| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 45721 | 2N3866 | Transistors épitaxiaux planaires de recouvrement de silicium | Philips |
| 45722 | 2N3866 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 45723 | 2N3866 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | Advanced Semiconductor |
| 45724 | 2N3866 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DISCRETS DE RF ET DE MICRO-onde BAS | Microsemi |
| 45725 | 2N3866 | Polarité 1007 De la Géométrie Du Type 2C386Ã De Morceau NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45726 | 2N3866A | TRANSISTORS DE PUISSANCE DISCRETS DE RF ET DE MICRO-onde BAS | Microsemi |
| 45727 | 2N3866A | Polarité 1007 De la Géométrie Du Type 2C386Ã De Morceau NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45728 | 2N3866AF | Chip: géométrie 1007; polarité NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45729 | 2N3866AUB | Polarité 1007 De la Géométrie Du Type 2C386Ã De Morceau NPN | Semicoa Semiconductor |
| 45730 | 2N3867 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45731 | 2N3867 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45732 | 2N3867 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 45733 | 2N3867 | 1.000W usage général PNP métal peut transistor. 40V VCEO, 3.000A Ic, 40-200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 45734 | 2N3867S | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45735 | 2N3868 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45736 | 2N3868 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45737 | 2N3868 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
| 45738 | 2N3868S | Transistor de PNP | Microsemi |
| 45739 | 2N3870 | Silicium Rectifiers(Reverse Commandé Bloquant Des Thyristors De Triode) | Motorola |
| 45740 | 2N3870 | 35A redresseur commandé au silicium. Vrsom (non-rep) 150V. | General Electric Solid State |
| 45741 | 2N3871 | Silicium Rectifiers(Reverse Commandé Bloquant Des Thyristors De Triode) | Motorola |
| 45742 | 2N3871 | 35A redresseur commandé au silicium. Vrsom (non-rep) 330V. | General Electric Solid State |
| 45743 | 2N3872 | Silicium Rectifiers(Reverse Commandé Bloquant Des Thyristors De Triode) | Motorola |
| 45744 | 2N3872 | 35A redresseur commandé au silicium. Vrsom (non-rep) 660V. | General Electric Solid State |
| 45745 | 2N3873 | Silicium Rectifiers(Reverse Commandé Bloquant Des Thyristors De Triode) | Motorola |
| 45746 | 2N3873 | 35A redresseur commandé au silicium. Vrsom (non-rep) 700V. | General Electric Solid State |
| 45747 | 2N3878 | TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEUR | General Electric Solid State |
| 45748 | 2N3878 | TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX À GRANDE VITESSE DU SILICIUM NPN DECOLLECTEUR | General Electric Solid State |
| 45749 | 2N3879 | Transistor de NPN | Microsemi |
| 45750 | 2N3879 | Haute vitesse, le transistor NPN plane collecteur de silicium épitaxiale. | General Electric Solid State |
| 45751 | 2N3884 | Moyenne de Thyristor 175 Amoeres De Commande De Phase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45752 | 2N3884-2N3895 | Moyenne de Thyristor 175 Amoeres De Commande De Phase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45753 | 2N3885 | Moyenne de Thyristor 175 Amoeres De Commande De Phase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45754 | 2N3886 | Moyenne de Thyristor 175 Amoeres De Commande De Phase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45755 | 2N3887 | Moyenne de Thyristor 175 Amoeres De Commande De Phase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45756 | 2N3888 | Moyenne de Thyristor 175 Amoeres De Commande De Phase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45757 | 2N3889 | Moyenne de Thyristor 175 Amoeres De Commande De Phase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45758 | 2N3890 | Moyenne de Thyristor 175 Amoeres De Commande De Phase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45759 | 2N3891 | Moyenne de Thyristor 175 Amoeres De Commande De Phase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
| 45760 | 2N3892 | Moyenne de Thyristor 175 Amoeres De Commande De Phase 1200 Volts | Powerex Power Semiconductors |
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