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Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
439561	GES2222A	Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 40V, 400mA.	General Electric Solid State
439562	GES2646	transistor unijonction de silicium. 30V, 50mA.	General Electric Solid State
439563	GES2647	transistor unijonction de silicium. 30V, 50mA.	General Electric Solid State
439564	GES2904	Planaire épitaxiale du transistor PNP de silicium. 40V, 600mA.	General Electric Solid State
439565	GES2904A	Planaire épitaxiale du transistor PNP de silicium. 60V, 600mA.	General Electric Solid State
439566	GES2905	Planaire épitaxiale du transistor PNP de silicium. 40V, 600mA.	General Electric Solid State
439567	GES2905A	Planaire épitaxiale du transistor PNP de silicium. 60V, 600mA.	General Electric Solid State
439568	GES2906	Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -350mA.	General Electric Solid State
439569	GES2906A	Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -350mA.	General Electric Solid State
439570	GES2907	Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -350mA.	General Electric Solid State
439571	GES2907A	Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -350mA.	General Electric Solid State
439572	GES3414	transistor de silicium. 25V, 500mA.	General Electric Solid State
439573	GES3415	transistor de silicium. 25V, 500mA.	General Electric Solid State
439574	GES3416	transistor de silicium. 50V, 500mA.	General Electric Solid State
439575	GES3417	transistor de silicium. 50V, 500mA.	General Electric Solid State
439576	GES5305	TRANSISTORS DU SILICIUM DARLINGTON	General Electric Solid State
439577	GES5306	TRANSISTORS DU SILICIUM DARLINGTON	General Electric Solid State
439578	GES5306A	TRANSISTORS DU SILICIUM DARLINGTON	General Electric Solid State
439579	GES5307	Planaire épitaxiale de silicium passivé transistor NPN Darlington. 40V, 300mA.	General Electric Solid State

439580	GES5308	Planaire épitaxiale de silicium passivé transistor NPN Darlington. 40V, 300mA.	General Electric Solid State
439581	GES5308A	Planaire épitaxiale de silicium passivé transistor NPN Darlington. 40V, 300mA.	General Electric Solid State
439582	GES5401	TRANSISTORS DE SILICIUM	General Electric Solid State
439583	GES5551	TRANSISTORS DE SILICIUM	General Electric Solid State
439584	GES5810	Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 25V, 750mA.	General Electric Solid State
439585	GES5810-J1	Petits Transistors De Signal	Central Semiconductor
439586	GES5811	Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -25V, -750mA.	General Electric Solid State
439587	GES5811-J1	Petits Transistors De Signal	Central Semiconductor
439588	GES5812	Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 25V, 750mA.	General Electric Solid State
439589	GES5812-J1	Petits Transistors De Signal	Central Semiconductor
439590	GES5813	Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -25V, -750mA.	General Electric Solid State
439591	GES5813-J1	Petits Transistors De Signal	Central Semiconductor
439592	GES5814	Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 40V, 750mA.	General Electric Solid State
439593	GES5814-J1	Petits Transistors De Signal	Central Semiconductor
439594	GES5815	Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -750mA.	General Electric Solid State
439595	GES5815-J1	Petits Transistors De Signal	Central Semiconductor
439596	GES5816	Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 40V, 750mA.	General Electric Solid State
439597	GES5816-J1	Petits Transistors De Signal	Central Semiconductor
439598	GES5817	Planar passive transistor de silicium PNP épitaxiale. -40V, -750mA.	General Electric Solid State
439599	GES5817-J1	Petits Transistors De Signal	Central Semiconductor
439600	GES5818	Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 40V, 750mA.	General Electric Solid State

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