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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
540812SC3317Transistor à grande vitesse de commutationCOLLMER SEMICONDUCTOR INC
540822SC3317TRANSISTORS À GRANDE VITESSE SUPERBES DE COMMUTATIONCOLLMER SEMICONDUCTOR INC
540832SC3317Transistor à grande vitesse de commutationCOLLMER SEMICONDUCTOR INC
540842SC3318COMMUTATION ÉLEVÉE DE VITESSE DU TYPE VOLTAGE/high DE PLANER DIFFUSE PAR TRIPLEFuji Electric
540852SC3319TRANSISTORS À GRANDE VITESSE SUPERBES DE COMMUTATIONCOLLMER SEMICONDUCTOR INC
540862SC3319Transistor à grande vitesse de commutationCOLLMER SEMICONDUCTOR INC
540872SC3319TRANSISTORS À GRANDE VITESSE SUPERBES DE COMMUTATIONCOLLMER SEMICONDUCTOR INC
540882SC3319Transistor à grande vitesse de commutationCOLLMER SEMICONDUCTOR INC
540892SC3319TRANSISTORS À GRANDE VITESSE SUPERBES DE COMMUTATIONCOLLMER SEMICONDUCTOR INC
540902SC3319Transistor à grande vitesse de commutationCOLLMER SEMICONDUCTOR INC
540912SC3320COMMUTATION À GRANDE VITESSE À HAUTE TENSION DE TYPE DE PLANER DIFFUSE PAR TRIPLEFuji Electric
540922SC3321TRANSISTORS À GRANDE VITESSE SUPERBES DE COMMUTATIONCOLLMER SEMICONDUCTOR INC
540932SC3321Transistor à grande vitesse de commutationCOLLMER SEMICONDUCTOR INC
540942SC3321TRANSISTORS À GRANDE VITESSE SUPERBES DE COMMUTATIONCOLLMER SEMICONDUCTOR INC
540952SC3321Transistor à grande vitesse de commutationCOLLMER SEMICONDUCTOR INC
540962SC3321TRANSISTORS À GRANDE VITESSE SUPERBES DE COMMUTATIONCOLLMER SEMICONDUCTOR INC
540972SC3321Transistor à grande vitesse de commutationCOLLMER SEMICONDUCTOR INC
540982SC3322Triple Du Silicium NPN DiffusHitachi Semiconductor
540992SC3322Triple Du Silicium NPN DiffusHitachi Semiconductor



541002SC3322Triple Du Silicium NPN DiffusHitachi Semiconductor
541012SC3324Applications épitaxiales d'amplificateur de bruit de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) bassesTOSHIBA
541022SC3325Applications épitaxiales d'amplificateur d'étape de conducteur d'applications d'amplificateur de puissance de fréquence sonore de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) basses commutant des applicationsTOSHIBA
541032SC3326Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) pour des applications assourdissantes et de changementsTOSHIBA
541042SC3327TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR POUR DES APPLICATIONS ASSOURDISSANTES ET DE CHANGEMENTSTOSHIBA
541052SC3328Les applications épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) actionnent des applications de commutationTOSHIBA
541062SC3329Type épitaxial du silicium NPN de transistor (processus de PCT) pour des applications audio d'amplificateur de bas bruit et recommandé pour les premières étapes des amplificateurs principaux de MCTOSHIBA
541072SC3330Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de PNP/NPNSANYO
541082SC3330610 ampères transistor de puissance NPN de siliciumMOSPEC Semiconductor
541092SC3331Applications d'Af AmpèreSANYO
541102SC3332Applications À haute tension De Commutation De Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium de NPNSANYO
541112SC3333Le silicium NPN de transistor triplent des applications à haute tension diffuses de rendement de chroma de la couleur TV d'applications de commutation de type (processus de PCT)TOSHIBA
541122SC3334APPLICATIONS À HAUTE TENSION DIFFUSES TRIPLES DE RENDEMENT DE CHROMA DE COMMUTATION ET DE COULEUR TV DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
541132SC3336Transistor Du Silicium NPNHitachi Semiconductor
541142SC3336Triple Du Silicium NPN DiffusHitachi Semiconductor
541152SC3338Transistor Du Silicium NPNHitachi Semiconductor
541162SC3338Silicium NPN ÉpitaxialHitachi Semiconductor
541172SC3345TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNTOSHIBA
541182SC3345TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNTOSHIBA
541192SC3345TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNTOSHIBA
541202SC3346Type Épitaxial Du Silicium NPN/Applications Haut Courantes De CommutationTOSHIBA
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