Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
48041 | 2N5881 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48042 | 2N5882 | PUISSANCE TRANSISTORS(1ä, 160w) | MOSPEC Semiconductor |
48043 | 2N5882 | TRANSISTORS De haute puissance de SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
48044 | 2N5882 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48045 | 2N5882-D | Transistor De haute puissance Du Silicium NPN | ON Semiconductor |
48046 | 2N5883 | PUISSANCE TRANSISTORS(2ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
48047 | 2N5883 | TRANSISTORS De haute puissance de SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
48048 | 2N5883 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48049 | 2N5883 | Puissance 2Ä 60V PNP Discret | ON Semiconductor |
48050 | 2N5883-D | Transistors De haute puissance De Silicium Complémentaire | ON Semiconductor |
48051 | 2N5884 | PUISSANCE TRANSISTORS(2ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
48052 | 2N5884 | TRANSISTORS De haute puissance de SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
48053 | 2N5884 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48054 | 2N5884 | Puissance 2Ä 80V PNP Discret | ON Semiconductor |
48055 | 2N5884 | TRANSISTORS DE PUISSANCE ÉLEVÉE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
48056 | 2N5884 | HFE min 20 transistor PNP polarité Courant, Ic continu max 25 A Tension VCEO 80 V Courant, Ic (HFE) 10 A Puissance 200 W de puissance Ptot de température de 25? C nombre de transistors 1 | SGS Thomson Microelectronics |
48057 | 2N5885 | PUISSANCE TRANSISTORS(2ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
48058 | 2N5885 | TRANSISTORS De haute puissance de SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
48059 | 2N5885 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48060 | 2N5885 | Puissance 2Ä 60V NPN Discret | ON Semiconductor |
48061 | 2N5885 | Haut courant, haute puissance, le transistor de puissance à haute vitesse. 60V 200W. | General Electric Solid State |
48062 | 2N5886 | TRANSISTOR DE PUISSANCE ÉLEVÉE COMPLÉMENTAIRE DE SILICIUM | ST Microelectronics |
48063 | 2N5886 | HAUT TRANSISTOR DE PUISSANCE COURANT DU SILICIUM NPN | SGS Thomson Microelectronics |
48064 | 2N5886 | PUISSANCE TRANSISTORS(2ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
48065 | 2N5886 | TRANSISTORS De haute puissance de SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
48066 | 2N5886 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
48067 | 2N5886 | Puissance 2Ä 80V NPN Discret | ON Semiconductor |
48068 | 2N5886 | Haut courant, haute puissance, le transistor de puissance à haute vitesse. 80V, 200W. | General Electric Solid State |
48069 | 2N5902 | AMPLIFICATEUR DUEL MONOLITHIQUE D'cUsage UNIVERSEL De la MANCHE JFET De N | Intersil |
48070 | 2N5903 | AMPLIFICATEUR DUEL MONOLITHIQUE D'cUsage UNIVERSEL De la MANCHE JFET De N | Intersil |
48071 | 2N5904 | AMPLIFICATEUR DUEL MONOLITHIQUE D'cUsage UNIVERSEL De la MANCHE JFET De N | Intersil |
48072 | 2N5905 | La Basse Fuite, Basse Dérive, Monolithique Conjuguent, Le N-Canal JFET | Linear Systems |
48073 | 2N5905 | AMPLIFICATEUR DUEL MONOLITHIQUE D'cUsage UNIVERSEL De la MANCHE JFET De N | Intersil |
48074 | 2N5906 | La Basse Fuite, Basse Dérive, Monolithique Conjuguent, Le N-Canal JFET | Linear Systems |
48075 | 2N5906 | AMPLIFICATEUR DUEL MONOLITHIQUE D'cUsage UNIVERSEL De la MANCHE JFET De N | Intersil |
48076 | 2N5907 | La Basse Fuite, Basse Dérive, Monolithique Conjuguent, Le N-Canal JFET | Linear Systems |
48077 | 2N5907 | AMPLIFICATEUR DUEL MONOLITHIQUE D'cUsage UNIVERSEL De la MANCHE JFET De N | Intersil |
48078 | 2N5908 | La Basse Fuite, Basse Dérive, Monolithique Conjuguent, Le N-Canal JFET | Linear Systems |
48079 | 2N5908 | AMPLIFICATEUR DUEL MONOLITHIQUE D'cUsage UNIVERSEL De la MANCHE JFET De N | Intersil |
48080 | 2N5909 | La Basse Fuite, Basse Dérive, Monolithique Conjuguent, Le N-Canal JFET | Linear Systems |
| | | |