Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
569321 | IRFF113 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 3.0A courant. | General Electric Solid State |
569322 | IRFF113 | À canal N à enrichissement porte silicium TMOS petit signal transistor à effet de champ. | Motorola |
569323 | IRFF120 | 100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
569324 | IRFF120 | Transistor MOSFET De Puissance De 6.0A/100V/0,300 Ohms/N-Canal | Intersil |
569325 | IRFF120 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 6.0A courant. | General Electric Solid State |
569326 | IRFF121 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 50V. Vidange continue de 6.0A courant. | General Electric Solid State |
569327 | IRFF122 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 5.0A courant. | General Electric Solid State |
569328 | IRFF123 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 5.0A courant. | General Electric Solid State |
569329 | IRFF130 | 100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
569330 | IRFF130 | Transistor MOSFET De Puissance De 8.0A/100V/0,180 Ohms/N-Canal | Intersil |
569331 | IRFF130 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 8.0A courant. | General Electric Solid State |
569332 | IRFF131 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 8.0A courant. | General Electric Solid State |
569333 | IRFF132 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 7.0A courant. | General Electric Solid State |
569334 | IRFF133 | N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 7.0A courant. | General Electric Solid State |
569335 | IRFF210 | 200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
569336 | IRFF210 | Transistor MOSFET De Puissance De 2.À/200V/1,500 Ohms/N-Canal | Intersil |
569337 | IRFF220 | 200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
569338 | IRFF220 | Transistor MOSFET De Puissance De 3.Ä/200V/0,800 Ohms/N-Canal | Intersil |
569339 | IRFF230 | 200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
569340 | IRFF230 | Transistor MOSFET De Puissance De 5.Ä/200V/0,400 Ohms/N-Canal | Intersil |
569341 | IRFF310 | 400V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
569342 | IRFF310 | Transistor MOSFET De Puissance De 1.3Ä/400V/3,600 Ohms/N-Canal | Intersil |
569343 | IRFF310 | MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ. Tension drain-source de 400 V. | General Electric Solid State |
569344 | IRFF311 | MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ. Tension drain-source de 350 V. | General Electric Solid State |
569345 | IRFF312 | MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ. Tension drain-source de 400 V. | General Electric Solid State |
569346 | IRFF313 | MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ. Tension drain-source de 350 V. | General Electric Solid State |
569347 | IRFF320 | 400V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
569348 | IRFF320 | Transistor MOSFET De Puissance De 2.Ä/400V/1,800 Ohms/N-Canal | Intersil |
569349 | IRFF330 | 400V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
569350 | IRFF330 | Transistor MOSFET De Puissance De 3.Ä/400V/1,000 Ohms/N-Canal | Intersil |
569351 | IRFF420 | 500V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
569352 | IRFF420 | Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canal | SemeLAB |
569353 | IRFF420 | Transistor MOSFET De Puissance De 1.Ã/500V/3,000 Ohms/N-Canal | Intersil |
569354 | IRFF430 | 500V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
569355 | IRFF430 | Transistor MOSFET De Puissance De 2.7Ä/500V/1,500 Ohms/N-Canal | Intersil |
569356 | IRFF9024 | -60V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
569357 | IRFF9110 | -100V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
569358 | IRFF9120 | -100V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
569359 | IRFF9120 | Transistor MOSFET De Puissance De Â/100V/0,60 Ohms/P-Canal | Intersil |
569360 | IRFF9130 | -100V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äf | International Rectifier |
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