| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 449321 | GT17VC-6DP-DS | Antenne/sonde/et raccordements de ligne interurbaine de communications | Hirose Electric |
| 449322 | GT19N-1P-V | Connecteurs pour les antennes fenêtre-montées | Hirose Electric |
| 449323 | GT19N-1S-HU | Connecteurs pour les antennes fenêtre-montées | Hirose Electric |
| 449324 | GT19N-1S-R | Connecteurs pour les antennes fenêtre-montées | Hirose Electric |
| 449325 | GT19N-2022/F3.3-5SCF | Connecteurs pour les antennes fenêtre-montées | Hirose Electric |
| 449326 | GT19N-2022/F4-5SCF | Connecteurs pour les antennes fenêtre-montées | Hirose Electric |
| 449327 | GT20D101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 449328 | GT20D201 | APPLICATION BIPOLAIRE ISOLÉE De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM P De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 449329 | GT20G101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES d'cInstantané de STROBOSCOPE Du N-canal IGBT de SILICIUM de TRANSISTOR de PORTE | TOSHIBA |
| 449330 | GT20G101(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES d'cInstantané de STROBOSCOPE Du N-canal IGBT de SILICIUM de TRANSISTOR de PORTE | TOSHIBA |
| 449331 | GT20G101SM | La MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE) | TOSHIBA |
| 449332 | GT20G102 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 449333 | GT20G102(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 449334 | GT20G102SM | La MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE) | TOSHIBA |
| 449335 | GT20J101 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 449336 | GT20J121 | IGBT pour les applications de commutation douce | TOSHIBA |
| 449337 | GT20J301 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 449338 | GT20J311 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES De COMMANDE De MOTEUR D'cApplications De COMMUTATION De PUISSANCE ÉLEVÉE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 449339 | GT20J321 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée Du Silicium N Chanenel IGBT De Transistor De Porte Commutant Rapidement Des Applications | TOSHIBA |
| 449340 | GT20J341 | IGBT discrets | TOSHIBA |
| 449341 | GT25G101 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 449342 | GT25G101(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 449343 | GT25G101SM | La MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE) | TOSHIBA |
| 449344 | GT25G102 | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 449345 | GT25G102(SM) | APPLICATIONS BIPOLAIRES ISOLÉES D'cInstantané De STROBOSCOPE De la MANCHE IGBT Du SILICIUM N De TRANSISTOR De PORTE | TOSHIBA |
| 449346 | GT25G102SM | La MANCHE IGBT (APPLICATIONS INSTANTANÉES De N De STROBOSCOPE) | TOSHIBA |
| 449347 | GT25J101 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 449348 | GT25J102 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 449349 | GT25Q101 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 449350 | GT25Q102 | Applications Bipolaires Isolées De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 449351 | GT25Q301 | Applications Bipolaires Isolées De Commande De Moteur D'Applications De Commutation De Puissance Élevée De la Manche IGBT Du Silicium N De Transistor De Porte | TOSHIBA |
| 449352 | GT28F008B3B110 | BLOC 4 -, 8 -, 16 D'INITIALISATION AVANCÉ PAR 3 FUTÉS -,FAMILLE INSTANTANÉE DE LA MÉMOIRE 32-MBIT | Intel |
| 449353 | GT28F008B3B110 | 3 Volts Ont avancé La Mémoire D'Instantané De Bloc D'Initialisation | Intel |
| 449354 | GT28F008B3B120 | 3 FUTÉS ONT AVANCÉ LE BLOC de BOTTE D'un octet | Intel |
| 449355 | GT28F008B3B150 | 3 FUTÉS ONT AVANCÉ LE BLOC de BOTTE D'un octet | Intel |
| 449356 | GT28F008B3B90 | BLOC 4 -, 8 -, 16 D'INITIALISATION AVANCÉ PAR 3 FUTÉS -,FAMILLE INSTANTANÉE DE LA MÉMOIRE 32-MBIT | Intel |
| 449357 | GT28F008B3B90 | 3 Volts Ont avancé La Mémoire D'Instantané De Bloc D'Initialisation | Intel |
| 449358 | GT28F008B3BA110 | BLOC 4 -, 8 -, 16 D'INITIALISATION AVANCÉ PAR 3 FUTÉS -,FAMILLE INSTANTANÉE DE LA MÉMOIRE 32-MBIT | Intel |
| 449359 | GT28F008B3BA90 | BLOC 4 -, 8 -, 16 D'INITIALISATION AVANCÉ PAR 3 FUTÉS -,FAMILLE INSTANTANÉE DE LA MÉMOIRE 32-MBIT | Intel |
| 449360 | GT28F008B3T110 | BLOC 4 -, 8 -, 16 D'INITIALISATION AVANCÉ PAR 3 FUTÉS -,FAMILLE INSTANTANÉE DE LA MÉMOIRE 32-MBIT | Intel |
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