GCT) Unités D'arrêt Commutées Par Porte D'Entraînement De Thyristors/Gate | Mitsubishi Electric Corporation |
415877 | FGC4000BX-90DS | TYPE D'arrêt de DOSSIER de PRESSE d'cUtilisation d'cInverseur de PUISSANCE ÉLEVÉE de THYRISTORS de PORTE de MITSUBISHI | Mitsubishi Electric Corporation |
415878 | FGC6000AX-120DS | (GCT) Unités D'arrêt Commutées Par Porte D'Entraînement De Thyristors/Gate | Mitsubishi Electric Corporation |
415879 | FGC6000AX-120DS | TYPE DE DOSSIER DE PRESSE D'UTILISATION D'INVERSEUR DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Powerex Power Semiconductors |
415880 | FGC800A-130DS | (GCT) Unités D'arrêt Commutées Par Porte D'Entraînement De Thyristors/Gate | Mitsubishi Electric Corporation |
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