| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 442321 | GN1L3Z | TRANSISTOR du TYPE Intégré PNP de VITESSE de RÉSISTANCE MOYENNE de COMMUTATION | NEC |
| 442322 | GN1L3Z-T1 | Transistor hybride | NEC |
| 442323 | GN1L3Z-T2 | Transistor hybride | NEC |
| 442324 | GN1L4L | TRANSISTOR du TYPE Intégré PNP de VITESSE de RÉSISTANCE MOYENNE de COMMUTATION | NEC |
| 442325 | GN1L4L-T1 | Transistor hybride | NEC |
| 442326 | GN1L4L-T2 | Transistor hybride | NEC |
| 442327 | GN1L4M | TRANSISTOR du TYPE Intégré PNP de VITESSE de RÉSISTANCE MOYENNE de COMMUTATION | NEC |
| 442328 | GN1L4M-T1 | Transistor hybride | NEC |
| 442329 | GN1L4M-T2 | Transistor hybride | NEC |
| 442330 | GN1L4Z | TRANSISTOR du TYPE Intégré PNP de VITESSE de RÉSISTANCE MOYENNE de COMMUTATION | NEC |
| 442331 | GN1L4Z-T1 | Transistor hybride | NEC |
| 442332 | GN1L4Z-T2 | Transistor hybride | NEC |
| 442333 | GN1M | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442334 | GN1M | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442335 | GN20 | Le Paquet de GN Xx-Mènent Le Plastique SSOP (Pouce Étroit De 150) | etc |
| 442336 | GN24 | Le Paquet de GN Xx-Mènent Le Plastique SSOP (Pouce Étroit De 150) | etc |
| 442337 | GN2470 | TRANSISTOR BIPOLAIRE ISOLÉ DE PORTE | Supertex Inc |
| 442338 | GN2470K4 | TRANSISTOR BIPOLAIRE ISOLÉ DE PORTE | Supertex Inc |
| 442339 | GN28 | Le Paquet de GN Xx-Mènent Le Plastique SSOP (Pouce Étroit De 150) | etc |
| 442340 | GN2A | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442341 | GN2B | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442342 | GN2D | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442343 | GN2G | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442344 | GN2J | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442345 | GN2K | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442346 | GN2M | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442347 | GN3A | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442348 | GN3A | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442349 | GN3B | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442350 | GN3B | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442351 | GN3D | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442352 | GN3D | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442353 | GN3G | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442354 | GN3G | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442355 | GN3J | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442356 | GN3J | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442357 | GN3K | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442358 | GN3K | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442359 | GN3M | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442360 | GN3M | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
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