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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
569321IRFF113N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 3.0A courant.General Electric Solid State
569322IRFF113À canal N à enrichissement porte silicium TMOS petit signal transistor à effet de champ.Motorola
569323IRFF120100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äfInternational Rectifier
569324IRFF120Transistor MOSFET De Puissance De 6.0A/100V/0,300 Ohms/N-CanalIntersil
569325IRFF120N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 6.0A courant.General Electric Solid State
569326IRFF121N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 50V. Vidange continue de 6.0A courant.General Electric Solid State
569327IRFF122N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 5.0A courant.General Electric Solid State
569328IRFF123N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 5.0A courant.General Electric Solid State
569329IRFF130100V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äfInternational Rectifier
569330IRFF130Transistor MOSFET De Puissance De 8.0A/100V/0,180 Ohms/N-CanalIntersil
569331IRFF130N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 8.0A courant.General Electric Solid State
569332IRFF131N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 8.0A courant.General Electric Solid State
569333IRFF132N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 100V. Vidange continue de 7.0A courant.General Electric Solid State
569334IRFF133N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Vidange continue de 7.0A courant.General Electric Solid State
569335IRFF210200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äfInternational Rectifier
569336IRFF210Transistor MOSFET De Puissance De 2.À/200V/1,500 Ohms/N-CanalIntersil
569337IRFF220200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äfInternational Rectifier
569338IRFF220Transistor MOSFET De Puissance De 3.Ä/200V/0,800 Ohms/N-CanalIntersil



569339IRFF230200V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äfInternational Rectifier
569340IRFF230Transistor MOSFET De Puissance De 5.Ä/200V/0,400 Ohms/N-CanalIntersil
569341IRFF310400V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äfInternational Rectifier
569342IRFF310Transistor MOSFET De Puissance De 1.3Ä/400V/3,600 Ohms/N-CanalIntersil
569343IRFF310MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ. Tension drain-source de 400 V.General Electric Solid State
569344IRFF311MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ. Tension drain-source de 350 V.General Electric Solid State
569345IRFF312MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ. Tension drain-source de 400 V.General Electric Solid State
569346IRFF313MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ. Tension drain-source de 350 V.General Electric Solid State
569347IRFF320400V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äfInternational Rectifier
569348IRFF320Transistor MOSFET De Puissance De 2.Ä/400V/1,800 Ohms/N-CanalIntersil
569349IRFF330400V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äfInternational Rectifier
569350IRFF330Transistor MOSFET De Puissance De 3.Ä/400V/1,000 Ohms/N-CanalIntersil
569351IRFF420500V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äfInternational Rectifier
569352IRFF420Transistor MOSFET de PUISSANCE De N-canalSemeLAB
569353IRFF420Transistor MOSFET De Puissance De 1.Ã/500V/3,000 Ohms/N-CanalIntersil
569354IRFF430500V choisissent le transistor MOSFET de N-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äfInternational Rectifier
569355IRFF430Transistor MOSFET De Puissance De 2.7Ä/500V/1,500 Ohms/N-CanalIntersil
569356IRFF9024-60V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äfInternational Rectifier
569357IRFF9110-100V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äfInternational Rectifier
569358IRFF9120-100V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äfInternational Rectifier
569359IRFF9120Transistor MOSFET De Puissance De Â/100V/0,60 Ohms/P-CanalIntersil
569360IRFF9130-100V choisissent le transistor MOSFET de P-Canal Bonjour-Rel dans un paquet de To-20äfInternational Rectifier
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